本帖最后由 張飛電子學院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 編輯
GBT 工作原理及應用絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的保護引言絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管
2021-03-17 11:59:25
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導...
2022-02-16 06:48:11
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-03-27 06:20:04
一種載流子參與導電，則稱為單極性晶體管，如MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）、SBD（肖特基二極管）等。若電子和空穴都參與了導電，則稱為雙極性晶體管，如BJT（雙極結型晶體管）、IGBT等
2023-02-10 15:36:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 10:01:42
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 09:42 編輯
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP 晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有
2012-07-11 17:07:52
IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域.IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定
2021-09-09 08:27:25
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關
2021-09-09 07:16:43
IGBT的內部結構及特點：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
溫超過其結溫的允許值,IGBT 都可能會永久性損壞。絕緣柵極雙極型晶體管（IGBT）IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極
2018-10-18 10:53:03
模塊中用作首選的電子電源開關，原因如下。。..IGBT具有快速的開關速度。這最大限度地減少了開關損耗，并允許高開關頻率，有利于電機諧波和降噪。IGBT是整流器嗎？與標準BJT（雙極結型晶體管
2023-02-02 17:05:34
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件
2021-09-09 08:29:41
雙極型晶體管工作原理
2012-08-20 08:53:35
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
列出使用VBE的測試方法。VBE測定法 硅晶體管的情況下 基極-發射極間電壓：VBE根據溫度變化。圖1. 熱電阻測量電路由此，通過測定VBE，可以推測結溫。通過圖1的測定電路，對晶體管輸入封裝功率：PC
2019-04-09 21:27:24
場效應晶體管，英語名稱為Field Effect Transistor，簡稱為場效應管，是一種通過對輸入回路電場效應的控制來控制輸出回路電流的器件。可分為結型和絕緣柵型、增強型和耗盡型、N溝道和P溝道
2016-06-29 18:04:43
與漏極間流過電流，而IGBT是從P型的集電極向N型的發射極流過電流，也就是與雙極晶體管相同。因此，具有MOSFET的柵極相關的參數，以及雙極晶體管的集電極-發射極相關的參數。基本工作特性比較這三種晶體管
2018-11-28 14:29:28
創建通道來導通。另外，柵極通過源極及漏極與氧化膜被絕緣，因此不會流過 “導通”意義上的電流。但是，需要被稱為“Qg”的電荷。 關于MOSFET，將再次詳細介紹。 IGBT為雙極晶體管與MOSFET
2020-06-09 07:34:33
之間）和發射結（B、E極之間），發射結與集電結之間為基區。 根據結構不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
—Ic*Rc；對于硅材料組成的雙極型晶體管來講，PN結的正向導通電壓為0.7V，因此一般在工程中認為：當基極注入的電流，讓晶體管的Ic與Rc的積滿足下列公式時（Vce-Ic*Rc）-Vb≦0V（注意
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區（發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
列出使用VBE的測試方法。VBE測定法 硅晶體管的情況下 基極-發射極間電壓：VBE根據溫度變化。圖1. 熱電阻測量電路由此，通過測定VBE，可以推測結溫。通過圖1的測定電路，對晶體管輸入封裝功率：PC
2019-05-09 23:12:18
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
絕緣柵雙級晶體管IGBT
2012-08-20 09:46:02
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導體結構分析略。本講義附加了相關資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙極晶體管基礎IGBT結構及工作原理IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率
2009-05-24 16:43:05
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發展1947年的圣誕前某一天，貝爾實驗室中，布拉頓平穩地用刀片在三角形金箔上劃了一道細痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導線，隨即準確地壓進鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經濟高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源(SMPS)應用。開關頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21
