ROHM針對這些挑戰，于2019年開始開發內置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉換器IC，并一直致力于開發出能夠更大程度地發揮SiC功率半導體性能的IC，在行業中處于先進地位。
2021-06-20 10:58:48
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ROHM致力于為廣泛的應用提供有效的電源解決方案，不僅專注于行業先進的SiC功率元器件，還積極推動Si功率元器件和驅動IC的技術及產品開發。
2021-07-08 16:31:581605 
羅姆于2020年完成開發的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現業內超低導通電阻的產品。
2022-03-09 09:33:582652 
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現了
2018-11-28 14:27:08
有助于在應用程序中節省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開關和低導通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅動；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載和工業設備中的大功率應用，開發出12W級額定功率的業界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”。另外，ROHM針對已在15W級額定功率產品中達到
2023-03-14 16:13:38
元器件則是可顯著減少功率轉換時損耗的關鍵器件。一直以來都在SiC功率器件領域處于業界領先地位的ROHM，展示的"全SiC"功率模塊是一款具有高速開關、低開關損耗、高速 恢復、消除寄生
2019-04-12 05:03:38
元器件則是可顯著減少功率轉換時損耗的關鍵器件。一直以來都在SiC功率器件領域處于業界領先地位的ROHM，展示的"全SiC"功率模塊是一款具有高速開關、低開關損耗、高速 恢復、消除寄生
2019-07-11 04:17:44
元器件則是可顯著減少功率轉換時損耗的關鍵器件。一直以來都在SiC功率器件領域處于業界領先地位的ROHM，展示的"全SiC"功率模塊是一款具有高速開關、低開關損耗、高速 恢復、消除寄生
2019-07-15 04:20:14
。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。在這種背景下，ROHM繼2020年年底發布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發出在Nch
2021-07-14 15:17:34
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
色，VF值更低。＜支持信息＞ROHM在官網特設網頁中，介紹了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模塊等SiC功率元器件的概況，同時，還發布了用于快速評估和引入第4代SiC MOSFET的各種支持
2023-03-02 14:24:46
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
導通電阻方面的課題，如前所述通過采用SJ-MOSFET結構來改善導通電阻。IGBT在導通電阻和耐壓方面表現優異，但存在開關速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導通電阻、開關速度方面表現都很優異
2018-11-30 11:35:30
，與Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設計，且高溫下的導通電阻也很低。 4. 驅動門極電壓和導通電阻 SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
設計，且高溫下的導通電阻也很低。※該數據是ROHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發生這類問題）ROHM通過開發不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
，但由于第三代（3G）SiC-MOSFET導通電阻更低，晶體管數得以從8個減少到4個。關于效率，采用第三代（3G）SiC-MOSFET時的結果最理想，無論哪種SiC-MOSFET的效率均超過Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
專門的溝槽式柵極結構（即柵極是在芯片表面構建的一個凹槽的側壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產品相比，輸入電容減小了35%，導通電阻減小了50%，性能更優異。圖4 SCT3030KL的內部電路
2019-07-09 04:20:19
］ 許可再現，顯示了截至2016年7月各供應商的SiC MOSFET活動現狀。商業上可用的部件已經從Wolfspeed，ROHM，ST Microelectronics和Microsemi發布; 社區
2023-02-27 13:48:12
R-UIS壓力測試循環后，在關鍵電氣性能（如導通電阻，閾值電壓，擊穿電壓和漏極漏電流）上無法觀察到參數偏移。也可以通過模擬獲得相關信息。圖5顯示了對MOSFET 施加1600V 的V DS所進行的模擬
2019-07-30 15:15:17
設計得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導致反向偏壓時的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進制造工藝，成功地使漏電流和恢復性能保持與舊產品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-03-14 06:20:14
的新一代產品。ROHM開發了第2代系列產品。ROHM的第1代產品及其他公司類似產品的VF當IF＝10A時為1.5V，而第2代產品的VF低至1.35V。下圖是參考值，是25℃和125℃時的IF vs VF
2018-11-30 11:52:08
，提前了解各產品的具體不同之處，有助于縮短設計時間。SiC-SBD的發展ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流產品，已經實現近50種機型的量產銷售。下圖是第1代到第3代的正向電壓與電流特性（VF
2018-11-30 11:51:17
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
設計，且高溫下的導通電阻也很低。※該數據是ROHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現高耐壓，從而同時實現 "高耐壓"、"低導通電阻"、"高頻" 這三個特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩定工作。
2019-07-23 04:20:21
誤導通的話，將有可能發生在高邊－低邊間流過直通電流（Flow-through Current）等問題。這種現象是SiC-MOSFET的特性之一–非常快速的開關引起的。低邊柵極電壓升高是由切換到高邊導
2018-11-30 11:31:17
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現的當時業界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產品
2018-12-03 15:12:02
降低損耗”為目標開發而成的。一般而言，導通電阻和Qg存在權衡關系，但利用ROHM獨有的工藝技術和優化技術優勢，實現了兩者的高度平衡。※PrestoMOS是ROHM的商標。開關損耗和傳導損耗更低
