IGBT驅動光耦HCPL-316J的特性
2012-05-23 12:05:18
2718 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結合了GTR和MOSFET的優點，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發射極E。
2022-10-28 16:12:429922 
IGBT有源鉗位技術的介紹
2023-02-06 14:39:421433 
IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅動電路及短路回路阻抗。
2023-08-04 09:01:17918 
這是某產品輸出特性曲線，可以看到IGBT工作區分為三個部分。
2023-11-03 08:53:04905 
IGBT的靜態特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。
2023-11-27 14:16:53534 
結合到一個晶體管中。它具有MOSFET(絕緣柵極)的輸入特性(高輸入阻抗)和BJT(雙極性質)的輸出特性。
2023-12-22 10:30:58750 
IGBT模塊的運行溫度范圍是非常重要的參數。一些設備要求工作在室溫下，而另一些設備要求工作在很寬的溫度范圍內（如-40℃~+65℃）。溫度和散熱對于系統的可靠和有效運行非常重要。如果實際要求IGBT
2024-01-19 16:25:091047 
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40506 
滿足大范圍的IGBT驅動器功率要求。該系列產品效率高達81%，可在-40℃~+105℃溫度下工作，具有超小隔離電容6PF，最大容性負載1000uF、隔離電壓3000VAC等特性。該系列產品具有
2018-10-11 16:03:31
及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT 和驅動器損壞。以下總結了一些關于IGBT驅動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。 IGBT 的開關特性主要取決于
2012-07-25 09:49:08
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功 率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓
2011-08-17 09:26:02
飽和狀態，輸出電阻無限大。由于IGBT結構中含有一個雙極MOSFET和一個功率MOSFET，因此，它的溫度特性取決于在屬性上具有對比性的兩個器件的凈效率。功率MOSFET的溫度系數是正的，而雙極的溫度
2012-07-09 14:14:57
、設計和應用的工程技術人員和高等院校相關專業師生閱讀參考。 本書在介紹IGBT和IPM結構與特性的基礎上，結合國內外電力電子器件的應用和發展趨勢，全面系統、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應用技術，突出
2011-11-25 15:46:48
輸出特性曲線從圖3等效電路圖中可以看出，IGBT 和 Mosfet 差異還在于 IGBT 在導通之前，存在二極管的順偏導通壓降，如圖 4 所示（藍色表示 Mosfet 的特性曲線，紅色表示 IGBT
2022-09-16 10:21:27
較大、熱穩定性好、驅動電路簡單、低飽和電壓及大電流等特性，目前，在使用和設計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設計模式——所需余量較大，系統龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統引起的各種
2020-09-29 17:08:58
參數則對并聯IGBT的動態均流有很大的影響。3)IGBT安裝的散熱考慮，如果IGBT散熱出現熱量過于集中，IGBT溫度差別大，會影響的溫度特性，形成正反饋現象。4)主電路結構的影響主電路的結構會造成線路
2015-03-11 13:18:21
終止IGBT芯片的飽和電壓VCEsat都隨著結溫升高而增加，呈現正溫度系數特性。圖2為300A溝槽場終止芯片在15V柵極電壓條件下不同結溫時的飽和電壓特性。這表明并聯IGBT的靜態均流可動態地自我調節
2018-12-03 13:50:08
的可再生能源，而IGBT是光伏系統中主要的功率半導體器件，因此其可靠性對光伏系統有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過程中，熱性能變化對于半導體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
IGBT的介紹和應用，基礎知識
2015-06-24 22:42:27
特性、轉移特性和開關特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。它與GTR
2018-10-18 10:53:03
IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。
2019-09-11 11:31:16
(潮光光耦網整理編輯)2012-04-03 變頻器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生產的一種IGBT門極驅動光耦合器，其內部集成集電極發射極電壓欠飽和檢測電路
2012-07-06 16:28:56
IGBT手冊的介紹
2015-07-02 17:21:55
