【導讀】與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。 這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。 為了知道每個芯片的溫度
2023-02-24 17:05:24
685 為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準確的功率損耗,基于數學模型及測試,建立了 一種準確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響 IGBT 開關損耗的參數( Eon
2023-03-06 15:02:511536 IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。
2023-07-07 16:11:303816 
在不同工作頻率下的損耗進行了理論計算、PLECS仿真和試驗驗證對比分析。PLECS仿真和試驗驗證的結果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀的體現了SiC和IGBT兩類模塊在不同開關頻率下工作的熱損耗趨勢。從文中可以看出，使用SiC替 代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
2023-12-14 09:37:05472 
及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT 和驅動器損壞。以下總結了一些關于IGBT驅動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。 IGBT 的開關特性主要取決于
2012-07-25 09:49:08
損耗最佳值約為-8～10V。柵極參數對電路的影響 IGBT內部的續流二極管的開關特性也受柵極電阻的影響，并也會限制我們選取柵極阻抗的最小值。IGBT的導通開關速度實質上只能與所用續流二極管反向恢 復
2011-08-17 09:26:02
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結溫Tj，已成為大家普遍關注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關鍵。
2019-08-13 08:04:18
=P△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm 式中Tj－IGBT的工作結溫 P△－損耗功率 Rjc－結－殼熱阻vkZ電子資料網 Rcs－殼－散熱器熱阻 Rsa－散熱器－環境熱阻 Tjm－IGBT
2011-08-17 09:46:21
一種載流子參與導電，則稱為單極性晶體管，如MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）、SBD（肖特基二極管）等。若電子和空穴都參與了導電，則稱為雙極性晶體管，如BJT（雙極結型晶體管）、IGBT等
2023-02-10 15:36:04
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。
2020-03-24 09:01:13
，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低
2012-07-09 14:14:57
）時設計注意事項：如原系統功率模塊使用 IGBT，現考慮用 Mosfet 功率模塊替換，原系統的驅動設計需注意的事項如下：1.適當減小柵極電阻，以減小開關損耗，以維持相近的溫升，同時可進一步降低誤導通的可能性
2022-09-16 10:21:27
集電極、發射極擊穿或造成柵極、發射極擊穿。IGBT保護方法當過流情況出現時，IGBT必須維持在短路安全工作區內。IGBT承受短路的時間與電源電壓、柵極驅動電壓以及結溫有密切關系。為了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
終止IGBT芯片的飽和電壓VCEsat都隨著結溫升高而增加，呈現正溫度系數特性。圖2為300A溝槽場終止芯片在15V柵極電壓條件下不同結溫時的飽和電壓特性。這表明并聯IGBT的靜態均流可動態地自我調節
2018-12-03 13:50:08
dv/dt限制，過小的柵極電阻可能會導致震蕩甚至造成IGBT或二極管的損壞。 柵極電阻的大小影響開關速度，即后邊介紹的開通關斷時間，進而影響IGBT的開關損耗，datasheet上驅動電阻對開關損耗
2021-02-23 16:33:11
至關重要。除了軟度，IGBT的開關速度還取決于結溫。提高結溫意味著增大IGBT的軟度。不過，必須給出器件在低溫條件下（如25 °C）的適當特性。圖4顯示了在Tvjop=25 °C條件下1200V/150A
2018-12-07 10:23:42
，開關損耗增大，原件發熱加劇。因此，根據額定損耗，開關損耗所產生的熱量，控制器件結溫（Tj）在 150oC以下（通常為安全起見，以125oC以下為宜），請使用這時的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關
2021-08-31 16:56:48
通常流過IGBT的電流較大，開關頻率較高，故器件的損耗較大。若熱量不能及時散掉，器件的結溫將會超過最大值125℃ ，IGBT就可能損壞。因此需采用有效的散熱措施對其進行過熱保護。 散熱一般是采用
2012-06-01 11:04:33
特性相匹配的過電壓、過電流、過熱等保護電路。 4.4散熱設計 取決于IGBT模塊所允許的最高結溫(Tj),在該溫度下，首先要計算出器件產生的損耗，該損耗使結溫升至允許值以下來選擇散熱片。在散熱
2012-06-19 11:17:58
詳細閱讀模塊參數數據表，了解模塊的各項技術指標;根據模塊各項技術參數確定使用方案，計算通態損耗和開關損耗，選擇相匹配的散熱器及驅動電路。 (二) IGBT模塊散熱器的使用 1.防止靜電 IGBT