2018-12-04 10:23:36
MOSFET的低噪聲特性與SJ MOS的低導通電阻特性的系列產品。下面是ROHM第一代標準特性的AN系列、其他公司同等產品及EN系列的噪聲特性比較圖。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪聲水平、且導通電阻
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導通電阻的音頻開關已經開發了通過減少音頻爆破音的可能性來加強語音體驗。它們包括了最近的特性,具體地說是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時間和允許負電壓信號的能力。
2011-03-02 23:11:29
的導通電阻大大降低。在25°C至150°C的溫度范圍內，SiC的變化范圍為20％，而Si的變化范圍為200％至300％.SiC MOSFET管芯能夠在200°C以上的結溫下工作。該技術還得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
/>【正文快照】：IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅
2010-05-06 08:55:20
公司也有生產，但是ROHM在推進獨自開發。此次內置的SJ MOSFET不僅實現了650V的高耐壓，還實現了低導通電阻與低柵極電荷，開關速度也非常快。這將大大改善開關即MOSFET的導通損耗與開關損耗。這
2019-04-29 01:41:22
。另外，這里提供的數據是在ROHM試驗環境下的結果。驅動電路等條件不同，結果也可能不同。關鍵要點:?SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，導通電阻特性的變化呈直線型，因此在低電流范圍優于IGBT。?SiC-MOSFET的開關損耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
Booster技術，面向車載的DC/DC轉換器04 24V輸入，內置MOSFET的降壓型開關穩壓器BD9E100FJ-LB是內置低導通電阻的功率MOSFET的同步整流降壓型開關穩壓器。輸入電壓范圍廣
2018-10-17 16:16:17
40mR導通電阻Ron的SIC-MOSFET來說，17A的電流發熱量還是挺大，在實際應用中需要加強散熱才可以。不過，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應用，這里才是48V的測試，屬于
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：特種電源開發試用計劃：在I項目開發中，有一個關鍵電源，需要在有限空間，實現高壓、大電流脈沖輸出。對開關器件的開關特性和導通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產品的技術成熟度越來越高，計劃把IGBT開關器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
導電溝道越大，則導通電阻越小；但是柵極驅動電壓太大的話，很容易將柵極和漏極之間絕緣層擊穿，造成Mosfet管的永久失效；3.為了增加開關管的速度，減少開關管的關斷時間是有必要的；且為了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
狀態之間轉換，并且具有更低的導通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側）與硅
2017-12-18 13:58:36
應用，實際上已經在HV/EV/PHV的板上充電電路中采用并發揮著SiC-SBD的優勢。關鍵要點:?ROHMSiC-SBD已經發展到第3代。?第3代產品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。＜ 相關產品信息 ＞SiC-SBDSi-SBDSi-PND
2018-11-29 14:33:47
:?全SiC功率模塊由ROHM自主生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成。?與Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。?全SiC功率模塊正在不斷進化，最新產品搭載了最新的第三代SiC-MOSFET。
2018-11-27 16:38:04
減少了19%的體積，并減重2kg。 從第4賽季開始，ROHM將為文圖瑞車隊提供將SiC-MOSFET和SiC-SBD模塊化的全SiC功率模塊，與搭載SiC-SBD的第3賽季逆變器相比，實現了30
2018-12-04 10:24:29
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關內容，有許多與Si同等產品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關損耗進一步降低ROHM在行業中率先實現了溝槽結構
2018-11-27 16:37:30
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側開關IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
需要具備非常先進的技術能力才能實現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進的技術能力才能實現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內置
2018-12-04 10:10:43
1700V高耐壓，還是充分發揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發最尖端的功率元器件，還促進充分發揮
2018-12-04 10:11:25
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明，在高負載范圍和低開關速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅動與傳統方法相比，導通損耗降低了26%。在電機驅動器等應用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
1700V高耐壓，還是充分發揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發最尖端的功率元器件，還促進充分發揮
2018-12-05 10:01:25
獨創的小型大功率封裝，是低導通電阻的元器件。這種產品從2007年4月開始逐步供應樣品；預定從2007年8月開始以月產300萬個的規模大量生產。生產過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進行；包裝
2018-08-24 16:56:26
ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成的“全SiC”功率模塊 重點必看采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴充產品陣容＜ 相關產品信息 ＞全SiC功率模塊SiC-MOSFETSiC-SBDIGBTFRD
2018-12-04 10:14:32
”這個參數的影響。下面以“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉換器為基礎，按照同樣步驟來推導。右側電路圖在上次給出的升降壓轉換器簡圖上標出了作為開關的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區域和導電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除導通時低摻雜的高耐壓外延層對導通電阻只能起增大作用外并無其他用途。這樣，是否可以將導電通道以高摻雜較低電阻率實現，而在MOS