`IGBT驅動電路 本文在分析了IGBT驅動條件的基礎上介紹了幾種常見的IGBT驅動電路，設計了一種基于光耦HCPL-316J的IGBT驅動電路。實驗證明該電路具有良好的驅動及保護能力
2012-09-09 12:22:07
本文著重介紹三個IGBT驅動電路。驅動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大，以驅動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅動電路起著至關重要的作用，對IGBT驅動電路的基本要求。
2021-03-04 08:44:36
溫度傳感器， 在熱敏電路、溫度補償應用以及以替代傳統熱敏技術為目的的各種應用中，溫度傳感器非常有用。可根據不同輸出選擇合適的器件： 電壓輸出， 特性： 溫度轉換精度可達±0.5°C（典型值
2018-10-30 15:58:02
本章節介紹了 Cyclone? IV 器件所支持的 I/O 與高速 I/O 的性能和特性。Cyclone IV 器件的 I/O 功能是由許多低成本應用中的多樣化 I/O 標準所驅動的，大幅度提高了
2017-11-14 10:10:54
本章節介紹了 Cyclone? IV 器件系列中具有高級特性的層次時鐘網絡與鎖相環 (PLL)，包括了實時重配置 PLL 計數器時鐘頻率和相移功能的詳盡說明，這些功能使您能夠掃描 PLL 輸出頻率，以及動態調整輸出時鐘相移。
2017-11-14 10:09:42
本章介紹了 Cyclone? IV 器件所支持的邊界掃描測試 (BST) 功能。這些 BST 功能與Cyclone III 器件中的相類似，除非另有說明。Cyclone IV 器件 (Cyclone
2017-11-14 10:50:26
溫度依賴性。下面是實測例。下一篇計劃介紹ID-VGS特性。關鍵要點:?MOSFET的開關特性參數提供導通延遲時間、上升時間、關斷延遲時間、下降時間。?開關特性受測量條件和測量電路的影響較大，因此一般確認提供條件。?開關特性幾乎不受溫度變化的影響。＜ 相關產品信息 ＞MOSFET
2018-11-28 14:29:57
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
IGBT的靜態特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。剛接觸那會兒，看到轉移特性、輸出特性之類的就想溜之大吉，加之網上查詢的資料一概籠統簡單，只描述特性曲線所表示的關系結果，卻并不解釋曲線
2019-10-17 10:08:57
`本書在介紹IGBT和IPM結構與特性的基礎上，結合國內外電力電子器件的應用和發展趨勢，全面系統、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應用技術，突出實用性。全書共7章，分別介紹了電力電子器件
2015-05-29 10:47:00
的性能應滿足技術要求。可工作溫度范圍是技術條件中規定的溫度范圍，在該溫度范圍內，晶振能連續輸出信號，但其性能不一定滿足技術要求。頻率溫度特性是指環境溫度在規定的范圍內按預定的方式改變時，其輸出頻率產生的相對變化特性。`
2017-06-13 15:13:45
本篇博客是全橋MOS/IGBT電路搭建的介紹，想了解全橋電路的驅動部分請看博主的單元一：全橋驅動電路詳解。感興趣的可以添加博主逆變電路（Inverter Circuit）是與整流
2021-11-16 06:14:11
伏安特性分析儀簡稱IV分析儀，專門用來測量二極管的伏安特性曲線、晶體管三極管的輸出特性曲線，以及MOS場效應管的輸出特性曲線。
IV分析儀相當于實驗室的晶體管圖示儀，需要將晶體管與連接
2023-04-27 16:28:47
Stratix IV FPGA主要特性是什么？分享一款不錯的Stratix IV GT:100G開發方案
2021-05-25 06:03:07
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時具備MOSFET和IGBT兩者優勢的MOSFET。產品位于下圖最下方紅色框內。同時具備MOSFET和IGBT優異特性的Hybrid MOS GN
2018-11-28 14:25:36
摘要：本文討論了最新PrimePACKTM模塊如何集成到現有的逆變器平臺中，描述了集成控制和保護在內的逆變器模塊化架構概念。該模塊的機械特性允許對熱管理進行優化，進而充分發揮IGBT輸出電流能力
2018-12-03 13:56:42
工作。對實驗模塊進行了以下特性測試：- IGBT 集電極-發射極飽和電壓 （Vc sat） 在 25 和 150°C 的溫度下，集電極電流 Ic = 0.25 x Inom 和 Ic = I nom，柵極兩端
2023-02-22 16:53:33
如何根據溫度傳感器和菜譜設置的溫度控制電磁爐的IGBT導通時間、從而自動調節IGBT管的工作電流，從而調節電磁爐的功率？有沒有電磁爐專業人士、請聯系我微信***謝謝
2018-05-03 16:27:29
柵極電阻RG對IGBT開關特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
神舟IV號外加18B20實現多點溫度測控的程序，能不能在顯示屏上顯示出所測的溫度
2014-04-21 15:30:41
。 （2）輸出特性圖1-11：IGBT的輸出特性它的三個區分別為：靠近橫軸：正向阻斷區，管子處于截止狀態。爬坡區：飽和區，隨著負載電流Ic變化，UCE基本不變，即所謂飽和狀態。水平段：有源
2009-05-12 20:44:23
在一些要求高可靠性的應用場合，希望功率半導體器件可以穩定運行30年以上。為了達到這個目標，三菱電機開發了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設計，并在實際的環境條件下進行了驗證，結果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數據手冊上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
