GaN-on-Si技術(shù)可用來降低LED及功率元件的成本，將有助固態(tài)照明、電源供應(yīng)器，甚至是太陽能板及電動車的發(fā)展.
2013-09-12 09:33:29
1401 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，具有更快的開關(guān)速度、更高的擊穿強度和高導(dǎo)熱性。
2022-07-29 10:52:00991 
近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體
2022-08-22 09:44:013651 氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標上比硅（Si）具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現(xiàn)更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電壓下可以降低導(dǎo)通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293615 
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢。
2023-12-07 09:44:52783 
基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 ）。另一方面，功率GaN的技術(shù)路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向，包括增強型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強型GaN FET是單芯片常關(guān)器件，而耗盡型GaN FET是雙芯片常關(guān)器件（共源共柵Cascode結(jié)構(gòu)）。 ? E-
2024-02-28 00:13:001844 使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應(yīng)用提供功率。GaN更優(yōu)的開關(guān)能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉(zhuǎn)換更高水平的功率，如圖1所示。GaN半導(dǎo)體能夠在交流/直流供電
2022-11-07 06:26:02
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
D功放的音質(zhì)也將得到有效的提升。
針對目前主流的GaN Class D應(yīng)用，三安集成推出了200V 20mΩ的低壓GaN功率器件，同時采用自主設(shè)計的半橋電路測試平臺對200V 20mΩ GaN
2023-06-25 15:59:21
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，靜電防護技術(shù)不斷提高，無論是在LED器件設(shè)計上，還是在生產(chǎn)工藝上，抗ESD能力都有明顯的進步，但是，GaN基LED畢竟是ESD敏感器件，靜電防護必須滲透到生產(chǎn)全過程
2013-02-19 10:06:44
五、 LED靜電防護技術(shù) 1、一般靜電防護的基本思路： 1）從元器件設(shè)計方面，把靜電保護設(shè)計到LED器件內(nèi)，例如大功率LED，設(shè)計者在承載GaN基LED芯片倒裝的硅片上，設(shè)計靜電保護二極管，這時
2013-02-20 09:25:41
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動放大器仍然主要使用GaAs，這是因為這種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
半導(dǎo)體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44?？隙ǖ卣f，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。在這里，分以下二個方面進行闡述：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-28 14:34:33
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
在射頻領(lǐng)域采用硅基氮化鎵（GaN on Si）技術(shù)的供應(yīng)商。我們采用硅基氮化鎵（GaN Si）技術(shù)以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的連續(xù)波（CW）射頻功率晶體管產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz
2017-08-14 14:41:32
。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高，但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化鎵技術(shù)(MACOM GaN)使得二者成本結(jié)構(gòu)趨于相當。基于氮化鎵的MAGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37
描述該參考設(shè)計為客戶提供有關(guān)電源設(shè)計中 GaN 與 SI 使用情況的對比研究。該特定的設(shè)計使用 TPS40400 控制器來驅(qū)動 CSD87381（對于硅電源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
IC、電源控制器和高集成度嵌入式處理器， 將能管理復(fù)雜的多電平、多級功率回路，從而正確發(fā)揮新一代 SiC/GaN 功率轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢?！狝DI公司再生能源戰(zhàn)略營銷經(jīng)理Stefano
2018-10-30 11:48:08
下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機的推出，工程師們能夠輕松地將GaN技術(shù)融入到電源
2018-09-11 14:04:25
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進一步突破了對常規(guī)功率密度預(yù)期的限值。基于數(shù)十年電源測試方面的專業(yè)知識，TI已經(jīng)對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
半導(dǎo)體激光器非常適合與 Si 光子學的單片集成。制造具有法布里-珀羅腔的半導(dǎo)體激光器通常包括小面解理，但是，這與片上光子集成不兼容。蝕刻作為一種替代方法在制備腔鏡方面具有很大優(yōu)勢，無需將晶片破碎成條形。然而
2021-07-09 10:21:36
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術(shù)而制成。GaN-on-SiC 方法結(jié)合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導(dǎo)熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
。目前主流的GaN技術(shù)廠商都在研發(fā)以Si為襯底的GaN的器件，以替代昂貴的SiC襯底。有分析預(yù)測到2019年GaN的成本將與傳統(tǒng)的Si器件相當，屆時很可能出現(xiàn)一個市場拐點。并且該技術(shù)對于供應(yīng)商來說是一
2019-07-08 04:20:32
單片GaN器件集成驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
)藍寶石制作圖形藍寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進行MOCVD制作GaN基發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進行芯片制造和測試。PSS的基本結(jié)構(gòu)為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
設(shè)計?；陔p向6.6kw OBC和3.0kW LV-DC/DC的一體化“二合一”設(shè)計，本文提出了一種高效散熱方案采用Navitas集成驅(qū)動GaN-Power-IC器件的技術(shù)。CCMPFC的開關(guān)頻率設(shè)置為
2023-06-16 08:59:35
OBC和低壓DC/DC的集成設(shè)計可以減小系統(tǒng)的體積;提高功率密度，降低成本。寬帶隙半導(dǎo)體器件GaN帶來了進一步發(fā)展的機遇提高電動汽車電源單元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
的頻率交換意味著GaN可以一次轉(zhuǎn)換更大范圍的功率，減少復(fù)雜裝置中的功率變換。由于每次功率變換都會產(chǎn)生新的能耗，這對于很多高壓應(yīng)用都是一項顯著的優(yōu)勢。當然，一項已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會一夜之間被取代
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強固，因此需謹慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅(qū)動器方案，解決設(shè)計過程的風險。
2020-10-28 06:59:27
作者： Grant Smith，德州儀器 (TI)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理簡介
功率氮化鎵 (
GaN)
器件是電源設(shè)計人員工具箱內(nèi)令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究
GaN的較高開關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂?/div>
