01 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU”

1.1.IGBT是功率器件中的“結(jié)晶”

（1）功率半導(dǎo)體根據(jù)集成度可以分為分立器件中的功率器件和集成電路IC中的功率IC兩個(gè)大類。

半導(dǎo)體產(chǎn)品的分類是一個(gè)十分復(fù)雜困難的過(guò)程，國(guó)際上多種分類方法都不可能完美區(qū)分出來(lái)各種產(chǎn)品種類與規(guī)模，目前較多采用WSTS（世界半導(dǎo)體貿(mào)易協(xié)會(huì)）的分類方法。

在下圖的半導(dǎo)體產(chǎn)品中，功率半導(dǎo)體是包含了功率器件與功率IC兩大類，功率IC相對(duì)來(lái)說(shuō)集成芯片的小功率、小電壓產(chǎn)品，功率IC集成度較高，是指將高壓功率器件與其控制電路、外圍接口電路及保護(hù)電路等集成在同一芯片的集成電路，主要應(yīng)用于手機(jī)等小電壓產(chǎn)品。

功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類，其中晶體管市場(chǎng)規(guī)模最大，晶體管又細(xì)分為IGBT、MOSFET、雙極型晶體管等。功率器件是指體積較大，用來(lái)處理較大功率、大電壓的產(chǎn)品，IGBT屬于功率器件的一類產(chǎn)品。

（2）IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。

下圖顯示了一種N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)。IGBT是一個(gè)三端器件，正面有兩個(gè)電極，分別為發(fā)射極(Emitter)和柵極(Gate)背面為集電極(Collector)。

IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通；反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，流過(guò)反向基極電流，使IGBT關(guān)斷。

（3）IGBT是功率半導(dǎo)體中的核心器件，兼具M(jìn)OSFET 及 BJT 兩類器件優(yōu)勢(shì)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。

金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快；而雙極型三極管（BJT）飽和壓降低，BJT更強(qiáng)調(diào)工作功率，MOSFET更強(qiáng)調(diào)工作頻率，因此IGBT兼有以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，性能優(yōu)勢(shì)顯著。

（4）功率半導(dǎo)體的兩大功能是開(kāi)關(guān)與電能轉(zhuǎn)換，主要可以依據(jù)工作頻率與功率大小將功率半導(dǎo)體分為不同類型，IGBT屬于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中高電壓低頻率應(yīng)用的一種。

功率器件通過(guò)調(diào)節(jié)改變電子元器件的功率來(lái)實(shí)現(xiàn)電源開(kāi)關(guān)和電能轉(zhuǎn)換的功能，主要體現(xiàn)在變頻、整流、變壓、開(kāi)關(guān)等方面。其應(yīng)用范圍廣泛，包括工控、風(fēng)電、光伏、電動(dòng)汽車(chē)與充電樁、軌交、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

IGBT屬于其中偏向高電壓、中低頻率應(yīng)用場(chǎng)景的一類產(chǎn)品。一般低壓IGBT常用于變頻白色家電、新能源汽車(chē)零部件等領(lǐng)域；中壓IGBT常用于工業(yè)控制、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域；高壓IGBT常用于軌道交通、電網(wǎng)等領(lǐng)域。

（5）IGBT通常應(yīng)用形式是模塊或者單管，內(nèi)部的核心組件就是IGBT芯片。

如下圖所示的IGBT模塊型號(hào)為：FF1400R17IP4，模塊的長(zhǎng)寬高為：25cmx8.9cmx3.8cm，模塊內(nèi)部包含兩個(gè)IGBT模組，也就是我們常說(shuō)的半橋模塊。IGBT模塊內(nèi)部主要包含3個(gè)部件，散熱基板、DBC（Direct Bonding Copper-直接覆銅陶瓷板）基板和硅芯片(包含IGBT芯片和Diode芯片)，其余的主要是焊料層和互連導(dǎo)線，用途是將IGBT芯片、Diode芯片、功率端子、控制端子以及DBC連接起來(lái)。

DBC的主要功能需要保證硅芯片和散熱基板之間的電氣絕緣能力以及良好的導(dǎo)熱能力，同時(shí)還要滿足一定的電流傳輸能力。DBC基板類似2層PCB電路板， DBC常用的陶瓷絕緣材料為氧化鋁(Al2O3)和氮化鋁(AlN)。如下右圖所示，半橋結(jié)構(gòu) IGBT模塊內(nèi)部有6個(gè)DBC，每個(gè)DBC上有4個(gè)IGBT芯片和2個(gè)Diode（二極管）芯片。無(wú)論是內(nèi)部的芯片還是最終形成的模組，IGBT的每一個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘均較高。

