傳統的 IGBT 在歷史上一直受到開關損耗的影響。為了高效運行，IGBT 需要像硅 FRD 一樣的續流二極管 （FRD），如圖 1 所示。隨著 Rohm Semiconductor 最近發布的一種
2022-07-29 08:07:33
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MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:231504 為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準確的功率損耗,基于數學模型及測試,建立了 一種準確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響 IGBT 開關損耗的參數( Eon
2023-03-06 15:02:511536 車載充電器 PD20W快充汽車一拖二點煙器車載USB擴展車充電源轉換器插頭 通用蘋果13/12華為小米手機平板
2023-03-28 13:03:50
IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用的參數，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得
2012-07-25 09:49:08
的耐固性，避免帶來因dv/dt的誤導通。缺點是電路中存在雜散電感在IGBT上產生大的電壓尖峰，使得柵極承受噪聲能力小，易產生寄生振蕩。 柵極電阻值大——充放電較慢，開關時間和開關損耗增大
2011-08-17 09:26:02
IGBT在半橋式電機控制中的使用IGBT的特性和功能在直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域有著廣泛的應用。IGBT，也就是絕緣柵雙極型晶體管，是由
2015-12-30 09:27:49
降低，故在開關電源（SMPS）中開始應用，對功率MOSFET構成一定威脅。 最近幾年，IGBT又進入消費類電子產品和家用電器，例如變頻空調（驅動模塊用6只15A～50A/600V的IGBT、熒光燈
2012-06-01 11:08:11
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結溫Tj，已成為大家普遍關注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關鍵。
2019-08-13 08:04:18
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。
2020-03-24 09:01:13
降低，但是存儲電荷的增強與耗散引發了開關損耗，延遲時間（存儲時間），以及在關斷時還會引發集電極拖尾電流就限制了 IGBT 的開關頻率。結合上文所述可以看出 Mosfet 開關損耗小，開關速度快，所以
2022-09-16 10:21:27
； 下邊這張圖，一目了然： 單個脈沖的開關損耗可由下邊公式算出，在雙脈沖試驗中，部分有積分功能的示波器可以測得單個脈沖的開關損耗。 規格書上給的開關損耗僅供參考，實際應用中的開關損耗強烈
2021-02-23 16:33:11
IGBT的工作溫度。同時，控制執行機構在發生異常時切斷IGBT的輸入，以保護其安全。 4 結束語 IGBT模塊開關具有損耗小、模塊結構便于組裝、開關轉換均勻等優點，已越來越多地應用在列車供電系統中
2012-06-01 11:04:33
開關損耗，使IGBT模塊 發熱增多，要配合進行過熱保護。Rg阻值的選擇原則是：在開關損耗不太大的情況下，盡可能選用較大的電阻，實際工作中按Rg=3000/Ic 選取。 吸收回路 除了上述減少c、e之間
2012-06-19 11:26:00
Tc的增加，這個可利用的電流值下降較快，有些IGBT品牌是按照Tc=25℃的電流值來標稱型號，這個需要特別注意。3、根據開關頻率選擇不同的IGBT系列 IGBT的損耗主要由通態損耗和開關損耗組成
2022-05-10 10:06:52
一個工頻周期內，IGBT在正負半周期均有開關，但是在電流為負的半個周期內，上管IGBT的流過的電流為0，因此開關損耗為0。 2）當針對上管IGBT模塊分析時：在一個工頻周期內僅有電流正半周期內，Don
2023-02-24 16:47:34
引言IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷
2021-09-09 09:02:46
，以降低人耳能夠聽見的噪聲。要想優化功率開關的低頻性能，首先是開關需具有低通態損耗，其次是低開關損耗。電機驅動器還必須穩健可靠，在保護電路激活前，能夠長時間耐受電壓電流突變。 因為是單極器件，無少數
2018-11-20 10:52:44
