在這一小節中，我們詳細分析BJT的共基組態電路。在BJT的共基組態中，“輸入端口”和“輸出端口”共用BJT的基極端子（故稱為“共基”），形成一個雙端口網絡，如下圖所示：

圖 3-3.01?

無論是npn型還是pnp型，下式總是成立的，這是我們后面分析的基礎公式：

在后面的分析中，我們都將以npn型晶體管為例進行分析；pnp的分析方法其實是一樣的，只是電流方向相反而已。

在上面圖3-3.01的雙端口網絡中，我們有四個參數要研究（VBE, IE, VCB , IC），理論上講，必須固定其中一組電壓與電流，才能對剩下的一組電壓和電流畫伏安特性曲線。但是由于BJT有一個端子被輸入輸出端口共用，所以實際上只有2個自變量。我們以下圖舉例：

圖 3-3.02?

上圖中，只有VEE和VCC是自變量，IE和IC都是應變量。比如，我們只要固定了VCC，就可以通過變化VEE，來研究IE-VEE之間的伏安關系。換句話說，某個端口的電流完全由輸入和輸出兩個端口的電壓來控制（這種控制就是BJT的基本作用）。此時，IC的值也完全由VEE和VCC決定，我們在研究IE-VEE伏安關系時，可以不關心IC的值。

再比如，我們也可以調整VEE使IE為固定值，然后通過變化VCC，來研究IC-VCC之間的伏安關系，如下圖所示：

圖 3-3.03?

此時，我們調整VEE的主要目的是為了使IE固定，VEE完全可由IE確定，我們在研究IC-VCC伏安關系時，可以不關心VEE的值。

1.?? 輸入特性

共基組態型電路的輸入特性（input characteristics）是指：在一定的輸出電壓VCB下，輸入電壓和輸入電流之間的關系（即：VBE-IE伏安關系）。

共基組態電路的輸入特性伏安特性圖如下圖所示：

圖 3-3.04?

從上圖中我們可以看到，VBE-IE的伏安曲線與二極管特性曲線很相似。而且可以看到，不同的集電結偏置電壓VCB對于輸入特性的影響非常小，幾乎可以忽略。甚至我們可以將它像二極管一樣作分段近似，如下圖所示：

圖 3-3.05?

上圖可以理解為：當BJT在“導通”狀態時，不管射極電流IE如何變化，VBE的值固定在0.7V左右，因此IE的大小實際由電路的其他部分控制。這個結論不只在共基組態成立，在BJT的其他組態中也是成立的。

2.?? 輸出特性

共基組態型電路的輸出特性（output characteristics）是指：在一定的輸入電流IE下，輸出電流與輸出電壓的關系（即：VCB-IC伏安關系）。

共基組態電路的輸出特性伏安特性圖如下圖所示：

圖 3-3.06?

上圖中我們可以看到，輸出伏安特性曲線圖分為3個區域，分別是：放大區、截止區、飽和區，下面我們分別進行詳細描述：

（1） 放大區

放大區（active region）是圖中綠色部分，占據曲線圖的大部分面積。當共基組態電路的：發射結正偏、集電結反偏時（就是我們前面分析過的最常用的偏置組合），伏安曲線就處于放大區。

對于放大區范圍內的伏安特性曲線，我們可以看出以下2個特性：

① 在放大區范圍內伏安曲線看上去幾乎水平，這說明VCB對集電極電流IC幾乎沒有什么影響。

② 對于每一個特定發射極電流IE，集電極電流IC幾乎就等于IE，即：IE ≈ IC

（2） 截止區

截止區（cutoff region）是圖中紅色區域部分。當共基組態電路的：集電結反偏、發射結偏置電壓為0或反偏時，發射極電流IE≤0， 伏安曲線就處于截止區。

其偏置情況用下圖進行說明：

圖 3-3.07?

當發射結偏置電壓為0（即：發射結開路）時，如上左圖所示，IE=0。當發射結反偏時，如上右圖所示，此時發射結中只有微弱的反偏漏電流通過，IE<0。在這兩種情況下，發射區都不再會有自由電子注入集電極，因此，集電極電流IC僅由集電結反偏電壓VCB產生，數值為極其微小（納安級）的反向漏電流ICBO，可近似認為是0。 只要不擊穿，VCB的變化對ICBO幾乎無影響。

因此，在IE≤0的區域，集電極電流IC都是一條數值為 0的水平直線。

（3） 飽和區

飽和區（saturation region）是圖中橙色部分。至于為什么叫作“飽和“，等我們后面講完放大器的交流分析后，你就明白飽和是什么意思了，這里暫且不表。當共基組態電路的：發射結正偏，集電結也正偏（VCB<0）時，伏安曲線就處于飽和區。

其偏置情況用下圖進行說明：

圖 3-3.08?

上面左圖中，集電結外加的正偏電壓較小，這個集電結偏置電壓會產生一個偏置電場，疊加在原來集電結耗盡層自身的內置電場上（圖中未畫出），這個偏置電場會對發射極運動過來的自由電子產生一個阻力，使發射極沖到集電極的自由電子數量減少，在伏安曲線上表現出來就是：隨著集電結正偏電壓增大（即VCB<0的部分），IC迅速減小。

當集電結正偏電壓大到一定程度時時，如上面右圖所示，此時已經沒有自由電子能突破這個阻力來到集電極了，發射極偏置不能再產生集電極電流IC了。此時，集電結就像一個普通二極管那樣，產生正偏電流（這個電流同原來定義的IC方向相反，故為負），在伏安曲線圖上表現出來就是：當VCB<-0.7V時，IC<0，并且在負方向上急速增大。

3.?? 參數α

參數α（阿爾法）只能由共基組態電路來定義，我們將圖3-2.05重畫于下：

圖 3-3.09?

在上圖中，我們定義直流參數αdc為：“IC中的多子電流分量”與IE的比值。用公式表示即為：

再定義交流參數αac為：當VCB不變時，“集電極電流微小相對變化”與“發射極電流的相應微小變化”的比值（注意到當VCB不變時，ICBO不變，故ΔIC多子=ΔIC總）。用公式表示即為：

交流參數αac通常稱為共基放大系數（common-base amplification factor）。大多數情況下，直流參數和交流參數的大小非常接近，可以相互通用。對于實際器件，一般α的典型值在0.9～0.998之間。目前我們暫時還用不到參數α，這里只是順帶了解一下，到下一章講BJT的交流分析時，將會看到參數α的用處。

4.?? 擊穿區域

在前面圖3-3.06的輸出特性伏安曲線圖上， VCB不能無限制增大，當VCB超過某一閾值后，集電極電流IC會急速增長。就像普通二極管的反向擊穿一樣，集電結的反偏電壓如果太大，也會發生反向擊穿。如下圖所示：

圖 3-3.10?

在圖中我們可以看到，由于在不同的IE條件下，擊穿電壓值略有不同，所以我們選取IE=0（即：發射結開路）條件下的集電結反向擊穿電壓值作為參數，記作V(BR)CBO，“O”的意思是指發射結開路（open）。