（6）IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊）是一種功能強(qiáng)大的集成電路模塊，可以用于控制和驅(qū)動(dòng)高功率電子設(shè)備，如交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、變頻器、逆變器等。

由于IGBT器件的固有特性，當(dāng)出現(xiàn)過(guò)流?短路?過(guò)壓時(shí)如不能及時(shí)保護(hù)，往往在十幾微秒乃至數(shù)微秒內(nèi)就會(huì)導(dǎo)致IGBT損壞，造成電力變換系統(tǒng)停機(jī)事故。

為了解決IGBT在驅(qū)動(dòng)保護(hù)?可靠性方面的不足 IPM把驅(qū)動(dòng)和多種保護(hù)電路封裝在同一模塊，IPM應(yīng)用過(guò)程中，不再需要用戶自己設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，IGBT的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)由IPM內(nèi)部電路來(lái)完成。IPM模塊通常包括一個(gè)功率MOSFET、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）或SiC（碳化硅）等開(kāi)關(guān)器件，以及一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，用于控制這些開(kāi)關(guān)器件的導(dǎo)通和截止。

此外，IPM模塊還通常集成有電源電路、電流和電壓傳感器、過(guò)溫保護(hù)和短路保護(hù)等功能，可以提供全面的保護(hù)措施，以保證高功率電子設(shè)備的安全和可靠性。

（7）IGBT應(yīng)用范圍按照領(lǐng)域的不同主要可以分為三大類：消費(fèi)類，工業(yè)類，汽車(chē)類。IGBT單管主要應(yīng)用于小功率家用電器、分布式光伏逆變器；IGBT模塊主要應(yīng)用于大功率工業(yè)變頻器、電焊機(jī)、新能源汽車(chē)（電機(jī)控制器、車(chē)載空調(diào)、充電樁）等領(lǐng)域；而IPM模塊應(yīng)用于變頻空調(diào)、變頻冰箱等白色家電產(chǎn)品。

（8）相比工控與消費(fèi)類IGBT，車(chē)規(guī)級(jí)IGBT對(duì)產(chǎn)品安全性和可靠性提出更高要求。

作為汽車(chē)電氣化變革的關(guān)鍵制程，IGBT產(chǎn)品在智能汽車(chē)中具有不可替代的作用。由于汽車(chē)電子本身使用環(huán)境較為復(fù)雜，一旦失效可能引發(fā)嚴(yán)重后果，所以市場(chǎng)對(duì)于車(chē)規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品的要求要高于工控類與消費(fèi)類IGBT產(chǎn)品。對(duì)比之下，車(chē)規(guī)級(jí)IGBT對(duì)于溫度的覆蓋要求更高、對(duì)出錯(cuò)率的容忍度更低且要求使用時(shí)間也更長(zhǎng)、工藝處理和電路設(shè)計(jì)方面對(duì)可靠性和散熱性要求更高。

具體體現(xiàn)為：

1）車(chē)規(guī)級(jí) IGBT 的工作溫度范圍廣，IGBT 需適應(yīng)“極熱”、“極冷”的高低溫工況；2）需承受頻繁啟停、加減速帶來(lái)的電流沖擊，導(dǎo)致 IGBT 結(jié)溫快速變化，對(duì) IGBT 耐高溫和散熱性能要求更高；3）汽車(chē)行駛中可能會(huì)受到較大的震動(dòng)和顛簸，要求 IGBT 模塊的各引線端子有足夠強(qiáng)的機(jī)械強(qiáng)度，能夠在強(qiáng)震動(dòng)情況下正常運(yùn)行；4）需具備長(zhǎng)使用壽命，要求零失效率。

1.2.IGBT技術(shù)不斷迭代，產(chǎn)品推陳出新

（1）IGBT產(chǎn)品的技術(shù)路徑在于不斷降低導(dǎo)通損耗、降低開(kāi)關(guān)損耗、提升安全工作區(qū)這樣三個(gè)相互矛盾的方面來(lái)進(jìn)行。

