在此應用中IGBT的總功率損耗包含導通損耗、導電損耗、關閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計，而如果使用了零電壓開關（ZVS）技術，可以大幅降低導通損耗。
2013-12-18 09:48:22
1931 穩壓器調整端增加簡單電路控制輸出電壓的 dV/dt ，限制啟動電流 ,有時，設計約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面
2011-04-12 19:30:243169 
快速的開關速度、高阻斷電壓和較低的 R on用于電壓轉換器的高壓 SiC MOSFET （》3 kV） 已經實現了新的應用，從而帶來了諸如擴大開關頻率水平、提高效率和降低損耗等優勢。但是在設計電壓
2022-07-26 08:03:01741 
了 IGBT 模塊損耗模型和結 溫預估算型準確性。該損耗模型及結溫估算的方法對于提高功率模塊可靠性及降低成本具有較大工程實際意義。
2023-03-06 15:02:511536 mos的的損耗我們談及最多的就是開通損耗和關斷損耗，今天以反激CCM模式的開通損耗和關斷損耗來把公式推導一番，希望能夠給各位有所啟發。
2024-01-20 17:08:06916 
的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
的耐固性，避免帶來因dv/dt的誤導通。缺點是電路中存在雜散電感在IGBT上產生大的電壓尖峰，使得柵極承受噪聲能力小，易產生寄生振蕩。 柵極電阻值大——充放電較慢，開關時間和開關損耗增大
2011-08-17 09:26:02
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結溫Tj，已成為大家普遍關注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關鍵。
2019-08-13 08:04:18
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。
2020-03-24 09:01:13
；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT一般半橋式電路中的IGBT尤其多用于電機控制應用。圖騰柱式布局創造出
2015-12-30 09:27:49
作為Rg，1/3部分作為Re。輔助Re 能夠降低由于功率換流回路雜散電感不對稱引起的動態電流不平衡。圖7為由輔助Re形成的一個負反饋機制開通過程，其中一個IGBT開關速度快，另一個則相對較慢，近而在雜散電感
2018-12-03 13:50:08
dv/dt限制，過小的柵極電阻可能會導致震蕩甚至造成IGBT或二極管的損壞。 柵極電阻的大小影響開關速度，即后邊介紹的開通關斷時間，進而影響IGBT的開關損耗，datasheet上驅動電阻對開關損耗
2021-02-23 16:33:11
是非常快的，可以達到幾十ns，一般情況下驅動推挽電路的上管開通速度越快，門極電阻越小，di/dt就會越大，因此尖峰也會越高。搞清楚機理后，大家就應該知道這個尖峰對IGBT是沒有什么影響的，只是內部寄生
2021-04-26 21:33:10
、低損耗、模塊化、復合化方向發展，與其他電力電子器件相比，IGBT模塊散熱器具有高可靠性、驅動簡單、保護容易、不用緩沖電路和開關頻率高等特點，為了達到這些高性能，采用了許多用于集成電路的工藝技術，如外延
2012-06-19 11:17:58
常見的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊，這些又分為不同電壓等級和電流大小，那么IGBT的開通時間和關斷時間是否相同，如果不相同，哪個時間更長一些？并且，在設計IGBT
2024-02-25 11:06:01
在600V±20%范圍內損耗可以認為為線性的”。 特性三：在一個50Hz的周期內，上管IGBT進行不斷的調制，每次開通的電壓為Vbus，下管一直處于截止狀態；流過IGBT的電流可以初步認為是一個正弦波
2023-02-24 16:47:34
，設計出具有過流保護功能的驅動電路，并進行了仿真研究。 2 IGBT的驅動要求和過流保護分析 1 IGBT的驅動 IGBT是電壓型控制器件，為了能使IGBT安全可靠地開通和關斷．其驅動電路必須滿足
2012-07-18 14:54:31
-uGS和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態電壓、開關、開關損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數有不同程度的影響。其中門極正電壓uGS的變化對IGBT的開通特性，負載短路能力和duGS/dt電流有較大
2012-09-09 12:22:07
功率MOSFET易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態電流大的優點、使用IGBT成為UPS功率設計的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發揮IGBT
2012-03-29 14:07:27
電機效率的影響因素降低電機損耗的關鍵制造技術
2021-01-26 07:49:16
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
正確的二極管外，設計人員還能夠通過調節柵極驅動導通源阻抗來控制Eon損耗。降低驅動源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI需要折中，因為較高的di/dt 會
2018-08-27 20:50:45
)電機驅動IGBT組合封裝在一起。相反地，軟恢復超快二極管，可與高頻SMPS2開關模式IGBT組合封裝在一起。除了選擇正確的二極管外，設計人員還能夠通過調節柵極驅動導通源阻抗來控制Eon損耗。降低驅動源
2021-06-16 09:21:55
IGBT組合封裝在一起。 除了選擇正確的二極管外，設計人員還能夠通過調節柵極驅動導通源阻抗來控制Eon損耗。降低驅動源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI
2020-06-28 15:16:35
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
損耗。降低驅動源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI需要折中，因為較高的di/dt 會導致電壓尖脈沖、輻射和傳導EMI增加。為選擇正確的柵極驅動阻抗以
2018-09-28 14:14:34
IGBT系列器件采用改進的門控制來降低開關損耗，具有非常高效的帶Field Stop技術的溝槽，TJmax等于175℃。獨立的發射器驅動引腳和采用TO-247-4封裝，可確保最小的Eon損耗。針對高速
2020-07-07 08:40:25
, 同時,開關速度不隨結溫變化。PT 型IGBT 的開關速度則隨溫度升高而降低。高頻工作時可以考慮選擇NPT型IGBT。 5 總結 文中介紹的損耗測量分析方法簡單而有效, 可以使設計者對IGBT
2018-10-12 17:07:13
QY-DT721電梯控制技術綜合實訓裝置是什么？QY-DT721電梯控制技術綜合實訓裝置的特點有哪些？
2021-09-26 06:07:05
是直流輸出電壓。在實際應用中，計算IGBT在類似PFC電路中的傳導損耗將更加復雜，因為每個開關周期都在不同的IC上進行。IGBT的VCE(sat)不能由一個阻抗表示，比較簡單直接的方法是將其表示為阻抗
2017-04-15 15:48:51
外，設計人員還能夠通過調節柵極驅動導通源阻抗來控制Eon損耗。降低驅動源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI需要折中，因為較高的di/dt 會導致電壓尖
2019-03-06 06:30:00
進入國家電網系統的企業，打破歐美等國家對我國在這一市場領域的技術壟斷，加快了國家智能電網“中國芯”國產化的步伐。IGBT器件作為電壓控制型器件，具有容量大、損耗小、易于控制等優點，可使換流器拓撲結構更加
2015-01-30 10:18:37
SiC-MOSFET的量產。SiC功率模塊已經采用了這種溝槽結構的MOSFET，使開關損耗在以往SiC功率模塊的基礎上進一步得以降低。右圖是基于技術規格書的規格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
SBD）* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復二極管（Si FRD）的IGBT相比，開通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04
過程中的開關損耗。開關損耗內容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關斷過程和和關斷損耗。功率MOSFET及驅動的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
，以防止受到干擾時誤開通和加快關斷速度，減小關斷損耗，幅值一般為-（5～10）V； （4）當IGBT處于負載短路或過流狀態時，能在IGBT允許時間內通過逐漸降低柵壓自動抑制故障電流，實現IGBT的軟
2011-08-18 09:32:08
)用低內阻的驅動源對門極電容充放電，以保證門及控制電壓uGS有足夠陡峭的前、后沿，使IGBT的開關損耗盡量小。另外，IGBT開通后，門極驅動源應提供足夠的功率，使IGBT不至退出飽和而損壞。(3)門極
2012-06-11 17:24:30
半導體以開關速度更快的方式進行控制，則開關損耗會降低，從而提高系統效率。另一方面，正是這種高開關速度會對電機絕緣等其他組件的使用壽命產生負面影響，并可能導致EMI問題。恒流驅動技術可以在有限的dv/dt
2023-02-21 16:36:47
波形表2 IGBT導通過程受FWD反向恢復過程特性的影響。一種可能性是，采用不同的外部柵極電阻控制導通過程。如表2所示，HL3的損耗比HE3約高出37%， IGBT dv/dt由FWD恢復速度決定
2018-12-06 10:05:40
MOSFET一樣，通過電壓信號就可以控制其開通和關斷動作。對于實際應用中備受關注的IGBT損耗（PTotal）問題，主要來自兩個方面：通態損耗（PCond）和開關損耗（PSW），如式1所示。IGBT背面
2015-12-24 18:13:54
如圖，經常看到IR系列的IC說明“抗du/dt干擾能力為50 V/ns”，這個概念是什么？還有在別的地方看到“較小的柵極電阻還使得IGBT開通di/dt變大”“波形中di/dt分量比較大”這些是什么概念。
2016-06-14 09:14:09
電磁感應加熱的原理是什么？有什么方法可以將電磁感應加熱應用的IGBT功率損耗降至最低嗎？
2021-05-10 06:41:13
可大幅降低開通損耗。在本例中，損耗由40mW降低至 23.2mW。盡管在開通過程中，dI/dt可降低IGBT的電壓，但在關斷過程中，它也可增大IGBT的關段電壓尖峰。因此，直流母線寄生電感的增加會增大
2018-12-10 10:07:35
的時間很短，因此可以降低開通損耗，同理，在IGBT關斷時，陡峭的下降沿可以縮短關斷時間，從而減小了關斷損耗，發熱量降低。但在實際使用中，過快的開通和關斷在大電感負載情況下反而是不利的。因為在這種情況下
2016-11-28 23:45:03
的時間很短，因此可以降低開通損耗，同理，在IGBT關斷時，陡峭的下降沿可以縮短關斷時間，從而減小了關斷損耗，發熱量降低。但在實際使用中，過快的開通和關斷在大電感負載情況下反而是不利的。因為在這種情況下
2016-10-15 22:47:06
開關電源的特點是會產生很強的電磁噪聲，如果不嚴格控制，會產生很大的干擾。 下面介紹的技術有助于降低開關電源的噪聲，并可用于高度敏感的模擬電路。1.電路和設備的選擇關鍵是將dv / dt和di
2022-05-25 10:40:40
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
