、Eoff 和 Erec ) 進(jìn) 行準(zhǔn)確測(cè)量,建立了一種通用的功率器件導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗模型。在考慮 IGBT 芯片間熱偶合影響基礎(chǔ)上 提出了一種結(jié)溫估算數(shù)學(xué)模型。搭建三相電感結(jié)溫測(cè)試平臺(tái),通過結(jié)溫試驗(yàn)驗(yàn)證
2023-03-06 15:02:51
1536 PWM控制型IGBT工作在斬波模式，使得IGBT本身自帶干擾源屬性，自擾與互擾系統(tǒng)中的其他設(shè)備。
2023-09-08 15:22:26526 
IGBT的結(jié)溫不能超過125℃，不宜長期工作在較高溫度下，因此要采取恰當(dāng)?shù)纳岽胧┻M(jìn)行過熱保護(hù)。 散熱一般是采用散熱器（包括普通散熱器與熱管散熱器），并可進(jìn)行強(qiáng)迫風(fēng)冷。散熱器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)滿足：Tj
2011-08-17 09:46:21
一種載流子參與導(dǎo)電，則稱為單極性晶體管，如MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、SBD（肖特基二極管）等。若電子和空穴都參與了導(dǎo)電，則稱為雙極性晶體管，如BJT（雙極結(jié)型晶體管）、IGBT等
2023-02-10 15:36:04
對(duì)PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結(jié)溫的關(guān)系也非常密切；在結(jié)溫和增益提高的情況下，P基區(qū)的電阻率會(huì)升高，破壞了整體特性。因此，器件制造商必須注意將集電極最大電流值與閂鎖電流之間保持
2012-07-09 14:14:57
在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT；多的這個(gè)P層因內(nèi)有載流子，有電導(dǎo)調(diào)制作用，可以使IGBT在跟...
2021-09-09 08:05:31
）時(shí)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：如原系統(tǒng)功率模塊使用 IGBT，現(xiàn)考慮用 Mosfet 功率模塊替換，原系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)需注意的事項(xiàng)如下：1.適當(dāng)減小柵極電阻，以減小開關(guān)損耗，以維持相近的溫升，同時(shí)可進(jìn)一步降低誤導(dǎo)通的可能性
2022-09-16 10:21:27
MOSFET一旦turn-on，這個(gè)Vbe一定很容易就大于0.7V了，所以這個(gè)BJT的Vbe就導(dǎo)通了，此時(shí)BJT管就導(dǎo)通進(jìn)入放大區(qū)了(發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏)。IGBT里面有一個(gè)天然寄生的NPNP晶閘管，這個(gè)
2023-02-08 16:50:03
集電極、發(fā)射極擊穿或造成柵極、發(fā)射極擊穿。IGBT保護(hù)方法當(dāng)過流情況出現(xiàn)時(shí)，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)內(nèi)。IGBT承受短路的時(shí)間與電源電壓、柵極驅(qū)動(dòng)電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
平衡。如果較高電流通過一個(gè)并聯(lián)支路或不均勻冷卻導(dǎo)致運(yùn)行結(jié)溫偏高，其VCEsat 就會(huì)相應(yīng)升高，并將電流轉(zhuǎn)移至其它飽和電壓較低的支路，以實(shí)現(xiàn)自我保護(hù)。因此，PTC特性有利于實(shí)現(xiàn)IGBT并聯(lián)的均流。 圖2
2018-12-03 13:50:08
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
至關(guān)重要。除了軟度，IGBT的開關(guān)速度還取決于結(jié)溫。提高結(jié)溫意味著增大IGBT的軟度。不過，必須給出器件在低溫條件下（如25 °C）的適當(dāng)特性。圖4顯示了在Tvjop=25 °C條件下1200V/150A
2018-12-07 10:23:42
通常流過IGBT的電流較大，開關(guān)頻率較高，故器件的損耗較大。若熱量不能及時(shí)散掉，器件的結(jié)溫將會(huì)超過最大值125℃ ，IGBT就可能損壞。因此需采用有效的散熱措施對(duì)其進(jìn)行過熱保護(hù)。 散熱一般是采用