IGBT產(chǎn)品作為一個(gè)商業(yè)化的產(chǎn)品，長(zhǎng)期目標(biāo)是不斷提升性能，同時(shí)不斷降低成本。

能夠評(píng)價(jià)IGBT性能的指標(biāo)有很多個(gè)，比較關(guān)鍵指標(biāo)有三個(gè)，其一是降低開(kāi)關(guān)損耗，是指在滿足高頻率的開(kāi)關(guān)功能條件下，提升轉(zhuǎn)換能量效率；其二是導(dǎo)通損耗，是指電路導(dǎo)通后降低熱損耗，提升電能轉(zhuǎn)換效率；其三是提升安全工作區(qū)，是指盡可能保證器件在更大的溫度、電壓、電流范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

除了以上三個(gè)核心維度之外，提升電流密度、提高阻斷電壓、提高結(jié)溫、減少耗材等性能指標(biāo)也很重要。通常來(lái)說(shuō)，各個(gè)產(chǎn)品性能指標(biāo)之間是相互矛盾的，同時(shí)提升所有性能指標(biāo)是理想的目的，長(zhǎng)期來(lái)看是可以實(shí)現(xiàn)這一過(guò)程的，但短期設(shè)計(jì)過(guò)程往往需要根據(jù)下游應(yīng)用側(cè)重考慮某些重要指標(biāo)。

IGBT經(jīng)過(guò)30余年的不斷發(fā)展，整體性能不斷提升，核心指標(biāo)來(lái)看，功率密度已經(jīng)提高了3倍，能耗不斷降低只有剛開(kāi)始的1/3，IGBT的新技術(shù)依然在不斷迭代中。

（2）IGBT柵極結(jié)構(gòu)從平面柵向Trench溝槽型結(jié)構(gòu)發(fā)展，再發(fā)展到最新的微溝槽型。

在平面柵IGBT中，在電子流通方向上，包含溝道電阻Rkanal，JFET電阻RJFET，與漂移區(qū)電阻Rn-，通過(guò)刺蝕將溝道從橫向變?yōu)榭v向，電子溝道垂直于硅片表面，消除了JFET結(jié)構(gòu)，增加了表面溝道密度，提高近表面載流子濃度，從而使性能更加優(yōu)化。

另一方面，相比于平面柵極IGBT，溝槽IGBT的垂直結(jié)構(gòu)省去了在硅表面上制作導(dǎo)電溝道的面積，更有利于設(shè)計(jì)緊湊的元胞，即在同等芯片面積上可以制作更多的IGBT元胞，從而增加導(dǎo)電溝道的寬度，降低溝道電阻。

微溝槽型柵極結(jié)構(gòu)進(jìn)一步降低溝槽間距至亞微米級(jí)，使得溝道密度更高，高密度的溝槽柵能夠有效的調(diào)節(jié)出最合適的電容比率，在開(kāi)關(guān)過(guò)程中較小的開(kāi)關(guān)損耗以及較優(yōu)的開(kāi)關(guān)特性，同時(shí)采用了虛擬陪柵結(jié)構(gòu)和非有源區(qū)以提高元胞通態(tài)時(shí)發(fā)射極端載流子濃度。

（3）IGBT縱向結(jié)構(gòu)發(fā)展方向從帶緩沖層的PT型發(fā)展到NPT型再到FS型。

PT型使用重?fù)诫s的P+襯底作為起始層，在此之上依次生長(zhǎng)N+buffer，N-base外延，最后在外延層表面形成元胞結(jié)構(gòu)。工藝復(fù)雜，成本高，飽和壓降呈負(fù)溫度系數(shù)，不利于并聯(lián)，在80年代后期逐漸被NPT取代，目前IGBT產(chǎn)品已不使用PT技術(shù)。

NPT與PT不同在于，它使用低摻雜的N-襯底作為起始層，先在N-漂移區(qū)的正面做成MOS結(jié)構(gòu)，然后用研磨減薄工藝從背面減薄到IGBT電壓規(guī)格需要的厚度，再?gòu)谋趁嬗秒x子注入工藝形成P+collector。

在截止時(shí)電場(chǎng)沒(méi)有貫穿N-漂移區(qū)，NPT不需要載流子壽命控制，但它的缺點(diǎn)在于，如果需要更高的電壓阻斷能力，勢(shì)必需要電阻率更高且更厚的N-漂移層，這意味著飽和導(dǎo)通電壓Vce(sat)也會(huì)隨之上升，從而大幅增加器件的損耗與溫升。