2012-06-19 11:20:34
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點？IGBT模塊有哪些應用呢？
2021-11-02 07:39:10
是IGBT模塊控制的平均電流與電源電壓的 乘積。由于IGBT模塊散熱器是大功率半導體器件，損耗功率使其發熱較多，加之IGBT模塊散熱器的結溫不能超過125℃，不宜長期工作在較高溫度下，因此要采取恰當
2012-06-19 11:26:00
等設計比較好，就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。2、IGBT電流的選擇 半導體器件具有溫度敏感性，因此，IGBT模塊標稱電流與溫度的關系比較大。隨著殼溫的上升，IGBT模塊可利用
2022-05-10 10:06:52
IGBT模塊進行高溫反偏試驗而進行設計,是IGBT出廠檢測的重要設備。該試驗系統可對相應的IGBT器件進行適配器匹配。測試標準符合MIL-STD-750，IEC60747。本設備采用計算機自動控制系統
2018-08-29 21:20:11
1、拓撲說明 基于逆變器的拓撲進行IGBT的損耗計算，如下為三相全橋結構帶N線的方式。調制方式為SPWM波形，針對IGBT2和DIODE2分析，輸出電流為正弦波形，輸出電壓為電網電壓。其中二
2023-02-24 16:47:34
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關
2021-09-09 07:16:43
;——IGBT 集電極與發射極之間的電壓;——流過IGBT 集電極－發射極的電流;——IGBT 的結溫。如果IGBT 柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT 不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極
2018-10-18 10:53:03
開啟IGBT時IGBT的電壓與電流有何關系？關斷IGBT時IGBT的電壓與電流有何關系？
2021-10-14 09:09:20
這里以單個IGBT管為例（內含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數字萬用表的“二極管”擋來測量PN結正向壓降進行判斷。檢測前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關閉狀態下，避免
2012-04-18 16:15:53
`我需要通過LC電路產生一個1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅動電路
2017-10-10 17:16:20
我要做個HCPL316J驅動IGBT的電路，我不懂那個門極電流的峰值怎么計算，還有門極電阻怎么取值！希望賜教！非常感謝！{:soso_e121:}
2012-03-26 10:52:38
想要igbt的相關資料
2023-09-13 19:57:26
誰能仔細闡述一下igbt是什么嗎？
2019-08-22 15:20:53
：IKW30N60H3；IKW15N120H3Infineon 其它相關產品請 點擊此處 前往了解特性：一流的開關性能：可實現低于500μJ的總開關損耗最高結溫：175°C包裝類型：PG-TO247-3
2019-06-10 09:23:54
。2傳導損耗需謹慎在比較額定值為600V的器件時，IGBT的傳導損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結溫下進行
2018-08-27 20:50:45
應用。同時，圖5中顯示了傳導損耗在CCM (連續電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線
2021-06-16 09:21:55
7顯示了集電極電流ICE和結溫Tj的函數Eoff，其曲線在大多數IGBT數據表中都有提供。這些曲線基于鉗位感性電路且測試電壓相同，并包含拖尾電流能量損耗。 圖2顯示了用于測量IGBTEoff的典型
2020-06-28 15:16:35
損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結溫下進行的。例如，FGP20N6S2 SMPS2 IGBT
2018-09-28 14:14:34
。通過優化的高速切換，可以提高門控和降低開關損耗。集成具有低正向電壓的軟式、快速共包續流二極管，可以節省電路板空間。 安森美半導體TO-247-4L IGBT的目標應用是太陽能逆變器、不間斷電源
2020-07-07 08:40:25
, 同時,開關速度不隨結溫變化。PT 型IGBT 的開關速度則隨溫度升高而降低。高頻工作時可以考慮選擇NPT型IGBT。 5 總結 文中介紹的損耗測量分析方法簡單而有效, 可以使設計者對IGBT
2018-10-12 17:07:13
圖中所示的窄通道，即Lgap所指區域。這樣就增加了電子電流流通路徑上的電阻，有效抑制了snapback現象，并且比傳統RC-IGBT具有更小的下降時間和關斷損耗。圖7 具有半超結的RC-IGBT圖7為
2019-09-26 13:57:29
時的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應的開關損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復二極管）的關斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
BJT的少數載流子有關。圖7顯示了集電極電流ICE和結溫Tj的函數Eoff，其曲線在大多數IGBT數據表中都有提供。 這些曲線基于鉗位感性電路且測試電壓相同，并包含拖尾電流能量損耗。圖2顯示了用于測量
2017-04-15 15:48:51