減小硅鋼片的厚度，但薄鐵芯片會增加鐵芯片數目和電機制造成本。3、采用導磁性能良好的冷軋硅鋼片降低磁滯損耗。4、采用高性能鐵芯片絕緣涂層。5、熱處理及制造技術，鐵芯片加工后的剩余應力會嚴重影響電動機
2018-10-11 10:21:49
和MOSFET的關斷損耗差不多。MOSFET開關損耗與溫度關系不大，但IGBT每增加100度，損耗增加2倍。 開通損耗IGBT平均比MOSFET略小，而且二者都對溫度比較敏感，且呈正溫度
2009-05-12 20:44:23
、功率MOSFET和IGBT等）的應用技術中起著重要的作用。 晶閘管開通時，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯電感及其配件組成了開通緩沖
2019-05-24 09:03:50
時，這些能量將瞬時全部耗散在開關器件內，從而增加開關器件的開通損耗，而且du/dt很大，將產生嚴重的開關噪聲，這會影響開關器件驅動電路，使電路工作不穩定。但是由于其控制簡單，電路成熟，目前這種控制方式
2018-12-03 13:47:57
650V IGBT4，旨在提供更大的設計自由度。這款全新的IGBT4器件具備更好的關斷軟度，并且由于關斷電流變化率di/dt的降低，帶來了更低的關斷電壓尖峰。該器件專門設計用于中高電流應用。相對于
2018-12-07 10:16:11
高壓的二極管相串聯，但是，串聯的二極管引起通態壓降的增大，增加了損耗。而RB-IGBT是一種新型的IGBT，具有反向耐壓能力，相對于傳統串聯二極管的模式，減少器件的同時，還降低了通態壓降和損耗。兩種
2020-12-11 16:54:35
關于限制穩壓器啟動時dV/dt和電容的電路的詳細介紹
2021-04-12 06:21:56
效能。溝槽場截止降低IGBT靜態損耗 搭載這項技術的組件效能主要由晶格尺寸、芯片厚度及摻雜分布等設計參數控制。設計人員透過調整這些參數，便能讓組件在漂移區的高載子密度增加。此類組件提供低VCE(sat
2018-10-10 16:55:17
IGBT損耗計算和損耗模型研究：器件的損耗對系統設計堯器件參數及散熱器的選擇相當重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結構的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數學方法的IG
2009-06-20 08:33:53
96 Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:3210 對高頻的DC-DC轉換器,功率MOSFET是一個關鍵的器件.快速的開關可以降低開關LOSS, 但是在MOS漏級上dv/dt也變得越來越高.然而,高的dv/dt可能導致在沒有正常的門極觸發信號時MOS開通,這樣會
2009-11-28 11:25:284 Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對高頻的DC-DC轉換器,功率MOSFET是一個關鍵的器件.快速的開關可以降低開關LOSS, 但是在MOS漏級上dv/dt也變得越來越高.然而,高的dv/dt可能導致在
2009-11-28 11:26:1543 新型IGBT軟開關在應用中的損耗
本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。
2010-05-25 09:05:201169 
器件的損耗對系統設計堯器件參數及散熱器的選擇相當重要遙損耗模型主要分為兩大類院基于物理結構的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數學方法的IGBT損耗模型遙對近年來的各種研究
2011-09-01 16:38:4565
Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過打破硅“理論上”的限制
來將IGBT 開關損耗降低30%
2015-06-15 11:09:231029 Si827x數據表：具有高瞬態(dV-dt)抗擾度的4種放大器ISOdriver
2016-12-25 21:33:110 RG增加，將使IGBT的開通與關斷時間增加，因而使開通與關斷能耗均增加。而柵極電阻減小，則又使di/dt增大，可能引發IGBT誤導通，同時RG上的損耗也有所增加。
2017-05-16 09:05:375142 
在正常情況下IGBT的開通速度越快，損耗越小。但在開通過程中如有續流二極管的反向恢復電流和吸收電容的放電電流，則開通的越快，IGBT承受的峰值電流越大，越容易導致IGBT損壞。因此應該降低柵極驅動
2017-05-17 14:18:332996 
為精確計算光伏逆變器的IGBT損耗，指導系統熱設計，提出了一種IGBT損耗精確計算的實用方法。以可視化的T程計算T具MathCAD為載體，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆變器IGBT實際
2017-12-08 10:36:0264 由式(5)和式(6)可知，反饋電流IL值為正。IL不能直接加在柵極，以免對柵極電流造成沖擊，因此需要引入一個由Q5、Q6組成的鏡像電路，將流過Q6的電流鏡像到流過Q5的電路上反饋到柵極。這樣，實現了對IGBT開通時柵極電流的調控，IGBT開通時di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5012138 
IGBT作為具有開關速度快，導通損耗低的電壓控制型開關器件被廣泛應用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領域。現在IGBT的使用比較關注的是較低的導通壓降以及低的開關損耗。作為開關器件，研究它的開通和關斷過程當然是必不可少的，今天我們就來說說IGBT的開通過程。
2019-01-01 15:04:0048899 
,通態損耗最小,又可以限制短路電流。因此柵極驅動電壓Uge需要選擇一個合適的數值,以保證IGBT的可靠運行。柵極電壓增高時,有利于減小IGBT的開通損耗和導通損耗,但同時將使IGBT能承受的短路時間變短
2019-07-26 09:46:2516179 