為了進(jìn)一步調(diào)和襯底厚度、耐壓和通態(tài)壓價(jià)增大的矛盾，體結(jié)構(gòu)緩沖層的電場(chǎng)截止（FS）被提出，當(dāng)背面減薄后，先制作一層重?fù)诫s的N型電場(chǎng)截止層，使得硅片更薄。

（4）IGBT芯片隨著每一代產(chǎn)品的升級(jí)，各項(xiàng)性能指標(biāo)均有提升，考慮成本后，當(dāng)前性價(jià)比較高、應(yīng)用廣泛的是第四代產(chǎn)品。

如下所表示，全球IGBT龍頭企業(yè)英飛凌有史以來(lái)誕生了七代不同的產(chǎn)品，每一代產(chǎn)品在結(jié)構(gòu)上有較大的差異，在關(guān)鍵性能指標(biāo)上也都有較大的提升，相對(duì)來(lái)說(shuō)越是先進(jìn)的產(chǎn)品，性能效果越高，能夠?qū)a(chǎn)品研發(fā)到第幾代技術(shù)，某種程度上也說(shuō)明了企業(yè)在絕對(duì)技術(shù)上的研發(fā)實(shí)力。如果考慮到成本等因素，IGBT目前性價(jià)比較高的產(chǎn)品屬于第四代產(chǎn)品。

02 IGBT搭乘新能源快車(chē)打開(kāi)增長(zhǎng)空間天花板

2.1.新能源汽車(chē)市場(chǎng)成為IGBT增長(zhǎng)最充足動(dòng)力

（1）新能源汽車(chē)市場(chǎng)快速發(fā)展，從2021年以來(lái)，市場(chǎng)銷(xiāo)量呈爆發(fā)式增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

根據(jù)中國(guó)汽車(chē)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2021年中國(guó)新能源車(chē)銷(xiāo)量達(dá)到352.1萬(wàn)輛，同比增速為157.57%，2022年持續(xù)大幅增長(zhǎng)達(dá)688.7萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng)95.60%，2019-2022年CAGR達(dá)到78.74%，增速處于高位，2023年市場(chǎng)余熱未消，繼續(xù)保持增長(zhǎng)勢(shì)頭，可以預(yù)見(jiàn)，未來(lái)幾年新能源車(chē)市場(chǎng)將一直處于繁榮上升期，高景氣度持續(xù)。

（2）IGBT是電動(dòng)汽車(chē)和直流充電樁等設(shè)備的核心器件，直接影響電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力釋放速度、車(chē)輛加速能力和高速度，相對(duì)來(lái)說(shuō)汽車(chē)芯片認(rèn)證周期高達(dá)3-5年。

IGBT主要應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC/DC升壓變換器、雙向DC/AC逆變器，以及充電端的DC/DC降壓變換器。對(duì)于電動(dòng)控制系統(tǒng)，作用于大功率直流/交流(DC/AC)逆變后汽車(chē)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)；對(duì)于車(chē)載空調(diào)控制系統(tǒng)，作用于小功率直流/交流(DC/AC)的逆變；對(duì)于充電樁，在智能充電樁中被作為開(kāi)關(guān)元件使用。

IGBT模塊占電動(dòng)汽車(chē)成本將近10%，占充電樁成本約20%。汽車(chē)IGBT的技術(shù)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)極高，IGBT要進(jìn)入到汽車(chē)供應(yīng)商行列，需要滿足新汽車(chē)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)LV324/AQG324的要求，同時(shí)還要滿足中國(guó)IGBT聯(lián)盟和中關(guān)村寬禁帶聯(lián)盟等團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。認(rèn)證指標(biāo)中主要體現(xiàn)在溫度沖擊、功率循環(huán)、溫度循環(huán)、結(jié)溫等與全生命周期可靠性。

最后，汽車(chē)IGBT還要通過(guò)終端汽車(chē)客戶的認(rèn)證，一般來(lái)說(shuō)，認(rèn)證周期在3-5年。

（3）新能源汽車(chē)IGBT市場(chǎng)規(guī)模測(cè)算：

模型假設(shè)：

（1）全球和中國(guó)汽車(chē)總銷(xiāo)量2023、2024年分別保持2%和5%左右低速增長(zhǎng)，與全球和中國(guó)經(jīng)濟(jì)增速保持一致，2025、2026年市場(chǎng)較為飽和，增速放緩；（2）全球新能源汽車(chē)銷(xiāo)量與全球知名電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)研究網(wǎng)站保持一致，中國(guó)新能源汽車(chē)銷(xiāo)量與我國(guó)國(guó)家發(fā)展工作規(guī)劃保持一致；（3）根據(jù)ICV報(bào)告中數(shù)據(jù)，2022年新能源車(chē)單車(chē)IGBT價(jià)值量為1902元，隨著新能源汽車(chē)電動(dòng)化程度加深，IGBT單車(chē)價(jià)值量維持緩慢增長(zhǎng)。