2012-06-01 11:04:33
)P系列IGBT的VCE(SAT)與溫度成正比，易于并聯(lián)。 (3)開關(guān)損耗的溫度系數(shù)比PT-IGBT小，當(dāng)結(jié)溫升高時(shí)，其開關(guān)損耗比PT-IGBT增加的少，因此P系列模塊更適合高頻應(yīng)用。 (4
2012-06-19 11:17:58
及使用原則 一、散熱器選擇的基本原則 1， 散熱器選擇的基本依據(jù) IGBT散熱器選擇要綜合根據(jù)器件的耗散功率、器件結(jié)殼熱阻、接觸熱阻以及冷卻介質(zhì)溫度來考慮。 2， 器件與散熱器緊固力的要求 要使
2012-06-20 14:33:52
是IGBT模塊控制的平均電流與電源電壓的 乘積。由于IGBT模塊散熱器是大功率半導(dǎo)體器件，損耗功率使其發(fā)熱較多，加之IGBT模塊散熱器的結(jié)溫不能超過125℃，不宜長期工作在較高溫度下，因此要采取恰當(dāng)
2012-06-19 11:26:00
在實(shí)際工作過程中通過測(cè)量模塊的殼溫及功率，得到實(shí)時(shí)工作過程中的結(jié)溫變化，并將鍵合引線的損傷作為總體損傷的一部分及時(shí)反饋到系統(tǒng)中，從而增加IGBT模塊的壽命預(yù)測(cè)精度。
2020-12-10 15:06:03
3.1 設(shè)備簡(jiǎn)述 IGBT高壓反偏試驗(yàn)是在一定溫度條件（125℃）下，按照規(guī)定的時(shí)間和電壓，對(duì)IGBT施加反偏電壓，從而對(duì)器件進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和耐久性評(píng)估的一種主要試驗(yàn)方法。EN-320測(cè)試系統(tǒng)是專為
2018-08-29 21:20:11
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)
2021-09-09 07:16:43
;——IGBT 集電極與發(fā)射極之間的電壓;——流過IGBT 集電極－發(fā)射極的電流;——IGBT 的結(jié)溫。如果IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動(dòng)電壓過低,則IGBT 不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極
2018-10-18 10:53:03
開啟IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？關(guān)斷IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？
2021-10-14 09:09:20
這里以單個(gè)IGBT管為例（內(nèi)含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關(guān)閉狀態(tài)下，避免
2012-04-18 16:15:53
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個(gè)1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進(jìn)行開關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路
2017-10-10 17:16:20
誰能仔細(xì)闡述一下igbt是什么嗎？
2019-08-22 15:20:53
需謹(jǐn)慎在比較額定值為600V的器件時(shí)，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測(cè)，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行的。例如
2019-03-06 06:30:00
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 10:07 編輯
一、概述 IGBT熱循環(huán)負(fù)載實(shí)驗(yàn)臺(tái)是對(duì)平板型IGBT進(jìn)行熱循環(huán)負(fù)載試驗(yàn)的一套系統(tǒng)，是用耐久性實(shí)驗(yàn)確認(rèn)IGBT內(nèi)部的鍵合或是內(nèi)部
2018-06-19 20:20:56
一種過溫保護(hù)電路的設(shè)計(jì)摘要：本文提出一種過溫保護(hù)電路。由于在功率管工作過程中，比較容易耐高的反向電壓，導(dǎo)致結(jié)溫上升：而半導(dǎo)體器件的自然散熱一般不足以保護(hù)器件本身，所以我們需要設(shè)計(jì)過溫保護(hù)電路來防止
2009-12-02 17:05:49