電極-發射極電流與幾乎零柵流驅動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術和傳統雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分紅耗盡型與加強型。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有加強型的。場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和加強型；P溝耗盡型和加強型四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31
場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。▲ MOSFET種類與電路符號有的MOSFET內部會有個二極管，這是
2022-04-01 11:10:45
Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。 IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路
2020-07-19 07:33:42
晶體管是現代電子產品的基本組成部分之一。在二極管教程中，我們看到簡單的二極管由兩塊半導體材料組成，形成一個簡單的pn結。而晶體管是通過背靠背連接兩個二極管而形成的三端固態器件。因此，它有兩個PN結
2023-02-15 18:13:01
多的空穴，n側或負極有過量的電子。為什么存在pn結？以及它是如何工作的？什么是p-n結二極管？I. PN 結基本型1.1 PN半導體N型半導體在硅晶體（或鍺晶體）中摻雜了少量的雜質磷元素（或銻元素），由于
2023-02-08 15:24:58
PNP雙極型晶體管的設計
2012-08-20 08:29:56
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-3 15:11 編輯
ROHM 2Sx雙極結型晶體管（BJT）設計用于工業和消費類應用。 這些BJT有PNP和NPN兩種極性。 2Sx
2019-06-03 14:41:13
羅姆(ROHM)是半導體和電子零部件領域的著名生產商，其近期推出了TO-247N封裝的RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
`引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率
2019-07-18 14:14:01
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結型晶體管 雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結結
2010-08-13 11:36:51
（肖特基二極管）等。若電子和空穴都參與了導電，則稱為雙極性晶體管，如BJT（雙極結型晶體管）、IGBT等。兩者相對比，雙極性晶體管由于同時有電子和空穴參與導電，所以其關斷速度相比單極性晶體管來說更慢。具體
2019-06-28 11:10:16
源電流IDSS是指結型或耗盡型絕緣柵場效應晶體管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。（2）夾斷電壓夾斷電壓UP是指結型或耗盡型絕緣柵場效應晶體管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道
2019-04-04 10:59:27
類型。
雙極結型晶體管(BJT)
雙極結型晶體管是由基極、集電極和發射極 3 個區域組成的晶體管。雙極結型晶體管（與 FET 晶體管不同）是電流控制器件。進入晶體管基極區的小電流會導致從發射極流向集電極
2023-08-02 12:26:53
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率
2023-02-10 15:33:01
`什么是IGBT?什么是IGBT模塊？什么是IGBT模塊散熱器？IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
類型。3.2 晶體管的種類及其特點》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點：電壓高，電流大，開關特性好，驅動功率高，但驅動電路復雜;GTR和普通雙極結型
2023-02-03 09:36:05
本文將重點討論使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩定電流源。穩定電流源(BJT)目標本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產生穩定（對輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
的使用中也是必不可少的。我們知道場效應晶體管的種類很多，根據結構不同分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管;絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管. 1、如何防止絕緣柵型場效應管
2016-01-26 10:19:09
的規則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56
MOSFET 和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT )是三種常用的功率器件，它們的特點如表 9 .2 所列。 表 9.2 三種常用的 功率器件的比較名 稱 特 點 雙極型功率晶體管(BJT ) 輸入阻抗低
2021-05-13 07:44:08
控制，功耗小，體積小，成本低。 單極型晶體管分類 根據材料的不同可分為結型場效應管JFET（JunctionFieldEffectTransistor）和絕緣柵型場效應管IGFET（InsulatedGateFET）。
2020-06-24 16:00:16
“步”。有兩種類型的步進電機，單極型和雙極型晶體管，而且知道你正在使用哪種類型是非常重要的。每種電機，都有一個不同的電路。示例代碼將控制兩種電機。看看單極性和雙極性電機的原理圖，和關于如何連接你的電...
