6月2日，韓國新簽了一個氮化鎵項目，總投資額接近11億元人民幣。

據韓國媒體報道，韓國釜山市與韓國BTOZ公司、日本Oxide簽署了三方投資諒解備忘錄，決定在釜山投資2000億韓元（約10.88億元人民幣）建設GaN單晶材料生產車間。

據悉，BTOZ將于2025 年在韓國機張郡長安邑，建設一個15000 平方米的氮化鎵單晶材料工廠，而OXIDE通過對BTOZ工廠的技術支持，幫助后者量產氮化鎵功率半導體。

BTOZ 成立于 2009 年 12 月，擁有多項與傳感器有關的專利，特別是在X射線成像領域，并與國家研究機構和大學合作，積極開展氮化鎵功率半導體領域的研究和開發，2022年銷售額為 544 億韓元（約3億人民幣），擁有 172 名員工。

在氮化鎵方面，BTOZ 的定位是一家集外延和功率器件設計一體的廠商，主要開發垂直氮化鎵功率器件，根據這次合作，其氮化鎵單晶襯底技術將來源于OXIDE，并與其他廠商和機構合作，計劃在韓國形成氮化鎵單晶功率器件的垂直產業鏈模式。

●?氮化鎵單晶技術

2021年6月，Oxide宣布開始提供其氮化鎵單晶樣品。

OXIDE的產品是基于ScAlMgO4單晶襯底（簡稱SAM），SAM是一種適用于生長GaN薄膜單晶的新材料，與藍寶石相比，與在藍寶石上外延生長的GaN相比，SAM基GaN具有更高的良率，更少的晶格缺陷，具有更高的薄膜完整性。

●?垂直器件技術

而BTOZ 的氮化鎵器件技術來源于韓國電子通信研究院（ETRI）。

ETRI曾于2020年10月宣布，他們在韓國首次開發出采用氮化鎵單晶襯底的800V垂直功率器件。

而他們這次開發的技術轉讓給BTOZ 公司，未來有望以多種方式用于提高電動汽車、太陽能逆變器和輸配電網的電能轉換效率。

●?氮化鎵制造基地

2021年6月，釜山市機張郡和BTOZ簽署了一項投資協議，原本為了建設從氮化鎵晶圓到功率器件的批量生產工廠。

根據當時的協議，BTOZ將租賃2500坪土地，投資總額為334億韓元（1.8億元人民幣），雇用約60人。

根據該公司官網信息，BTOZ在從晶圓到器件的所有領域都有設計和生產技術。氮化鎵襯底方面，主要使用HVPE設備大規模生產4英寸的GaN晶圓，還提供硅基氮化鎵外延服務，并能夠制造1.5KV級的GaN-on-GaN PIN器件。

●?氮化鎵器件制造基地

不過似乎，該公司的氮化鎵器件制造將交給第三方。

2021年11月，BTOZ曾與WAVICE宣布達成合作，共同開發與氮化鎵半導體有關的技術并將其商業化。

據介紹，韓國一直都在進行氮化鎵半導體器件的技術開發和商業化，主要廠商就是WAVICE，韓國的氮化鎵外延片完全依賴海外進口。

而BTOZ通過與ETRI的長期技術合作，已經開發出適用于射頻器件和功率半導體的氮化鎵外延材料，為此，BTOZ與WAVICE的協議簽訂的目就是為了在韓國形成一個從氮化鎵外延材料到器件的完整價值鏈。

據報道，WAVICE 已經在釜山機張郡獲得了4500平方米的土地，目前正在規劃和設計一條氮化鎵器件生產線，目標是在2023年完成該設施的建設。

審核編輯：劉清