隨之上升，從而大幅增加器件的損耗與溫升。技能：低飽和壓降，正溫度系數，125℃工作結溫，高魯棒性正溫度系數，利于并聯。名號：DLC，KF2C，S4…等等，好像混進了什么奇怪的東西！沒寫錯！S4真的不是
2021-05-26 10:19:23
需謹慎在比較額定值為600V的器件時，IGBT的傳導損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結溫下進行的。例如
2019-03-06 06:30:00
Fullpack和TO247）和芯片面積。最終給出了一組完整的公式，來計算結溫。利用本文的結果，設計工程師將能夠準確而輕松地計算器件的真實結溫。導言對于電子器件原型的評估通常包括對功率晶體管和二極管最大結溫
2018-12-05 09:45:16
內置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
。 最后，與IGBT相比，功率MOSFET的通態損耗低，尤其是在低電流時更為顯著;關斷能耗低，但導通能耗較高。加快體硅二極管的反向恢復速度與所用技術工藝有關。 3 意法半導體的電機控制功率開關技術 為
2018-11-20 10:52:44
的功率耗散也不同，各自要求單獨計算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣測量兩個元件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計算平均結溫及峰值結溫。 圖1： 貼裝在
2018-09-30 16:05:03
Q1。如何計算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關負載。開關頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
我如何計算VIPER37HD / LD的結溫 以及頻率（60k，115k hz）如何影響結溫？
2019-08-05 10:50:11
就功率半導體而言，高規格輔助電源發展中最有前途的方向之一與使用基于硅IGBT和SiC肖特基二極管的“混合”半導體開關有關。肖特基二極管的使用可以大幅降低二極管中功率損耗的頻率相關分量，減少IGBT中
2023-02-22 16:53:33
IGBT的工作原理IGBT極性判斷IGBT好壞的判斷
2021-03-04 07:18:28
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
IGBT和MOS管的區別是什么？IGBT和可控硅的區別有哪些？如何實現IGBT驅動電路的設計？
2021-11-02 08:30:41
△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm 式中Tj－IGBT的工作結溫 P△－損耗功率 Rjc－結－殼熱阻vkZ電子資料網 Rcs－殼－散熱器熱阻 Rsa－散熱器－環境熱阻 Tjm－IGBT的最高結
2011-10-28 15:21:54
通過電流和電壓探頭以及標準的示波器進行數據記錄和獲得。在逆變器運行過程中，芯片的結溫很少通過實驗方法確定。熱處理通常是供應商提供典型值或最差值（如IGBT模塊和冷卻板的熱阻）與仿真產生的損耗情況結合
2018-12-07 10:19:13
摘要相對于第二代NPT芯片技術，最新的3.3kV IGBT3系列包含兩款優化開關特性的L3和E3芯片，其在開關軟度和關斷損耗之間實現折衷，以適應不同的應用。最大工作結溫可升高至150℃，以便提升輸出
2018-12-06 10:05:40
電磁感應加熱的原理是什么？有什么方法可以將電磁感應加熱應用的IGBT功率損耗降至最低嗎？
2021-05-10 06:41:13
之間的E4芯片。表1簡要介紹了IGBT4的3個折中點，并指出相應的電流范圍。表1表1：英飛凌1200V IGBT4 簡介IGBT和二極管的動態損耗為研究和比較這三款芯片在雜散電感范圍為23nH至
2018-12-10 10:07:35
上表現為過溫。3、IGBT過溫，計算壽命，與焊點、材料的熱膨脹系數等有關。4、求助上面幾個失效模式的分析，也可以大家討論一下，共同進步
2012-12-19 20:00:59
時，為獲得最小導通壓降，應選取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，當Uge增加時，導通時集射電壓Uce將減小，開通損耗隨之減小，但在負載短路過程中Uge增加，集電極電流Ic也將隨之增加，使得IGBT
2016-11-28 23:45:03
時，為獲得最小導通壓降，應選取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，當Uge增加時，導通時集射電壓Uce將減小，開通損耗隨之減小，但在負載短路過程中Uge增加，集電極電流Ic也將隨之增加，使得IGBT
2016-10-15 22:47:06
測量功率器件的結溫常用二種方法
2021-03-17 07:00:20
和MOSFET的關斷損耗差不多。MOSFET開關損耗與溫度關系不大，但IGBT每增加100度，損耗增加2倍。 開通損耗IGBT平均比MOSFET略小，而且二者都對溫度比較敏感，且呈正溫度
2009-05-12 20:44:23
摘要：本文介紹了分立IGBT和二極管的結和塑封料（MC）之間溫度差異的總體相關性。我們以引線架背面為基準，通過分立功率器件的相關參數說明這種差異。這些參數包括封裝類型（TO220，To220
2018-12-03 13:46:13
芯片在開關損耗和軟特性上得到進一步優化。另外它的最高允許工作結溫達到了150℃, 比前幾代的IGBT提高了25℃，這使得模塊的功率密度可以做得更高。眾所周知，功率半導體的總損耗主要是由通態損耗
2018-12-03 13:47:57
我的IGBT輸出正常，為什么經過了升壓變壓器后就功率衰減很厲害。IGBT輸出有120KW，經過變壓器后僅有60KW，查了很久，都沒發現這60KW的功率損耗到了哪里？并且就算是損耗，我認為也不會有器件能承受得這60kw的功率，這種是什么情況呢。阻抗匹配嗎？