SiC-SBD，藍色是第二代，可確認VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開關損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進電源系統應用的效率提高與小型化前面已經介紹了
2018-12-04 10:26:52
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
車載充電器這部分電路詳細分析！各個元件怎樣工作！謝謝！！！
2016-04-19 20:05:10
其他開關器件。其中，MOSFET主要用于較低的電壓和功率系統，而IGBT更適合較高的電壓和功率應用。 IGBT是新能源汽車高壓系統的核心器件，其最核心應用為主驅逆變，此外還包括車載充電器 (OBC
2022-06-28 10:26:31
如圖片所示，為什么MOS管的開關損耗（開通和關斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
開關、鉗位感性電路中，MOSFET的關斷損耗比IGBT低得多，原因在于IGBT 的拖尾電流，這與清除圖1中PNP BJT的少數載流子有關。圖7顯示了集電極電流ICE和結溫Tj的函數Eoff，其曲線在
2018-08-27 20:50:45
針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS(零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路
2021-06-16 09:21:55
。 在實際應用中，計算IGBT在類似PFC電路中的傳導損耗將更加復雜，因為每個開關周期都在不同的IC上進行。IGBT的VCE(sat)不能由一個阻抗表示，比較簡單直接的方法是將其表示為阻抗RFCE
2020-06-28 15:16:35
電流；Vac是 PFC 電路RMS輸入電壓；Vout是直流輸出電壓。在實際應用中，計算IGBT在類似PFC電路中的傳導損耗將更加復雜，因為每個開關周期都在不同的IC上進行。IGBT的VCE(sat)不能
2018-09-28 14:14:34
OBc車載充電器 3Kw OBC 車載充電器 含原理圖、PCB圖、C源代碼、變壓器參數等生產資料。附贈15kwdcdc模塊資料1、這款產品的方案采用的是dsp2803x系列。2、原理圖和Pcb采用AD繪制。
2021-12-29 07:29:20
IGBT系列器件采用改進的門控制來降低開關損耗，具有非常高效的帶Field Stop技術的溝槽，TJmax等于175℃。獨立的發射器驅動引腳和采用TO-247-4封裝，可確保最小的Eon損耗。針對高速
2020-07-07 08:40:25
, 圖3 中IGBT 的t r、t f 均大于給定值, 但這并不意味著損耗的上升, 因為開關損耗還取決于開關過程中電壓電流的"重疊"程度, 而圖3中的"重迭"明顯
2018-10-12 17:07:13
時的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應的開關損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復二極管）的關斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
DHR、RGS00TS65DHR。晶體管具有更低的集射極飽和壓降、低開關損耗、短路耐受時間為8μs和內置非常快速且軟恢復FRD特點，符合汽車電子的AEC-Q101標準，且達到了無鉛標準和通過RoHS認證
2019-04-09 06:20:10
描述PMP40286 是一種雙端口車載充電器參考設計。此參考設計輸出到 5V 3A USB Type-C? 端口和 5V 2.4A USB Type-A 端口。USB Type-C 端口可向后兼容
2018-10-12 15:34:10
我用IGBT設計了D類功放，用的管子是FGH60N60SFD，開關頻率為300kHz，上網查資料發現IGBT的開關損耗為圖中公式，查找FGH60N60SFD文檔后計算開關損耗為300000*2.46/1000/3.14=235W，我想問一下，開關損耗真有這么大嗎，是設計的不合理還是我計算錯了？
2019-07-25 10:16:28
`車載充電器最重要的特性指標便是充電時間，充電時間的長短直接反應了車載充電器性能的好壞，并影響著用戶的使用體驗。接下來在普通乘用車上，對這款車充進行實地充電測試。本次測試選擇了兩種工況，分別為車輛
2018-08-24 16:53:34
，使用電流較小的IGBT和FRD；C）充電樁 智能充電樁中IGBT模塊被作為開關元件使用；2）智能電網IGBT廣泛應用于智能電網的發電端、輸電端、變電端及用電端：從發電端來看，風力發電、光伏發電中
2019-07-16 07:30:00
是直流輸出電壓。在實際應用中，計算IGBT在類似PFC電路中的傳導損耗將更加復雜，因為每個開關周期都在不同的IC上進行。IGBT的VCE(sat)不能由一個阻抗表示，比較簡單直接的方法是將其表示為阻抗