雙極結(jié)型晶體管（BJT）是放大或切換電子信號(hào)和電力的常用設(shè)備。 當(dāng)BJT在集電極和發(fā)射極之間傳導(dǎo)電流時(shí)，BJT將消耗功率。那么，應(yīng)該如何估算BJT額定功率(Power Rating)？功率額定值
2018-08-26 23:03:52
我想咨詢一下，HMC608LC4芯片,該芯片的額定結(jié)溫Tj（junction temperature）是多少？即該芯片所能承受的最大結(jié)溫是多少？ 其數(shù)據(jù)手冊(cè)沒有給出。請(qǐng)問如下圖的Channel Temperature是否就是該芯片的結(jié)溫？
2023-11-20 07:48:54
：IKW30N60H3；IKW15N120H3Infineon 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 前往了解特性：一流的開關(guān)性能：可實(shí)現(xiàn)低于500μJ的總開關(guān)損耗最高結(jié)溫：175°C包裝類型：PG-TO247-3
2019-06-10 09:23:54
普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應(yīng)用能量轉(zhuǎn)換給可見光子，其余的則產(chǎn)生熱量。 如果產(chǎn)生的這些熱量不能從 LED 充分散去，將會(huì)導(dǎo)致過熱，并可能造成災(zāi)難性故障。 即使不出現(xiàn)災(zāi)難性故障，LED 結(jié)溫升高也會(huì)造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預(yù)期壽命顯著縮短。
2019-08-12 07:57:16
結(jié)溫相對(duì)時(shí)間的變化，在計(jì)算機(jī)界面上用連續(xù)曲線繪制，同時(shí)繪制粘接在玻殼上一熱電偶的參考點(diǎn)溫度和環(huán)境溫度曲線。從上圖中我們看到燈泡點(diǎn)亮后(第一時(shí)段)燈泡內(nèi)LED結(jié)溫逐步升高，到達(dá)平穩(wěn)時(shí)溫度讀數(shù)為122
2018-03-19 09:14:39
。2傳導(dǎo)損耗需謹(jǐn)慎在比較額定值為600V的器件時(shí)，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測(cè)，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行
2018-08-27 20:50:45
的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測(cè)，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行的。例如，F(xiàn)GP20N6S2 SMPS2 IGBT 和 FCP11N60 SuperFET均
2021-06-16 09:21:55
損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測(cè)，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行的。例如，F(xiàn)GP20N6S2 SMPS2 IGBT
2018-09-28 14:14:34
傳感器應(yīng)運(yùn)而生。所謂集成溫敏傳感器就是將PN結(jié)溫敏傳感器與運(yùn)放連同外圍元件集成在一塊芯片上，然后封裝而成。 圖2為使用集成溫敏傳感器LM334將溫度轉(zhuǎn)換成頻率的轉(zhuǎn)換電路(便于計(jì)算機(jī)識(shí)別處理)。LM334
2021-05-21 07:30:05
，如圖3所示。由于RC-IGBT電流的增加，M至N點(diǎn)之間的電勢(shì)進(jìn)一步降低，致使該處的 P-emitter/N-buffer 結(jié)逐漸正偏，這樣就有更多的空穴注入N-drift區(qū)，電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)增強(qiáng)，從而
2019-09-26 13:57:29
ad8346汽車級(jí)最高工作環(huán)境溫度是125度，最高結(jié)溫是多少攝氏度？
2023-12-05 07:44:20
周圍環(huán)境的電阻共同形成一個(gè)梯形網(wǎng)絡(luò)。這種模型假設(shè)1）電路板為垂直安裝，2）無強(qiáng)制對(duì)流或輻射制冷，所有熱流均出現(xiàn)在電路板的銅中，3）在電路板兩側(cè)幾乎沒有溫差。圖 2 熱流電氣等效簡(jiǎn)化了溫升估算圖 3 所示為
2017-05-18 16:56:10
。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測(cè)，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行的。例如，F(xiàn)GP20N6S2 SMPS2 IGBT 和 FCP11N60 SuperFET均具有1℃/W的RθJC值