我們根據(jù)IGBT單車(chē)價(jià)值量、全球與中國(guó)新能源汽車(chē)銷(xiāo)量數(shù)據(jù)，測(cè)算出2026年全球新能源汽車(chē)IGBT市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到655.72億元，中國(guó)新能源汽車(chē)IGBT市場(chǎng)規(guī)模2026年有望達(dá)到億407.84億元，2022-2026年CAGR為32.84%，IGBT在新能源汽車(chē)應(yīng)用市場(chǎng)保持較高增速。

2.2.新能源發(fā)電前景廣闊驅(qū)動(dòng)IGBT增長(zhǎng)

（1）IGBT是光伏逆變器的“心臟”，在光伏領(lǐng)域中市場(chǎng)需求提速較快。

IGBT等功率器件作為光伏逆變器、風(fēng)電變流器及儲(chǔ)能變流器的核心半導(dǎo)體部件，對(duì)電能起到整流、逆變等作用，以實(shí)現(xiàn)新能源發(fā)電的交流并網(wǎng)、儲(chǔ)能電池的充放電等功能。

其中光伏逆變器是最主要的應(yīng)用場(chǎng)景，光伏IGBT對(duì)于可靠性的要求非常高，新能源發(fā)電輸出的電能需要通過(guò)光伏逆變器將整流后的直流電逆變?yōu)榉想娋W(wǎng)要求的交流電后輸入電網(wǎng)，這種線路需要將IGBT模塊性能的可用性實(shí)現(xiàn)最大化以保持電網(wǎng)的穩(wěn)定性。

（2）新能源發(fā)電主要包括風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能三部分，目前風(fēng)光儲(chǔ)裝機(jī)量大幅提升，發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，同時(shí)帶動(dòng)IGBT需求增長(zhǎng)。

光伏逆變器原材料主要由結(jié)構(gòu)件、電感、半導(dǎo)體器件等構(gòu)成，半導(dǎo)體器件和集成電路材料主要為IGBT元器件、IC半導(dǎo)體等。

在碳中和背景下，光伏和風(fēng)力等新能源的應(yīng)用已成為指向標(biāo)，中國(guó)光伏發(fā)電新增裝機(jī)容量趨勢(shì)保持逐年上升態(tài)勢(shì)，根據(jù)國(guó)家能源局?jǐn)?shù)據(jù)，2023年1-8月份光伏裝機(jī)容量跳躍式增長(zhǎng)至11316萬(wàn)千瓦，超過(guò)2022年全年新增裝機(jī)容量8741萬(wàn)千瓦，隨著光伏裝機(jī)量的持續(xù)增長(zhǎng)，對(duì)IGBT的需求也迅速攀升。

逆變器中IGBT等電子元器件使用年限一般為10年-15年，而光伏組件的運(yùn)營(yíng)周期是25年，所以逆變器在光伏組件的生命周期內(nèi)至少需要更換一次，這也進(jìn)一步擴(kuò)大了IGBT在光伏系統(tǒng)中的使用量。

（3）中國(guó)光伏逆變器和風(fēng)電變流器IGBT市場(chǎng)規(guī)模測(cè)算：

模型假設(shè)：

（1）全球和國(guó)內(nèi)新增光伏裝機(jī)量與中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)測(cè)保持一致性，我國(guó)光伏行業(yè)駛?cè)肟燔?chē)道，而全球發(fā)展不確定性因素更高，因此設(shè)定同比增速低于我國(guó)；（2）光伏組件和光伏逆變器的容配比為1.25；（3）根據(jù)SMM數(shù)據(jù)測(cè)算出2022年光伏逆變器單瓦價(jià)格為0.20元/W，在降價(jià)大趨勢(shì)下預(yù)計(jì)2023年降至0.16元/W，在技術(shù)迭代與競(jìng)爭(zhēng)加劇下逐年持續(xù)降低，2026年下降至0.13元/W；（4）根據(jù)固德威招股說(shuō)明書(shū)IGBT在采購(gòu)金額中占比數(shù)據(jù)，我們?cè)O(shè)定IGBT占光伏逆變器成本比例維持在10%。