在分析液體的粘度溫度特性的基礎上，提出了液流的雷諾數也隨溫度的變化而變化的觀點，并對其變化規律進行了推導和闡述。
2009-04-07 11:06:14
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電路的溫度-電壓特性
2009-07-08 11:41:24345 
熱敏電阻的基本特性詳細介紹
電阻－溫度特性
熱敏電阻的電阻－溫度特性可近似地用式1表示。(式1) R=Ro exp {B(I/T-I/To)}
2009-11-28 09:07:164110 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4510640 汽車級IGBT在混合動力車中的設計應用
針對汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強IGBT的功率循環和溫度循環特性，并增加IGBT結構強度，大大提高了IGBT
2010-05-08 08:42:231302 
IGBT的靜態特性包括伏安特性、轉移特性和靜態開關特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，
2010-11-09 17:04:582159 
提出了一種用PSP ICE 程序模擬絕緣柵雙極型晶體管( IGBT ) 特性的方法。首先詳細介紹了IGBT 的PSP ICE 模型的建立, 以及利用外特性參數提取模型參數的方法。最后對所建立的模型進行了驗
2011-06-23 16:12:1593 超快速IV測量技術是過去十年里吉時利推出的最具變革性的方法和儀器，吉時利一直以其高精度高品質的SMU即原測試單元而著稱，這里將介紹測試單元PUM和超快速IV量測技術給半導體器件
2011-08-10 11:47:035274 
本內容詳細介紹了 LDMOS 功放溫度特性及溫補電路設計
2011-08-18 17:29:2762 介紹了一種采用UC3844為核心芯片的多路輸出單端反激式IGBT驅動電源。文中給出了具體的計算過程和電路參數。試驗結果表明該電源可靠性高，穩定性好，輸出紋波小，具有一定實用價值
2011-09-23 16:09:28100 詳細介紹IGBT原理，特性，和實際應用，以及失敗事例
2016-03-01 17:18:3115 超微晶材料的鐵損溫度特性研究
2016-03-23 17:47:590 IGBT驅動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩定、安全工作的前提，驅動電路起到至關重要的作用。
2016-08-05 16:16:3223351 
大的優點、使用 IGBT 成為 UPS 功率設計的首選，只有對 IGBT 的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發揮 IGBT 的優點。本文介紹 UPS 中的 IGBT 的應用情況和使用中的注意事項
2017-11-06 10:08:5324 IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功 率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和
2017-12-08 11:50:346 本文主要介紹了電磁爐溫度檢測電路圖大全（高頻/IGBT/傳感器溫度檢測電路詳解）。電磁爐中的溫度檢測傳感器采用的是熱敏電阻，該電阻大多由單晶或多晶半導體材料制成，它的阻值會隨溫度的變化而變化
2018-03-15 09:41:2135014 
AN-990應用筆記之IGBT的特性
2018-04-13 14:04:596 ℃以及兩款芯片各自最大允許工作結溫下的輸出特性曲線。從圖2中在Tvj.op=25℃時，相同的輸出電流，IGBT5 P5集電極與發射極電壓比IGBT4 P4更低；工作在最高結溫時，即使相差25
2018-07-23 17:23:505545 
個高速收發器，以及 1,067 Mbps (533 MHz) DDR3存儲器接口)達到了前所未有的水平，并具有優異的信號完整性, 非常適合無線通信,固網,軍事,廣播等其他最終市場中的高端數字應用。本文介紹了Stratixreg; IV FPGA主要特性, Stratix IV GT器
2019-02-16 09:51:01495 
IGBT ，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由 MOSFET （輸入級）和 PNP 晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有 MOSFET 器件驅動功 率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有
2020-11-17 08:00:008 IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態特性， 靜態數據特性關鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:315907 本文檔的主要內容詳細介紹的是陶瓷電容的溫度特性代碼與溫度系數對照表免費下載。
2021-02-03 08:00:003 Avago公司的ACPL-P343（W343）是4A輸出的IGBT柵極驅動光交換器，集成了一個AlGaAs LED，VCC工作電壓15V-30V，工作溫度-40℃到105℃，輸出電壓軌到軌，CMR
2021-03-29 15:26:267584 