2017-04-15 15:48:51
的區(qū)別請(qǐng)參考：PT，NPT，F(xiàn)S型IGBT的區(qū)別）。技能：低導(dǎo)通壓降，125℃工作結(jié)溫（600V器件為150℃），開關(guān)性能優(yōu)化得益于場(chǎng)截止以及溝槽型元胞，IGBT3的通態(tài)壓降更低，典型的Vce(sat
2021-05-26 10:19:23
的結(jié)溫可靠性，硅管一般是150℃，只要結(jié)溫不超過該值，三極管一般來說是正常使用的，而器件資料里面的PD其實(shí)也是根據(jù)結(jié)溫計(jì)算出來的PD＝(TJ－TA)/RJATJ即結(jié)溫，TA即環(huán)境溫度，RJA即結(jié)到環(huán)境
2013-05-27 23:00:26
Fullpack和TO247）和芯片面積。最終給出了一組完整的公式，來計(jì)算結(jié)溫。利用本文的結(jié)果，設(shè)計(jì)工程師將能夠準(zhǔn)確而輕松地計(jì)算器件的真實(shí)結(jié)溫。導(dǎo)言對(duì)于電子器件原型的評(píng)估通常包括對(duì)功率晶體管和二極管最大結(jié)溫
2018-12-05 09:45:16
溫度是汽車發(fā)光二極管(LED)前照燈和尾燈應(yīng)用中的一大問題。LED可承受高環(huán)境溫度，同時(shí)在大電流下驅(qū)動(dòng)以產(chǎn)生必要的亮度。這些高環(huán)境溫度與大工作電流相結(jié)合，會(huì)使LED的結(jié)溫升高，通常僅額定溫度就高達(dá)
2019-03-01 09:52:39
了IGBT的VCESat，其原因在于Trench柵下方可以形成一個(gè)載流子積累層，提高了近表面的載流子濃度，同時(shí)也消除了平面柵固有的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field Effect
2015-12-24 18:23:36
請(qǐng)問怎么確定可控硅的結(jié)溫？？？超過結(jié)溫時(shí)會(huì)有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)特別是家電市場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高。 為滿足市場(chǎng)需求，意法半導(dǎo)體針對(duì)不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET。 本文在實(shí)際
2018-11-20 10:52:44
的功率耗散也不同，各自要求單獨(dú)計(jì)算。此外，每個(gè)裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣測(cè)量?jī)蓚€(gè)元件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計(jì)算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。 圖1： 貼裝在
2018-09-30 16:05:03
模塊輸出電流能力會(huì)約束整個(gè)逆變器的功率密度，最大結(jié)溫是IGBT開關(guān)運(yùn)行的限制因素，本文介紹了PrimePACKTM封裝將IGBT工作結(jié)溫提高到150℃，并給出了在苛刻條件下逆變器性能和電流利用率的情況
2018-12-03 13:56:42
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
我如何計(jì)算VIPER37HD / LD的結(jié)溫 以及頻率（60k，115k hz）如何影響結(jié)溫？
2019-08-05 10:50:11
的結(jié)溫不能超過125℃，不宜長期工作在較高溫度下，因此要采 取恰當(dāng)?shù)纳岽胧┻M(jìn)行過熱保護(hù)。散熱一般是采用散熱器（包括普通散熱器與熱管散熱器），并可進(jìn)行強(qiáng)迫風(fēng)冷。散熱器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)滿足：Tj=P
2011-10-28 15:21:54
通過電流和電壓探頭以及標(biāo)準(zhǔn)的示波器進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄和獲得。在逆變器運(yùn)行過程中，芯片的結(jié)溫很少通過實(shí)驗(yàn)方法確定。熱處理通常是供應(yīng)商提供典型值或最差值（如IGBT模塊和冷卻板的熱阻）與仿真產(chǎn)生的損耗情況結(jié)合在一
2018-12-07 10:19:13