我們根據(jù)光伏新增裝機(jī)量預(yù)測(cè)、光伏逆變器需求量和逆變器單位價(jià)格等數(shù)據(jù)定量分析，測(cè)算出全球和國(guó)內(nèi)光伏逆變器IGBT國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的36.80億元和13.99億元逐年增長(zhǎng)至2026年的71.95億元和27.30億元，2022-2026年復(fù)合增速分布為18.25%和18.20%。

模型假設(shè)：

（1）全球風(fēng)電新增裝機(jī)量分為陸上和海上兩大類，陸上和海上新增裝機(jī)量與全球風(fēng)能理事會(huì)預(yù)測(cè)保持一致，國(guó)內(nèi)新增風(fēng)電裝機(jī)量與國(guó)家發(fā)展規(guī)劃和全球風(fēng)能理事會(huì)預(yù)測(cè)保持一致；（2）風(fēng)電變流器2022年單價(jià)參考龍頭公司招標(biāo)結(jié)果公告為0.17元/W，以后年度保持穩(wěn)定；（3）根據(jù)禾望電氣招股說(shuō)明書(shū)功率器件在采購(gòu)金額中占比，我們?cè)O(shè)定IGBT占風(fēng)電變流器成本比例維持在10%。

根據(jù)風(fēng)電變流需求量、單瓦價(jià)格，我們測(cè)算出全球和國(guó)內(nèi)風(fēng)電變流器IGBT市場(chǎng)規(guī)模從2022年13.19億元和6.40億元翻倍增長(zhǎng)至2026年的25.53億元和16.89億元，2022-2026年復(fù)合增長(zhǎng)率分別為17.94%和27.47%

2.6.國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)乘風(fēng)新能源領(lǐng)域迅速擴(kuò)張

（1）受益于新能源汽車(chē)和新能源發(fā)電的需求大幅增加，中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)，根據(jù)我們的測(cè)算結(jié)果的合計(jì)，到2026年，中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將有望達(dá)到685.78億人民幣，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)21.48%。

在各下游市場(chǎng)中，新能源汽車(chē)市場(chǎng)依然是增速最快的部分，其市場(chǎng)規(guī)模2022-2026年復(fù)合增速高達(dá)32.84%；而新能源發(fā)電市場(chǎng)也將獲得21.34%的行業(yè)增速，成為第二大市場(chǎng)規(guī)模增速較高的領(lǐng)域；軌道交通市場(chǎng)的增速也相對(duì)較快達(dá)17.04%，由于其體量較小，對(duì)IGBT市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)張?zhí)峁┑呢暙I(xiàn)相對(duì)較小，但仍然是具有良好發(fā)展前景的應(yīng)用領(lǐng)域；工控市場(chǎng)發(fā)展較為成熟，波動(dòng)較小成為下游市場(chǎng)穩(wěn)健支撐，工控IGBT市場(chǎng)規(guī)模保持穩(wěn)定增長(zhǎng)；變頻白電雖然增速最低，但其體量大、應(yīng)用滲透率高，也是不可或缺的重要助力。

（2）從下游占比來(lái)看，2026年預(yù)計(jì)新能源汽車(chē)、工業(yè)控制、變頻白電、新能源發(fā)電、軌道交通分別為60%、18%、15%、6%以及1%。

下游應(yīng)用領(lǐng)域中規(guī)模占比最大的前三大領(lǐng)域始終為新能源汽車(chē)、工業(yè)控制和變頻白電，新能源汽車(chē)市場(chǎng)將在雙碳政策和技術(shù)升級(jí)雙輪驅(qū)動(dòng)下繼續(xù)保持旺盛需求，其主導(dǎo)地位未來(lái)有望得到進(jìn)一步鞏固，市場(chǎng)占比從2022年的42%有望在2026年提升至60%，占據(jù)IGBT市場(chǎng)一半以上的份額。

03 國(guó)產(chǎn)IGBT崛起有望重塑海外寡頭壟斷格局

3.1.行業(yè)壁壘成為IGBT集中度高的內(nèi)在因素

3.1.1.技術(shù)壁壘

（1）IGBT的核心生產(chǎn)過(guò)程也包括芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封測(cè)與模塊設(shè)計(jì)三個(gè)主要部分，各有其技術(shù)難點(diǎn)。