具有LVDS輸出的LTM9011 ADC的AN147-Altera Stratix IV FPGA接口
2021-05-09 21:19:5314 吉時利6430源表IV輸出電阻測量及電池充放電應用
2021-12-31 09:37:0511 IGBT模塊散熱不好溫度過熱造成的危害你知道么？IGBT模塊本身就有一定的功率，此模塊本身就會發熱，IGBT模塊整體性能和可靠性都受溫度影響。通常使用設計規則來比較故障率的數字。根據設計準則，其中
2022-04-22 17:32:123696 電子發燒友網站提供《IV Swinger IV曲線跟蹤器開源分享.zip》資料免費下載
2022-08-22 16:06:102 如下圖，是IGBT產品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流。可以看到IGBT工作狀態分為三個部分。
2022-12-16 15:29:044938 隨著我國武器裝備系統復雜性提升和功率等級提升，對IGBT模塊的需求劇增，IGBT可靠性直接影響裝備系統的可靠性。選取同一封裝不同材料陶瓷基板的IGBT模塊，分別進行了溫度循環試驗和介質耐電壓試驗
2023-02-01 15:48:053470 上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
繼上一篇MOSFET的開關特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動
2023-02-17 16:40:23915 今天小川給大家分享是IV法測三極管伏安特性的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-03-01 11:53:402019 
IGBT的輸出特性通常表示的是以柵極-發射極電壓VGE為參變量時，漏極電流IC和集電極-發射極電壓VCE之間的關系曲線。
2023-06-06 10:52:37757 
摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用，研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動態特性對于指導 IGBT 芯片建模以及規模化 IGBT 并聯封裝設計具有
2023-08-08 09:58:280 igbt的優缺點介紹 IGBT的優缺點介紹 IGBT是一種晶體管，是MOSFET和BJT集成而成的開關，具有高速開關能力和較低的導通電阻，用于高效率的功率調節。IGBT具有一些優點和缺點，下面將詳細
2023-08-25 15:03:294012 選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設備設計中的重要任務，因為正確的IGBT選擇對于設備性能和可靠性至關重要。本文將介紹如何選擇適合您應用的IGBT，并解釋IGBT的關鍵特性以及如何閱讀IGBT的數據表。
2023-09-13 15:47:56921 
IGBT 功率模塊的開關特性是由它的內部結構，內部的寄生電容和內部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
igbt的柵極驅動條件 igbt的柵極驅動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關器件，常用于高功率電子應用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 和性能，動態測試是必不可少的。下面將詳細介紹IGBT動態測試的參數。 1. 開通特性測試（Turn-on Characteristics Test）： 開通特性測試是通過控制IGBT的輸入信號，來檢測
2023-11-10 15:33:51885 了特殊的溫度補償元件和電路，可以在不同溫度下保持相對穩定的頻率輸出。 恒溫晶振和溫補晶振在一些特性上有相似之處，但也存在一些不同之處。接下來將分別介紹這兩種晶振的特性。 一、恒溫晶振的特性： 1. 穩定頻率輸出：恒
2023-12-18 14:36:42246 的正常運行。本文將詳細介紹IGBT溫度傳感器異常的原因以及解決方法。 首先，我們來了解一下IGBT溫度傳感器的工作原理。IGBT是一種結合了晶體管的高速開關元件，可以用于控制電流和電壓。IGBT溫度傳感器則是一種用于監測IGBT芯片溫度的傳感器，它
2023-12-19 14:10:20800 IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領域中常用的晶體管器件。它由一個IGBT芯片和一個驅動電路組成，用于控制高電壓和高電流的開關操作。相比于MOSFET，IGBT具有更低
2024-01-04 14:30:50563 光伏IV測試作為評估光伏電池性能的重要手段，對光伏技術的發展和應用起著關鍵的作用。通過光伏組件IV測試，我們可以準確地評估光伏電池的轉換效率和功率輸出，為光伏系統的設計、優化和性能監測提供重要的參考依據。未來，隨著光伏技術的不斷發展，光伏IV測試方法和技術也將不斷完善，為光伏領域的發展注入新的活力。
2024-01-10 14:37:57418 IGBT元件的損耗總和分為：通態損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
JD-IVAIV功率檢測儀是一種用于測試太陽能電池板輸出特性的重要儀器，主要用于評估太陽能電池板的性能和效率。通過測量太陽能電池板在不同電壓和電流下的輸出特性曲線(IV曲線)，可以確定太陽能電池板的最大功率點(MPP)，從而幫助優化系統設計和提高發電效率。以下是關于IV功率檢測儀的詳細介紹：
2024-03-20 15:12:5872
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