大家好， 我對(duì)M95256-WMN3TP /ABE2PROM的最高結(jié)溫感興趣。 3級(jí)器件的最高環(huán)境工作溫度為125°C，因此結(jié)溫必須更高。數(shù)據(jù)手冊(cè)中沒有提到最大結(jié)溫。 我還在尋找SO-8封裝中M95256-W的結(jié)至環(huán)境熱阻。 最好的祝福， 托馬斯
2019-08-13 11:08:08
摘要相對(duì)于第二代NPT芯片技術(shù)，最新的3.3kV IGBT3系列包含兩款優(yōu)化開關(guān)特性的L3和E3芯片，其在開關(guān)軟度和關(guān)斷損耗之間實(shí)現(xiàn)折衷，以適應(yīng)不同的應(yīng)用。最大工作結(jié)溫可升高至150℃，以便提升輸出
2018-12-06 10:05:40
各位大神，請(qǐng)問整流二極管的結(jié)溫對(duì)性能影響大嗎？另外規(guī)格書的結(jié)溫范圍一般都是-55~150℃，但是實(shí)際測(cè)的實(shí)在170℃，這樣正常嗎？在同一條件下。
2016-05-26 09:06:39
隨著功率電子和半導(dǎo)體技術(shù)的快速進(jìn)步，各類電力電子應(yīng)用都開始要求用專門、專業(yè)的半導(dǎo)體開關(guān)器件，以實(shí)現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通（NPT） IGBT相比，場(chǎng)截止（FS） IGBT進(jìn)一步降低
2018-09-30 16:10:52
上表現(xiàn)為過溫。3、IGBT過溫，計(jì)算壽命，與焊點(diǎn)、材料的熱膨脹系數(shù)等有關(guān)。4、求助上面幾個(gè)失效模式的分析，也可以大家討論一下，共同進(jìn)步
2012-12-19 20:00:59
例如IGBT機(jī)械可靠性特性也需要額外的關(guān)注1） 功率循環(huán)通常逆變器設(shè)計(jì)，主要考慮IGBT Tjmax（最高結(jié)溫）的限制，但在混合動(dòng)力車應(yīng)用中，逆變器較少處于恒定工況，加速、巡航、減速都會(huì)帶來電流、電壓的改變
2018-12-06 09:48:38
測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法
2021-03-17 07:00:20
我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。一種估算熱插拔MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。本文中，我們把圖1 所示模型的瞬態(tài)響應(yīng)
2013-09-12 15:51:10
真的需要一些幫助。這個(gè)功率估算有什么問題嗎？如何在不降低工作頻率的情況下降低功耗？我已經(jīng)在船上測(cè)試了這個(gè)項(xiàng)目。它運(yùn)作良好。但是，我擔(dān)心它會(huì)因?yàn)槲依^續(xù)這樣做而崩潰。非常感謝！
2020-06-19 09:23:48
IGBT是什么？IGBT是由哪些部分組成的？IGBT有哪些特征？IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域是什么？
2021-06-18 08:01:12
Fullpack和TO247）和芯片面積。最終給出了一組完整的公式，來計(jì)算結(jié)溫。利用本文的結(jié)果，設(shè)計(jì)工程師將能夠準(zhǔn)確而輕松地計(jì)算器件的真實(shí)結(jié)溫。關(guān)鍵詞：塑封料溫度測(cè)量結(jié)溫計(jì)算方法[中圖分類號(hào)] ？？[文獻(xiàn)
2018-12-03 13:46:13
芯片在開關(guān)損耗和軟特性上得到進(jìn)一步優(yōu)化。另外它的最高允許工作結(jié)溫達(dá)到了150℃, 比前幾代的IGBT提高了25℃，這使得模塊的功率密度可以做得更高。眾所周知，功率半導(dǎo)體的總損耗主要是由通態(tài)損耗
2018-12-03 13:47:57
。 此外，閂鎖電流對(duì)PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結(jié)溫的關(guān)系也非常密切;在結(jié)溫和增益提高的情況下，P基區(qū)的電阻率會(huì)升高，破壞了整體特性。因此，器件制造商必須注意將集電極最大電流值與閂
2012-03-23 11:13:52
。 背景通常，芯片的結(jié)溫(Junction Temperature)（Tj）每上升10℃，器件的壽命就會(huì)大約減為一半，故障率也會(huì)大約增大２倍。Si 半導(dǎo)體在Tj 超過了175℃時(shí)就有可能損壞。由此，使用時(shí)
2019-09-20 09:05:08
上一個(gè)輸錯(cuò)了型號(hào)，AD8436BRQZ 的datasheet里沒有最大結(jié)溫
