已成功用于電力應用近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢壘二極管（SBD）結構。后來，它發(fā)展成為一種具有低反向泄漏電流的結型勢壘肖特基（JBS）結構。最新的結構稱為合并式PN肖特基（MPS），其浪涌電流處理能力大大提高。 WeEn Semiconductors于2014年發(fā)
2021-03-27 12:03:22
5635 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
、柔性輸電等新能源領域中應用的不斷擴展，現(xiàn)代社會對電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時仍具有更優(yōu)越的開關性能以及更小的結溫和結溫波動。SiC肖特基勢壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要
2018-11-29 14:34:32
范圍基本相同，可用于相同應用。SiC-SBD是新的元器件，換個說法可以說，現(xiàn)有Si-PND/FRD覆蓋的范圍基本上都可以用SiC-SBD替換。尤其是高速性很重要的應用等，在Si-FRD和SiC-SBD
2018-11-30 11:52:08
進行半導體元器件的評估時，電氣/機械方面的規(guī)格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在包括車載在內(nèi)的各種應用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當前的SiC-SBD?反向恢復
2019-03-27 06:20:11
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始
2018-11-29 14:35:50
在內(nèi)的各種應用中的采用。當前的SiC-SBD產(chǎn)品結構分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
的發(fā)展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。電源IC等通過不同的架構和配置功能比較容易打造出品牌特色，而二極管和晶體管等分立元器件，功能本身是一樣的，因此是直接比較幾乎共通的特性項目來選型的。此時
2018-11-30 11:51:17
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
。我們就SCS3系列的特點、應用范圍展望等，采訪了負責開發(fā)的ROHM株式會社 功率元器件制造部 千賀 景先生。－今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代產(chǎn)品。后面我會問到第三代SiC-SBD的特點
2018-12-03 15:12:02
Solutions是電子元器件、電池、電源領域的日本著名制造商——村田制作所集團旗下的一家企業(yè)。ROHM的高速開關SiC SBD產(chǎn)品“SCS308AH”此次成功應用于Murata Power
2023-03-02 14:24:46
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
、SiC 和 Si 功率器件概述 2、SiC 功率器件的特征 3、SiC 功率器件的注意點，可靠性 4、SiC 功率器件的活用（動作、回路、實驗例
2018-07-27 17:20:31
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
項目名稱：微電網(wǎng)結構與控制研究試用計劃：本人從事電力電子開發(fā)與研究已有10年，目前在進行微電網(wǎng)結構與其控制相關項目，我們擁有兩電平和多電平并網(wǎng)逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
700VDC以上。另一方面，由于系統(tǒng)回路內(nèi)雜散電感的存在，在功率器件開關時會在模塊主端子上產(chǎn)生尖峰電壓，因此在傳統(tǒng)的APS系統(tǒng)中不得已采用1.7kV的混合SiC模塊，該模塊由普通IGBT和SiC SBD組成
2017-05-10 11:32:57
可以降低開關器件的工作速度以減小噪聲源，但會降低系統(tǒng)效率；或者增加濾波網(wǎng)絡、磁珠等器件，但會增加系統(tǒng)成本。而采用SiC SBD可以降低電流尖峰，從而減小干擾源。下圖為SiC SBD替換Si FRD
2023-10-07 10:12:26
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實很火，現(xiàn)在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
的內(nèi)部結構和優(yōu)化了散熱設計的新封裝，成功提高了額定電流。另外，與普通的同等額定電流的IGBT＋FRD模塊相比，開關損耗降低了75%（芯片溫度150℃時）。不僅如此，利用SiC功率元器件的優(yōu)勢–高頻驅動，不僅
2018-12-04 10:24:29
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
。SiC半導體的功率元器件SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量產(chǎn)出貨，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”功率模塊也于2012年＊1實現(xiàn)量產(chǎn)。此時，第二代
2018-11-29 14:39:47
SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應用。主要是在電源系統(tǒng)應用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當今的重要課題——系統(tǒng)效率提高與小型化的關鍵元器件之一。＜應用例＞PFC（功率因數(shù)改善）電路電機驅動器電路
2018-12-04 10:26:52
的高性價比功率芯片和模塊產(chǎn)品。 傳統(tǒng)的平面型碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（Planar SiC MOSFET，例如垂直雙擴散金屬氧化物晶體管VDMOS）由于器件尺寸較大，影響了器件的特征導通電
2020-07-07 11:42:42
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
Barrier Schottky）結構。JBS結構是基本上有效改善抗浪涌電流性能和漏電流IR的結構，而且第二代SiC-SBD實現(xiàn)的低VF特性還成功得以進一步改善。Tj＝25℃時的typ值為1.35V
2018-12-03 15:11:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導通會造成導通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結構，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
的比較。藍色部分是用于功率元器件時的重要參數(shù)。如數(shù)值所示，SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢。另外，與其他新材料不同，它的一大特征是元器件制造所需的p型、n型控制范圍很廣，這點與Si相同?；谶@些優(yōu)勢，SiC作為
2018-11-29 14:43:52
改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
二極管，工藝上和設計上要求都是非常高的，不要以為CMOS能做好就一定能做好SBD哦，SBD界面特性如果不好的話，會產(chǎn)生一種叫做pinning effect(釘扎效應)，額外增加一個勢壘的。設計的結構上
2023-02-08 16:40:30
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
羅姆展出了采用溝道構造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓(以下稱導通電壓)較低。溝道型SBD的導通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 分析了SiC半導體材料的結構類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術及器件工藝技術， 簡要討論了SiC 器件的主要應用領域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:20
81 分段、機理解耦與參數(shù)解耦，突出器件開關特性，弱化物理機理，簡化瞬態(tài)過程分析，建立基于SiC MOSFET與SiC SBD的換流單元瞬態(tài)模型。理論計算結果與實驗結果對比表明，該模型能夠較為精細地體現(xiàn)SiC MOSFET開關瞬態(tài)波形且能夠較為準確地計算
2018-02-01 14:01:343 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 寬帶隙半導體是高效功率轉換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:23666 基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而，SiC功率MOSFET的性能仍遠未達到材料的全部潛力。
2022-11-02 15:04:281551 一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。
2023-02-08 13:43:17612 
下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-02-08 13:43:17404 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-08 13:43:18378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作為半導體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業(yè)績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18364 
繼前篇結束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關的內(nèi)容介紹。功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在包括車載在內(nèi)的各種應用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102938 
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-22 09:18:59140 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:11586 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
SiC SBD成功應用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊
2023-03-03 16:28:00457 
來源：國星光電官微 近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認證。這標志著國星光電第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產(chǎn)品
2023-03-20 19:16:30550 國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應復雜多變的車載應用環(huán)境，具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。
2023-03-22 10:56:52537 ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiCMOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構的中間
2023-06-19 16:39:467 我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
一、什么是SiC半導體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145 
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全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 額外的650和1200V SiC SBD型號滿足當今交通、可再生能源和工業(yè)系統(tǒng)的功率密度要求。 Bourns宣布，它在現(xiàn)有的碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)產(chǎn)品系列中增加了十種新的變體
2023-10-13 17:06:38866 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后
2023-10-25 18:28:10423 
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
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