2021-07-08 09:14:42
晶閘管)、MGT(MOS控制晶體管)、MCT(MOS控制晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管)的發展過程，器件的更新促進了電力電子變換技術的不斷發展。
2020-03-25 09:01:25
的種類很多，根據結構不同分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管；絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管。1、如何防止絕緣柵型場效應管擊穿由于絕緣柵場效應管的輸入阻抗非常高，這本
2018-03-17 14:19:05
，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。一、場效應管的分類 場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全
2011-12-19 16:30:31
的種類很多，根據結構不同分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管；絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管．1、如何防止絕緣柵型場效應管擊穿由于絕緣柵場效應管的輸入阻抗非常高，這本
2019-06-18 04:21:57
運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場效應晶體管有哪幾種分類場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
先焊源極后焊柵極。3、絕緣柵場效應晶體管由于輸出電阻極高，故不能在開路形態下保管。即無論管子運用與否，都應將三個電極短路或用鋁(錫)箔包好，不要用手指觸摸以避免感應電勢將柵極擊穿。結型場效應晶體管可以
2019-03-22 11:43:43
載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
`二極管、三極管是沿襲原來電子管的叫法,由半導體晶體制成的管子具有三極管的功能的叫半導體晶體三極管,簡稱為半導體管或者晶體管. 在晶體管中靠兩種載流子形成電流的叫雙極型晶體管, 另有一種僅靠一種
2012-07-11 11:42:48
材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。 場效應晶體管可分為結
2009-04-25 15:38:10
。對于NPN，它是灌電流。 達林頓晶體管開關 這涉及使用多個開關晶體管，因為有時單個雙極晶體管的直流增益太低而無法切換負載電壓或電流。在配置中，一個小輸入雙極結型晶體管（BJT）晶體管參與打開和關閉
2023-02-20 16:35:09
IGBT-1200A型測試儀可以測試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國內電子市場上，魚目混珠的產品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應用呢？如何去實現絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設計呢？
2022-01-14 07:02:41
IGBT的英文全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor，譯為絕緣柵雙極型晶體管。IGBT是由場效應管和大功率雙極型三極管構成的，IGBT將場效應管的開關速度快、高頻
2023-02-03 17:01:43
障礙!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管。其特性，輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性。IGBT管IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應晶體管，是MOS管
2019-05-02 22:43:32
絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為 MOSFET,輸出極為 PNP 晶體管,因此,可以把其看作是 MOS 輸入的達林頓管。它融和了這兩種器件的優點
2021-03-19 15:22:33
常用場效應管及晶體管參數常用場效應管及晶體管參數場效應管的主要參數 (1)直流參數 飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。前者是本次討論的重點。 雙極結型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型：NPN和PNP。這些名稱是指構成組件的P型（正極）和N型（負極）半導體材料
2023-02-17 18:07:22
到底什么是 IGBT？ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極 型晶體管，是由晶體三極管和 MOS 管組成的復合型半導體器 件。IGBT 作為
2021-02-24 10:33:18
的種類很多，根據結構不同分爲結型場效應晶體管和絕緣柵型場效應晶體管;絕緣柵型場效應晶體管又稱爲金屬氧化物導體場效應晶體管，或簡稱MOS場效應晶體管.一、如何防止絕緣柵型場效應晶管擊穿由于絕緣柵
2019-03-21 16:48:50
。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJ T(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓
2019-06-27 09:00:00
進行學習，有了基礎知識，再結合實際產品進行對照，基本上可以掌握電機控制器或者逆變器的工作原理，進而就可以科學匹配設計。下面對絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)及應用進行討論，供初級工程技術人員參考。一
2018-11-01 11:04:57
的種類繁多，根據結構不同分為結型場效晶體應管和絕緣柵型場效應晶體管；絕緣柵型場效應晶體管又稱為金屬氧化物導體場效應晶體管，或簡稱MOS場效應晶體管。1、防止絕緣柵型場效晶體應管擊穿由于絕緣柵場效應管
2019-03-26 11:53:04
柵雙極晶體管（IGBT）實現此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優點，包括更低的開關損耗、更佳的壓擺率控制和改進的器件保護。
2020-10-27 06:43:42
長期回收富士IGBT 回收富士IGBT模塊 快速上門 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管
2021-10-28 19:46:46
都很高，同時芯片邊緣由于晶格損傷和應力會引起較大的漏電流，所以普通IGBT不具備反向阻斷能力（一般只有40V左右）。 逆阻型絕緣柵雙極型晶體管（ＲB-IGBT）是一種新型的IGBT器件，它是將
2020-12-11 16:54:35
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2023-01-13 14:07:08
絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎知識絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復合，結合二者的優點1986年投
2009-04-14 22:13:39
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絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001282 
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
2009-12-10 14:24:311299 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是什么意思
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2010-03-05 11:42:028933 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的資料大全
絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體
2010-03-05 11:46:077456 如何去識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？ IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導體器件，結合了雙極型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）的特點。IGBT通常用于高電壓和高電流應用，例如工業
2024-01-12 11:18:10350
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