2017-04-15 15:48:51
的RMS電流式2中，Iacrms是PFC電路RMS輸入電流；Vac是 PFC 電路RMS輸入電壓；Vout是直流輸出電壓。在實際應用中，計算IGBT在類似PFC電路中的傳導損耗將更加復雜，因為每個開關周期
2019-03-06 06:30:00
電源需要降低功耗，因此對高效率開關器件的需求也在增長。這催生了對于PFC電路中低損耗開關器件和更高開關頻率的需求。東芝在其新款IGBT中引入了最新的工藝。優化的溝槽結構確保了行業領先的0.35mJ
2023-03-09 16:39:58
IGBT芯片技術進化圖31200V系列器件參數比對焊機領域開關頻率一般>=20KHz，為適應這一頻率要求，特別針對開關特性和飽和壓降進行折中優化，保證降低開關損耗的前提下導通壓降值不能有顯著增加。因
2014-08-13 09:01:33
總共可以降低77%。這是前面提到的第一個優勢。右圖是以PWM逆變器為例的損耗仿真，是開關頻率為5kHz和30kHz時開關損耗和傳導損耗的總體損耗。在與IGBT模塊的比較中，5kHz條件下總體損耗降低
2018-11-27 16:37:30
內置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
保持電源電壓VDD不變，當VGS電壓減小到0時，這個階段結束，VGS電壓的變化公式和模式1相同。在關斷過程中，t6~t7和t7~t8二個階段電流和電壓產生重疊交越區，因此產生開關損耗。關斷損耗可以用下面
2017-03-06 15:19:01
的開通過程中，跨越線性區是產生開關損耗的最根本的原因。這表明：米勒平臺時間在開通損耗中占主導地位，這也是為什么在選擇功率MOSFET的時候，如果關注開關損耗，那么就應該關注Crss或QGD，而不僅僅是
2017-02-24 15:05:54
基于AP3003的車載充電器該怎樣去設計？
2021-05-12 07:09:14
就功率半導體而言，高規格輔助電源發展中最有前途的方向之一與使用基于硅IGBT和SiC肖特基二極管的“混合”半導體開關有關。肖特基二極管的使用可以大幅降低二極管中功率損耗的頻率相關分量，減少IGBT中
2023-02-22 16:53:33
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明，在高負載范圍和低開關速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅動與傳統方法相比，導通損耗降低了26%。在電機驅動器等應用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
在本文中，我們將解釋針對不同的應用和工作條件仔細選擇IGBT變體如何提高整體系統效率。IGBT模塊中的損耗大致可分為兩類：傳導開關眾所周知，對于特定電壓下的任何給定過程，降低傳導損耗的努力將導致
2023-02-27 09:54:52
格電池開始新的一天。但是，由于屏幕尺寸與顯示器亮度等耗電元素的原因，現在電池很少能維持到我所需要的使用時長。解決這一問題的便捷方法是在往返路上給電話充電。車載 DC/DC 充電器不僅正在不斷普及，而且
2018-09-14 15:05:41
常見的車載充電器方案有哪些？
2021-05-19 07:05:45
格電池開始新的一天。但是，由于屏幕尺寸與顯示器亮度等耗電元素的原因，現在電池很少能維持到我所需要的使用時長。解決這一問題的便捷方法是在往返路上給電話充電。車載 DC/DC 充電器不僅正在不斷普及，而且
2018-09-18 11:31:41
了第二代600V的全新產品，該系列產品的ESD防護提升至2KV，開關損耗降低了30%，更加安全、耐用。電源管理類產品展柜前人潮涌動LED調光電源展示`
2016-03-17 10:42:05
摘 要：針對礦用永磁操動機構饋電開關智能控制器采用的鉛酸蓄電池在充電過程中存在充電過度、充電不足、電池過熱和充電速度慢等諸多問題，設計了一種以atmega16 單片機為核心的智能充電器。采用
2018-11-26 16:45:31
這一趨勢。在圖5中，IGBT的開通損耗、二極管反向恢復損耗和關斷損耗與三款IGBT的寄生直流母線雜散電感進行了對比。圖5圖5作為雜散電感Ls函數的開關損耗。通過提高雜散電感，可降低IGBT（左側
2018-12-10 10:07:35
持續的環境。為了實現這一改變，需要一個緊密聯系的充電基礎設施網絡。這些EV充電系統需要更高的開關頻率，以實現整個系統的高度緊湊性和更高的效率。除了電動汽車充電器領域，UPS系統還傾向于在更高的開關頻率下
2020-09-02 15:49:13
紋波大。 為了降低器件的開關損耗，可以采用圖5所示的軟開關電路。給MOSFET設計的關斷延時確保了IGBT的ZVS關斷。在電流上升模式中，MOSFET分擔了輸出濾波電流，其電壓應力為IGBT的一半