2012-08-15 09:36:35
高壓的二極管相串聯，但是，串聯的二極管引起通態壓降的增大，增加了損耗。而RB-IGBT是一種新型的IGBT，具有反向耐壓能力，相對于傳統串聯二極管的模式，減少器件的同時，還降低了通態壓降和損耗。兩種
2020-12-11 16:54:35
不同，兩個裸片的功率耗散也不同，各自要求單獨計算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣量測兩個組件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計算平均結溫及峰值結溫。 功率計算
2018-10-08 14:45:41
的功率耗散也不同，各自要求單獨計算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣測量兩個元件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計算平均結溫及峰值結溫。圖1： 貼裝在
2014-08-19 15:40:52
感應加熱等應用的理想之選。汽車應用是IGBT的另一個增長領域。固有結溫高達175°C的分立式器件，是目前某些電動汽車（例如特斯拉電動汽車）的逆變器的組件之一。未來封裝技術的進步，以及持續不斷的成本改善
2018-12-03 13:47:00
二極管急變的諧振頻率所導致的振蕩等寄生效應，將產生電磁干擾，這也必須在應用中加以考慮。HS3 IGBT具備低損耗/高輸出電流 為分析不同切換頻率的裝置效能，使用IPOSIM仿真變頻器效能。為了能夠進行
2018-10-10 16:55:17
IGBT損耗計算和損耗模型研究：器件的損耗對系統設計堯器件參數及散熱器的選擇相當重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結構的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數學方法的IG
2009-06-20 08:33:53
96 ），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達1
2023-01-10 11:29:08
新型IGBT軟開關在應用中的損耗
本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。
2010-05-25 09:05:201169 
器件的損耗對系統設計堯器件參數及散熱器的選擇相當重要遙損耗模型主要分為兩大類院基于物理結構的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數學方法的IGBT損耗模型遙對近年來的各種研究
2011-09-01 16:38:4565 針對目前PWM 逆變器中廣泛使用的IGBT，提出了一種快速損耗計算方法。該方法只需已知所使用的IGBT 器件在額定狀態下的特性參數，就可以快速估算各種條件下的功率損耗。該方法的計算
2011-09-01 16:42:33111 電子資料論文：基于IGBT功率逆變器損耗準建模方法
2016-07-06 15:14:4727 在任何裝置中使用IGBT 都會遇到IGBT 的選擇及熱設計問題。當電壓應力和電流應力這2 個直觀參數確定之后， 最終需要根據IGBT 在應用條件下的損耗及熱循環能力來選定IGBT。通常由于使用條件
2017-09-22 19:19:3730 提出了一種設計變頻器散熱系統的實用方法，建立了比較準確且實用的變頻器中 IGBT（絕緣柵型雙極晶體管）模塊的通態損耗和開關損耗的計算方法，考慮了溫度對各種損耗的影響，采用熱阻等效電路法推導得出
2017-10-12 10:55:2423 為精確計算光伏逆變器的IGBT損耗，指導系統熱設計，提出了一種IGBT損耗精確計算的實用方法。以可視化的T程計算T具MathCAD為載體，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆變器IGBT實際
2017-12-08 10:36:0264 IGBT 的熱計算
2022-11-15 19:55:194 與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-01 09:47:271916 今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數學知識。
2023-02-07 15:32:381759 
IGBT結溫估算（算法+模型），多年實際應用，準確度良好 能夠同時對IGBT內部6個三極管和6個二極管溫度進行估計，并輸出其中最熱的管子對應溫度。 可用于溫度保護，降額，提高
2023-02-23 09:45:057 IGBT結溫估算
2023-02-23 09:23:148 IGBT結溫估算模型。
2023-02-24 10:48:425 開通、導通和關斷損耗構成了 IGBT 芯片損耗的總和。關斷狀態損耗可以忽略不計，不需要計算。為了計算 IGBT 的總功率損耗，須將這三個能量之和乘以開關頻率。
2023-03-01 17:52:451204 前邊介紹了IGBT/Diode損耗的計算，那么得到了損耗之后，如何轉化為溫升呢？
2023-05-26 11:24:31860 
學過的基本高等數學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數學知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形：IGB
2023-01-14 10:05:301070 
功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
IGBT元件的損耗總和分為：通態損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
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