概念
模擬電路設(shè)計的意義:
根據(jù)需求,設(shè)計依靠數(shù)字電路無法完成的電路, 該電路只能用于處理模擬信號。
模擬信號:
自然界存在的所有信號都是模擬信號,其特點就是連續(xù)。
模擬信號的專業(yè)解釋是用連續(xù)變化的物理量表示的信息,其信號的幅度或頻率或相位隨時間作連續(xù)變化,或在一段連續(xù)的時間間隔內(nèi),其代表信息的特征量可以在任意瞬間呈現(xiàn)為任意數(shù)值的信號(后面這種又叫做抽樣信號)。 通常我們說的模擬信號就是時間連續(xù),幅值也連續(xù)的信號。
模擬電路的實現(xiàn):
模擬電路的設(shè)計三部曲就是:根據(jù)電路需要完成的功能,來選擇器件、選擇電路結(jié)構(gòu)、選擇器件參數(shù)。 器件的選擇也是十分有講究的,通常在實現(xiàn)電路之前,會根據(jù)模塊的大小以及系統(tǒng)應(yīng)用等方面來決定采用何種工藝,再去選擇對應(yīng)工藝中的各種高低壓、有源無源器件。
器件
器件的分類:
主要可以分為有源器件和無源器件。
有源器件與無源器件:
從名字上就可以看出兩種器件的區(qū)別,有源器件就是除輸入信號外,其還需要外加電源才能工作的器件; 無源器件就是只需要輸入信號就能正常工作的器件。
有源器件主要有:雙極型晶體管,場效應(yīng)管,PN結(jié);
(這里主要講了典型的元器件,沒有全部羅列哦)
有源器件能對信號進行放大,而無源器件不行; 但有源器件的工作條件需要無源器件來產(chǎn)生。
通常有源器件是非線性元件,而無源器件是線性元件,但有源器件在特定偏置條件下可作線性元件使用。
那么下面大家考慮一下,二極管既不能放大,又和無源器件一樣是兩端器件,為什么是有源器件呢?
無源器件:
無源器件主要有電阻、電容和電感
電阻:R=V/I,電阻的一個重要作用就是進行電壓和電流之間的轉(zhuǎn)換,其電阻值的計算公式為:R=ρ*L/(W*d),其中ρ為電阻率,d為電阻厚度,這兩者在選定設(shè)計工藝以及材料后,就不能改變了,因此作為設(shè)計者來說,只有電阻的長L以及寬W能更改,因此電阻值計算公式還可以寫為R=Rs*N,其中Rs為方塊電阻(定值),Rs=ρ/d,N為方塊數(shù) (可調(diào)整),N=L/W。
電容:I=C*dV/dt,電容電壓不能突變,這也是電容最重要的特性,依據(jù)該特性,電容能作濾波、延時、振蕩等器件; 由于電容兩端變化的電壓能產(chǎn)生電流,因此電容還具有“通交流,隔直流”的作用。 電容容值的計算公式為:C=ε0*εox*W*L/tox,其中ε0為真空介電常數(shù),εox為介質(zhì)介電常數(shù),tox為介質(zhì)層厚度,這三者在選定工藝及材料后,也是不能改變的,因此設(shè)計者也只能改變電容的長L和寬W來改變電容C的大小了。
電感:V=L*dI/dt,電感電流不能突變,電感和電容都是重要的儲能器件,其作用也和電容相似,如濾波、延時、振蕩等; 變化的電流在電感上會產(chǎn)生變化的磁場來阻礙電流的通過,靜態(tài)電流在電感上只能產(chǎn)生恒定磁場而不具備阻礙能力,因此電感具有“通直流,阻交流”的作用。 電感的計算公式為:L=L0*N^2*S/L(該L為電感長度),其中L0位電感系數(shù),與材料有關(guān),N為線圈匝數(shù),S為線圈截面積。 由于線圈面積較大,通常不用于集成設(shè)計。
有源器件:
有源器件主要有PN結(jié)、雙極型晶體管和場效應(yīng)管。
PN結(jié):
PN結(jié)是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體上構(gòu)成的。
PN結(jié)的一個重要特征就是存在空間電荷區(qū),這是因為PN結(jié)交界面上的載流子濃度差會造成載流子的擴散現(xiàn)象,即P區(qū)的空穴向N區(qū)擴散,N區(qū)的電子向P區(qū)擴散,從而在P區(qū)留下了固定不動的負(fù)電荷,N區(qū)留下了固定不動的正電荷,這就是空間電荷區(qū)。 空間電荷區(qū)會產(chǎn)生內(nèi)建電場,使PN結(jié)內(nèi)部的可移動電荷產(chǎn)生漂移電流,該電流與因濃度擴散產(chǎn)生的擴散電流相抵消,擴散與漂移互相限制,從而使PN結(jié)保持穩(wěn)態(tài)。
在給PN結(jié)兩端加上偏置電壓后,PN結(jié)產(chǎn)生電流,其公式為IPN=Is0*[exp(VPN/VT)-1],其中Is0為反向飽和電流,VPN為PN結(jié)兩端的壓差,VT為熱電壓(VT=26mV@T=300K)。由公式或IV特性曲線可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)PN結(jié)反偏,即VPN為負(fù)電壓時,流過PN結(jié)的電流為反向飽和電流Is0,且電流較小;當(dāng)PN結(jié)正偏,即VPN為正電壓時,流過PN結(jié)的電流隨VPN程指數(shù)上升,此時電流公式可近似為IPN=Is0*exp(VPN/VT),由此也能得到我們較常用的一個變換式VPN=VTln(IPN/Is0)。