2012-11-29 14:29:17
紋波大。 為了降低器件的開關損耗，可以采用圖5所示的軟開關電路。給MOSFET設計的關斷延時確保了IGBT的ZVS關斷。在電流上升模式中，MOSFET分擔了輸出濾波電流，其電壓應力為IGBT的一半
2012-12-05 16:10:53
150 kW的電機驅動功率的輸出。阻斷電壓750V、低 VCEsat、低開關損耗、低QG和Cres、低電感設計，Tvjop = 150°C、短時間工作溫度Tvjop = 175°C。 P1、P2
2023-03-23 16:01:54
歡迎回到直流/直流轉換器數據表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統效率方面的內容，在本文中，我將討論直流/直流穩壓器部件的開關損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化
2018-08-30 15:47:38
打造了一個兼顧品質與性價比的完美方案，除支持雙向充電之外，還有助于實現很高的系統集成度。這使得該器件非常適合諸多快速開關汽車應用，如車載充電器（OBC）、功率因數校正（PFC）、DC-DC
2021-03-29 11:00:47
0.99，PFC電路中常用IGBT作為功率器件，應用IGBT的PFC整流器是有效率高、功率容量大、綠色環保的優點。 ③充電器 UPS的充電器常用的有反激式、BOOST升壓式和半橋式。大電流充電器中
2012-03-29 14:07:27
的功能。圖1：線性充電器圖圖2：開關充電器圖線性充電器開關充電器功耗大，充電電流大更高的效率和更低的功耗簡單設計；小解決方案尺寸更復雜的設計降低成本更多組件；本更高無電磁干擾（EMI）問題開關噪聲可能需要更多的布局考慮適用于對小電池或
2019-03-21 06:45:06
損耗的IGBT芯片，如根據高頻應用場合開關損耗占的比重大的特點開發出低關斷損耗高飽和壓降的IGBT芯片。圖5是英飛凌IGBT在焊機中應用的DN2,KS4和T4芯片的飽和壓降和開關損耗分布圖。圖中的縱軸
2018-12-03 13:47:57
是為密勒電容（CGD）充電。在米勒時刻期間，漏極電流在IOUT端是恒定的，而VDS從VIN開始下降。在這段時間內的功率損耗通過等式2表示：在等式3中加上總開關損耗的結果：注意，在圖1中，t2比第三個時段
2018-06-05 09:39:43
的功能。圖1：線性充電器圖圖2：開關充電器圖線性充電器開關充電器功耗大，充電電流大更高的效率和更低的功耗簡單設計；小解決方案尺寸更復雜的設計降低成本更多組件；本更高無電磁干擾（EMI）問題開關噪聲可能需要更多的布局考慮適用于對小電池或
2019-04-01 06:30:00
請問各位大神，空調的PFC電路的IGBT，帶FRD跟不帶FRD有什么區別？
2017-04-24 09:31:50
650V IGBT4的損耗增大引起的RMS模塊電流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的開關頻率范圍內（通用應用的典型范圍），其降幅為4%至 9%。圖4圖4 在600A EconoDUALTM 3 模塊中
2018-12-07 10:16:11
，相應地IGBT關斷時拖尾電流更短。更薄的晶片和因此而縮短的通道，帶來了三重效益——通態損耗降低大約40%；開關損耗未增加；生產成本比早期器件降低10%（圖1c）。這十年，IGBT制造商的重點一直是
2018-12-03 13:47:00
MOS門極功率開關元件的開關損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 新型IGBT軟開關在應用中的損耗
本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。
2010-05-25 09:05:201169 
英飛凌RC-D功率開關器件系列在單一芯片上融合了市場領先的英飛凌專有技術TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續流二極管，具有很低的開關損耗和傳導損耗，并且減小了永磁電機驅
2011-05-31 09:00:421610
Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過打破硅“理論上”的限制
來將IGBT 開關損耗降低30%
2015-06-15 11:09:231029 MOS門極功率開關元件的開關損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結果影響是值得注意的，比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實驗數據基礎上闡述了各寄生電感對IGBT開關損耗測量結果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）是適用于高壓應用的經濟高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源（SMPS）應用。