2018-11-01 15:01:12
測試，并觀察波形。在雙脈沖測試電路的高邊（HS）和低邊（LS）安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS開關、LS始終OFF（柵極電壓=0V）。圖1所示的延長電纜已經直接焊接
2022-09-20 08:00:00
的應用優勢優于 IGBT。考慮到所有開關損耗、導通電阻相關傳導損耗和內部二極管的正向電壓損耗，基于 SiC MOSFET 的設計比基于 IGBT 的同類設計可節省約 66% 的損耗（圖 2）。這種效率改進為
2023-02-22 16:34:53
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
具有明顯的優勢。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導通電阻低，還利用了低內感和熱阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的導通電阻值比較 Anup Bhalla說，碳化硅的優點
2023-02-27 14:28:47
的一種最具有優勢的半導體材料.并且具有遠大于Si材料的功率器件品質因子。SiC功率器件的研發始于20世紀90年代.目前已成為新型功率半導體器件研究開發的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品，并探討SiC-SBD的優勢。ROHM的SiC-SBD已經發展到第3代。第3代產品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關鍵＞開關速度的高速化與誤開啟現象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設計時需要通過調整柵極電阻來進行優化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關鍵＞開關速度的高速化與誤開啟現象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設計時需要通過調整柵極電阻來進行優化
2020-03-12 10:08:47
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的導通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出，上述IC的柵極驅動電壓在每種MOSFET將要飽和前變為VGS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
，Si-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現更佳。平面MOSFET與超級結MOSFETSi-MOSFET根據制造工藝可分為平面
2018-11-28 14:28:53
。與此同時，SiC模塊也已開發出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
通損耗占MOSFET總損耗的2/3-4/5，使應用受到極大限制。 降低高壓MOSFET導通電阻的原理與方法 1、不同耐壓的MOSFET的導通電阻分布 不同耐壓的MOSFET，其導通電阻中各部分電阻
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開關速度快”的特征，但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發了EN系列。該系列產品融合了
2018-12-03 14:27:05
全球知名半導體制造商ROHM開發出在大功率（高電壓×大電流）逆變器和伺服等工業設備中日益廣泛應用的SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2015-04-10 09:53:192624 世界首家！ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET，導通電阻大大降低，有助于工業設備等大功率設備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 SiC市場領導者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 09:29:311923 全球知名半導體制造商ROHM開發出非常適用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管（以下稱“SiC-SBD”） “SCS3系列”。
2016-05-10 14:25:511839 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。
2019-09-24 14:39:281964 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:403728 Charger：OBC）等領域擁有很高的市場份額。此次，導通電阻和短路耐受時間之間取得更好權衡的第4代SiC MOSFET的推出，除現有市場之外，還將加速在以主機逆變器為主的市場中的應用。
2020-06-19 14:21:074199 
ROHM于2015年世界上第一家成功地實現了溝槽結構SiC MOSFET的量產，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 ROHM 最近推出了 SiC MOSFET 的新系列產品“SCT3xxx xR 系列”。SCT3xxx xR 系列采用最新的溝槽柵極結構，進一步降低了導通電阻；同時通過采用單獨設置柵極驅動器
2020-11-25 10:56:00
30 ROHM繼2020年年底發布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發出在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748 
功率元器件——第4代SiC MOSFET。 羅姆于2020年完成開發的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現業內超低導通電阻的產品，目前不僅可供應裸芯片，還可供應分立封裝的產品。該產品有助于實現車載逆變器和各種開關電源
2022-03-19 11:12:212089 )(統稱“東芝”)已經開發了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現低導通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531070 ROHM開發出具有絕緣構造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:49626 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:211381 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發與發展日新月異，如果有不明之處或希望確認現在的產品情況，請點擊這里聯系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:032102 
比較SiC開關的數據手冊可能很困難。SiC MOSFET在導通電阻溫度系數較低的情況下似乎具有優勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:56592 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發和元器件結構優化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08244 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316
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