PN結(jié)產(chǎn)生示意圖
PN結(jié)IV轉(zhuǎn)移特性
對設(shè)計者來說,在工藝和材料固定后,我們只能去選擇采用不同面積的二極管。需要知道的是,PN結(jié)面積越大,反向飽和電流Is0越大,但Is0的大小并不受反偏電壓的影響,因此當(dāng)工藝、材料、面積以及溫度都選定后,我們可以得到一個相對可靠的VPN絕對值。
PN結(jié)在直流下的作用大家都不陌生,由于其具有方向性,因此可起到隔離的作用;由于其反偏到雪崩時,能做到電壓幾乎不變,因此也能起到穩(wěn)壓、鉗位的作用,由于存在正向?qū)▔航担虼诉€能起到電平移位的作用。
PN結(jié)在交流下的作用,則需要通過其IV特性曲線來發(fā)現(xiàn)。在正向?qū)üぷ鲿r,二極管的交流阻抗遠小于直流阻抗,因此可產(chǎn)生低阻高頻極點或交流短路;二極管耗盡區(qū)寬度隨外加電壓變化的特點還能產(chǎn)生結(jié)電容變?nèi)菪?yīng)。
雙極型晶體管(BJT):兩個PN結(jié)背靠背疊放在一起,就形成了雙極型晶體管,也叫三極管,其三端分別為發(fā)射極、基極和集電極,可分為NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)。三極管具有放大作用,但需要工作在特定的工作條件下,即發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,此時電子(或空穴)從發(fā)射區(qū)發(fā)射,被集電區(qū)收集。
三極管共有4種工作狀態(tài),即截止區(qū),飽和區(qū),線性放大區(qū)及擊穿區(qū)。當(dāng)三極管發(fā)射結(jié)正偏電壓小于該PN結(jié)開啟電壓,即基區(qū)電流IB=0時,三極管工作在截止區(qū),此時三極管沒有電流流過;當(dāng)三極管發(fā)射結(jié)正偏電壓大于該PN結(jié)開啟電壓,但集電結(jié)也正偏時,流過三極管的電流IC完全受制于VCE電壓,三極管工作于飽和區(qū);當(dāng)三極管發(fā)射結(jié)正偏電壓大于該PN結(jié)開啟電壓,且集電結(jié)反偏時,流過三極管的電流開始與VCE電壓無關(guān),三極管工作在線性放大區(qū);由于集電結(jié)工作在反偏狀態(tài),由PN結(jié)的IV轉(zhuǎn)移特性可知,其存在反向擊穿電壓,因此當(dāng)集電結(jié)反偏電壓過大時,三極管擊穿。
三極管的結(jié)構(gòu)、符號與封裝示意圖
三極管IV轉(zhuǎn)移特性
三極管工作在放大區(qū)的工作原理如下(以NPN管為例):發(fā)射結(jié)正偏,根據(jù)PN結(jié)的工作原理,當(dāng)PN結(jié)正向偏置且偏置電壓大于PN結(jié)開啟電壓,就會有大量電子由N區(qū)擴散至P區(qū),即從發(fā)射區(qū)擴散至基區(qū);極電結(jié)反偏時,產(chǎn)生的由N區(qū)指向P區(qū)的強大電場,會將P區(qū)的電子掃至N區(qū),即基區(qū)的電子會被掃至集電區(qū);為保證從發(fā)射區(qū)發(fā)射出的電子能更多地被極電區(qū)收集,則需要把基區(qū)寬度盡量做窄,以避免電子在P型基區(qū)中被復(fù)合掉。
由上述原理可以發(fā)現(xiàn)三處電流,即發(fā)射區(qū)到基區(qū)的擴散電流IE,基區(qū)的復(fù)合電流IB與基區(qū)到集電區(qū)的漂移電流IC,且IE=IB+IC,三極管的放大倍數(shù)β=IC/IB。當(dāng)三極管的基區(qū)厚度及三極管的材料、參雜選定后,通常三極管的放大倍數(shù)β為定值,當(dāng)然前提條件是發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。因此對設(shè)計者來說,工藝和材料定下之后,只剩下選擇不同面積的權(quán)力了。
場效應(yīng)管:對模擬電路設(shè)計來說,最熟悉以及最重要的應(yīng)該就是MOS管了,其全稱是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),是依靠電場去控制載流子運動的器件。由于太重要,所以我打算下一篇再說。
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