柵極電路的正偏壓VGE、負偏壓-VGE和柵極電阻RG的大小，對IGBT的通態壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dV/dt電流等參數有不同程度的影響。
2020-06-18 08:00:0042 英飛凌電流源型驅動芯片，一種非常適合電機驅動方案的產品，將同時實現高效率和低EMI成為可能。它是基于英飛凌無核變壓器技術平臺的隔離式驅動芯片，能精準地實時控制開通時的dv/dt。下面我們來仔細看看它到底有什么與眾不同之處。
2020-07-07 17:20:072945 TRENCHSTOP IGBT7器件具有優異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過調整來達到特定于應用的最佳dv/dt和開關損耗。
2020-09-29 11:43:232051 由于 IGBT反并聯SiC 肖特基勢壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關損耗。
2021-02-23 10:23:021660 dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2022-03-29 17:53:223889 
首先，讓我們先來看一下SiC MOSFET開關暫態的幾個關鍵參數，圖片來源于Cree官網SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態的幾個關鍵參數包括：開通時間ton、開通延遲時間td(on)、開通電流上升率di/dton、開通電壓下降率dv/dton，電流上升時間tr
2022-04-27 15:10:216745 在電動機控制等部分應用中，放緩開關期間的dV/dt非常重要。速度過快會導致電動機上出現電壓峰值，從而損壞繞組絕緣層，進而縮短電動機壽命。
2022-12-19 09:38:491180 電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間，同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-01-16 11:23:371078 
IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。
2023-02-07 16:17:44703 
結溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態變量，能直接反映器件安全裕量、健康狀態及運行性能等。
2023-02-07 16:59:431573 
內置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞 ? SiC肖特基勢壘二極管（...
2023-02-08 13:43:19434 
MOSFET的失效機理本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2023-02-13 09:30:08829 
電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間，同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:01556 
di/dt水平過高是晶閘管故障的主要原因之一。發生這種情況時，施加到半導體器件上的應力會大大超過額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中，我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性，以及為什么在為您的應用選擇固態繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:572528 
? 三相逆變器為什么是六單元模塊？ 兩個IGBT模塊控制一相 （具體原理如下） 1 ） 柵極驅動電壓IGBT開通時， 正向柵極電壓的值應該足夠令IGBT產生完全飽和， 并使通態損耗減至最小， 同時
2023-02-22 14:29:220 一開始我們簡單介紹過IGBT的基本結構和工作原理，不同的行業對使用IGBT時，對于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個開關器件，開通和關斷的過程
2023-05-25 17:16:251262 
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257 
的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG
2022-05-19 16:36:44913 
該產品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強等特點。
2023-07-05 10:43:30192 
該產品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強等特點。
2023-07-05 10:45:53198 該產品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強等特點。
2023-07-05 15:13:22219 ①靜態dV/dt：會引起MOSFET柵極電壓變化，導致錯誤開通。在柵源間并聯電阻，可防止誤開通。
2023-07-14 14:39:26702 
IGBT元件的損耗總和分為：通態損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
IGBT開通過程發生的過流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導體器件，常用于電力電子領域。它具有開關速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優點，因此在各種電源、驅動、變換和控制系統中得到廣泛應用。 然而
2024-02-18 11:14:33309
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