2019-08-16 17:31:582007 本文主要闡述了車載充電器的使用方法及使用注意事項，另外還介紹了車載充電器安裝方法。
2020-03-27 14:25:126722 本文首先介紹了車載充電器的作用，其次闡述了車載充電器的正負極，最后介紹了車載充電器的輸入電壓。
2020-03-27 14:37:4116780 本文首先闡述了車載充電器的危害，其次介紹了車載充電器的選購方法，最后介紹了車載充電器使用注意事項。
2020-03-27 14:53:385542 LT3585：輸入電流可調的閃光燈充電器和IGBT驅動器數據表
2021-04-14 17:20:234 大家好，這期我們再聊一下IGBT的開關損耗，我們都知道IGBT開關損耗產生的原因是開關暫態過程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會釋放功率，對外做功產生熱量。那為什么IGBT開關
2022-04-19 16:00:383402 全SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等電源開關器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關器件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發現有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
車載充電器充不進 車載電器充不進電原因： 1、車載充電器要是不兼容你的手機就充不進電。沒完全兼容，充電電流會小； 2、要是兼容，車載充電器質量太差，輸出電流太小，充電效果不明顯，會感覺
2023-02-14 15:54:451294 0 引言 絕緣柵型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由MOSFET和功率雙極型晶體管復合而成的一種器件。IGBT既具有MOSFET的高速開關
2023-02-22 15:19:511 是流控、而MOSFET是壓控。BJT導通損耗小，但開關損耗大；三個電極，分別是基極（B）、集電極（C）、發射極（E）MOSFET開關損耗小，但導通損耗大，三個電極，分別是柵極（G）、漏極（D）、源極（S）而IGB
2023-02-22 14:00:530 從某個外企的功率放大器的測試數據上獲得一個具體的感受：導通損耗60W開關損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子：可知，六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗和開關損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257 
車載充電器怎么使用 車載充電器的使用方法：1、準備車載充電器，車載充電器底部是正極，兩邊的觸點是負極； 2、將車載充電器底部直接插到點煙器里固定； 3、點煙器的LED指示燈亮起即可
2023-06-01 14:11:041222 IGBT模塊動態參數是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區時間、驅動功率等的重要依據，本文重點討論以下動態參數：模塊內部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數、柵極充電電荷、IGBT開關時間參數，結合IGBT模塊靜態參數可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
供應SGTP40V65FDR1P7650V、40Aups逆變器igbt，具有較低的導通損耗和開關損耗，該產品可應用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:31:303 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333 
速度、效率、損耗、應用范圍等方面有一些不同之處。 工作原理： 硬開關模式下，當IGBT開關從關斷狀態切換到導通狀態時，由于電流和電壓較大，會產生大量的開關損耗。而在軟開關模式下，IGBT在開關轉換過程中能夠在合適的時機通過控制電壓和電流的波形，來減少開關損耗。 開關速度： 硬開關
2023-12-21 17:59:32658 IGBT元件的損耗總和分為：通態損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
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