2019-07-12 12:56:17
上的毫米波頻率。另外，GaN功率放大器支持更高的帶寬，即使在較高的頻率也是如此。 如今存在的兩種主要GaN技術(shù)為碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的優(yōu)勢在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
）③ SiC、GaN寬禁帶電力電子技術(shù)的機遇和挑戰(zhàn) ④ 針對寬禁帶電力電子技術(shù)特性的封裝技術(shù) ⑤ SiC、GaN器件與Si器件的對比（優(yōu)勢、驅(qū)動上的區(qū)別、結(jié)構(gòu)和成本的影響）五、活動報名電話：***微信：CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換。 此外，自動駕駛車輛激光雷達驅(qū)動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場上確立了自己的地位，但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
。在這次活動中，劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強氮化鎵(ICeGaN)技術(shù)，以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術(shù)基于增強型 GaN 高電子遷移率晶體管，具有超低比導(dǎo)通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
電子器件制備工藝
2012-08-20 22:23:29
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
穩(wěn)定的化合物，具有強的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是最高的、化學穩(wěn)定性好，使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更強抗輻照能力，同時GaN又是高熔點材料，熱傳導(dǎo)率高，GaN功率器件通常
2019-04-13 22:28:48
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯
1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
參數(shù)極其敏感，因此相較于傳統(tǒng)的Si基半導(dǎo)體器件的驅(qū)動電路，GaN的驅(qū)動要求更為嚴苛，因此對其驅(qū)動電路的研究很有意義。在實際的高壓功率GaN器件應(yīng)用過程中，我們用GaN器件和當前主流的SJ MOSFET在
2021-12-01 13:33:21
原理下，隨著微細加工技術(shù)的發(fā)展，實現(xiàn)了開關(guān)更加高速、大規(guī)模集成化。在功率元器件領(lǐng)域中，微細加工技術(shù)的導(dǎo)入滯后數(shù)年，需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。但是，通過微細化可以改善的性能僅限于100V
2019-07-08 06:09:02
”毫不夸張，為滿足市場需求，需求不時完善各種運用電路、易用封裝、復(fù)合品、額定電流、額定電壓的產(chǎn)品陣容，要求具有多元化的技術(shù)積聚?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">功率電子元器件范圍，羅姆擁有業(yè)界頂級水平的產(chǎn)品陣容，在Si基超級
2012-11-26 16:05:09
請問一下GaN器件和AMO技術(shù)能實現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個熱點。南昌大學
2010-06-07 11:27:281388 
利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:34
29 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:31970 目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線，另一是在Si襯底上制作平面導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線。
2019-08-01 15:00:037275 
科技半導(dǎo)體公司提出的GaN基復(fù)合襯底技術(shù)，結(jié)合企業(yè)自身的LED芯片技術(shù)，在大大提高LED出光效率的同時，還能大幅降低高端LED芯片的生產(chǎn)成本，改進現(xiàn)有LED的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，同時該技術(shù)還可擴展應(yīng)用到GaN功率器件和MicroLED領(lǐng)域。
2020-04-17 16:37:573363 
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:203871 
依托先進的半導(dǎo)體器件仿真設(shè)計平臺，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團隊實現(xiàn)了擊穿電壓為420 V的GaN基準垂直肖特基功率二極管的設(shè)計方案（SFP-SBD：具有側(cè)壁場板的GaN基準垂直肖特基功率二極管
2021-07-14 16:46:55959 與Si元器件相比，GaN具有高擊穿電場強度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，可大幅提升器件與系統(tǒng)的功率密度、工作頻率與能量轉(zhuǎn)換效率，隨著5G通信和新能源汽車的迅猛發(fā)展，GaN快充技術(shù)也隨之受到關(guān)注。
2021-12-24 09:46:131449 意法半導(dǎo)體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車應(yīng)用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術(shù)及其自身獨特的設(shè)計和封裝專業(yè)知識
2022-08-03 10:44:57641 
。與此同時，一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩(wěn)步前進，該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍，比當今市場上最好的 GaN 產(chǎn)品好 300 倍（圖1）。 圖 1：一平方毫米器件的理論導(dǎo)通電阻與基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代（紫色圓點）和
2022-08-04 11:17:55587 
的限制，并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此，設(shè)計人員越來越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體。 功率氮化鎵技術(shù) GaN 技術(shù)，特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161078 
本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:401459 GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11426 依托先進的半導(dǎo)體器件仿真設(shè)計平臺，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團隊實現(xiàn)了擊穿電壓為420 V的GaN基準垂直肖特基功率二極管的設(shè)計方案（SFP-SBD：具有側(cè)壁場板的GaN
基準垂直肖特基功率
2023-02-27 15:50:380 GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:16886 傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735 
GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 
最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質(zhì)襯底上通過金屬有機氣象外延(MOCVD)進行外延制備。由于異質(zhì)
2023-06-14 14:00:551654 
付出更大的成本？本文會以適配器（Adaptor）的應(yīng)用來做說明。圖1目標產(chǎn)品應(yīng)用種類氮化鎵（GaN）是橫向結(jié)構(gòu)的功率元件，其具有小于硅（Si）的十分之一以下的閘極電荷（
2022-12-09 14:41:082746 
GaN功率器件是雷達T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:40709 
論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù)
2023-01-13 09:07:473 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn)，GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達成。但是，隨著GaN功率器件輻照強化及驅(qū)動方式的創(chuàng)新改良，宇航電源將會得到更大助推。
結(jié)合高集成度電源設(shè)計，以及優(yōu)化的宇航
2024-01-05 17:59:04272 
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 
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