2023-12-05 06:37:12
請(qǐng)問OP37S和AD574S這兩個(gè)宇航級(jí)型號(hào)的結(jié)溫（Junction Temperature）最大范圍是多少？
2018-09-07 10:42:57
請(qǐng)問OP37S和AD574S這兩個(gè)宇航級(jí)型號(hào)的結(jié)溫（Junction Temperature）最大范圍是多少？
2023-11-21 08:17:33
=111.83℃/W ；計(jì)算方式2： θJA=42℃/wTJ=Ta+θJA*PD=26℃+0.826w*42℃/w=60.7℃。兩者相差太大，方式2中結(jié)溫60.7℃小于方式1中表面溫度73℃，這個(gè)就很難理解
2019-03-25 10:54:06
稱為冷結(jié)。為了得出測(cè)量結(jié)的溫度(TMJ)，用戶必須知道熱電偶所產(chǎn)生的差分電壓。用戶還必須知道基準(zhǔn)結(jié)溫(TRJ)所產(chǎn)生的誤差電壓。補(bǔ)償基準(zhǔn)結(jié)溫誤差電壓一般稱為冷結(jié)補(bǔ)償。為使輸出電壓精確地代表熱結(jié)電子裝置
2018-10-15 14:39:30
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
），到現(xiàn)在的超結(jié)IGBT（SJ-IGBT），新結(jié)構(gòu)層出不窮，并且正在向功率器件集成化和智能功率模塊方向發(fā)展。今天我們來聊一聊一種具有雙向阻斷能力的，逆阻型IGBT（RB-IGBT）。 ” 1、逆阻
2020-12-11 16:54:35
不同，兩個(gè)裸片的功率耗散也不同，各自要求單獨(dú)計(jì)算。此外，每個(gè)裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣量測(cè)兩個(gè)組件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計(jì)算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。 功率計(jì)算
2018-10-08 14:45:41
轉(zhuǎn)換為光，其余的則產(chǎn)生熱量。由于 P-N 結(jié)較小，單位面積的生熱率就大：一個(gè) 1 W、1 mm2 的 LED 可產(chǎn)生高達(dá) 100 W/cm2 的熱量。 隨著結(jié)溫升高，LED 的正向電壓和流明輸出
2017-04-10 14:03:41
），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結(jié)溫可高達(dá)1
2023-01-10 11:29:08
），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結(jié)溫可高達(dá)1
2023-01-10 11:33:54
概述了自IGBT 發(fā)明以來其主要結(jié)構(gòu)和相應(yīng)性能的改進(jìn)，包括芯片集電結(jié)附近（下層）結(jié)構(gòu)的改進(jìn)（透明集電區(qū)），耐壓層附近（中層）結(jié)構(gòu)的改進(jìn)（NPT，F(xiàn)S/ SPT 等）和近表層（上層
2010-10-13 15:53:57
0 IGBT結(jié)溫估算（算法+模型），多年實(shí)際應(yīng)用，準(zhǔn)確度良好 能夠同時(shí)對(duì)IGBT內(nèi)部6個(gè)三極管和6個(gè)二極管溫度進(jìn)行估計(jì)，并輸出其中最熱的管子對(duì)應(yīng)溫度。 可用于溫度保護(hù)，降額，提高
2023-02-23 09:45:057 IGBT結(jié)溫估算
2023-02-23 09:23:148 IGBT結(jié)溫估算模型。
2023-02-24 10:48:425 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和絕緣
2023-05-20 15:19:12583 
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257 
前邊介紹了IGBT/Diode損耗的計(jì)算，那么得到了損耗之后，如何轉(zhuǎn)化為溫升呢？
2023-05-26 11:24:31860 
車用IGBT器件技術(shù)概述
2023-08-08 10:00:312 什么叫SOC？為什么要進(jìn)行SOC估算？SOC估算的難點(diǎn) SOC全稱為State of Charge，是指電池的充放電狀態(tài)。SOC估算是指對(duì)電池容量的估算，可以通過對(duì)電池充放電過程中的電壓和電流信號(hào)
2023-10-26 11:38:301503
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論