芯片設(shè)計(jì)方面，IGBT芯片由于考慮到處在大電流、高電壓、高頻率工作環(huán)境的特性，對(duì)芯片的可靠性要求也相對(duì)較高，同時(shí)芯片設(shè)計(jì)需保證開(kāi)通關(guān)斷、抗短路能力和導(dǎo)通壓降（控制熱量）三者處于動(dòng)態(tài)均衡狀態(tài)，芯片設(shè)計(jì)與參數(shù)調(diào)整優(yōu)化十分特殊和復(fù)雜。芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的主要技術(shù)難點(diǎn)有：1.終端設(shè)計(jì)在小尺寸滿足高耐壓的基礎(chǔ)上須保證其高可靠性；2.元胞設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高電流密度的同時(shí)須保證其較寬泛的安全工作區(qū)和足夠的短路能力。

晶圓制造方面，IGBT的正面工藝和標(biāo)準(zhǔn)BCD的LDMOS區(qū)別相差不大，其背面工藝較為復(fù)雜，要求嚴(yán)苛，主要包括三大技術(shù)難點(diǎn)：背板減薄、激光退火、離子注入，通過(guò)背面薄片工藝的重復(fù)性和一致性來(lái)確保批量生產(chǎn)的連續(xù)性。

背面工藝是在基于已完成正面Device和金屬Al層的基礎(chǔ)上，將硅片通過(guò)機(jī)械減薄或特殊減薄工藝（如Taiko、Temporary Bonding 技術(shù)）進(jìn)行減薄處理，然后對(duì)減薄硅片進(jìn)行背面離子注入，如N型摻雜P離子、P型摻雜B離子，在此過(guò)程中還引入了激光退火技術(shù)來(lái)精確控制硅片面的能量密度。特定耐壓指標(biāo)的IGBT器件，芯片厚度需要減薄到100-200μm，對(duì)于要求較高的器件，甚至需要減薄到60~80μm。

當(dāng)硅片厚度減到100-200μm的量級(jí)，后續(xù)的加工處理非常困難，硅片極易破碎和翹曲。從8寸到12寸有兩個(gè)關(guān)鍵門(mén)檻：減薄要求從120μm轉(zhuǎn)成80μm，翹曲更嚴(yán)重，背面高能離子注入（氫離子注入），設(shè)備單價(jià)高。

模塊封裝方面，分為模塊設(shè)計(jì)、模塊制造，其中模塊設(shè)計(jì)包括機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、電路布局設(shè)計(jì)、熱設(shè)計(jì)、電磁設(shè)計(jì)等，一款I(lǐng)GBT模塊的開(kāi)發(fā)需要進(jìn)行機(jī)、電、熱、磁等方面的優(yōu)化并兼顧模塊工藝的可實(shí)現(xiàn)性等方面因素。

模塊設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的主要難點(diǎn)在于保證可靠性和散熱性能：

1.在不影響器件參數(shù)的前提下，不同封裝形式其工藝路線的設(shè)計(jì)須保證內(nèi)部器件的長(zhǎng)期可靠性；

2.在保證良好的均流散熱等性能的前提下，不同封裝形式內(nèi)部布局的設(shè)計(jì)須實(shí)現(xiàn)低雜散電感并避免內(nèi)部各器件的相互干擾。

而模塊制造則是指根據(jù)特定的電路設(shè)計(jì)，將兩個(gè)或以上的IGBT芯片和其他芯片貼片到DBC板上，并用金屬線鍵合連接，然后進(jìn)行灌封或塑封，以滿足芯片、線路之間的絕緣、防潮、抗干擾等要求，最后將電路密封在絕緣外殼內(nèi)，并與散熱底板絕緣的工藝。

不同下游應(yīng)用對(duì)封裝技術(shù)要求存在差異，其中車(chē)規(guī)級(jí)由于工作溫度高同時(shí)還需考慮強(qiáng)振動(dòng)條件，其封裝要求高于工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)。

（2）與其他半導(dǎo)體不同的是，在封測(cè)與模塊上IGBT的技術(shù)壁壘極高并且擁有較高的毛利率。一般來(lái)說(shuō)，所有的半導(dǎo)體核心工藝都有芯片設(shè)計(jì)、晶圓代工、封裝測(cè)試三個(gè)環(huán)節(jié)，相對(duì)來(lái)說(shuō)芯片設(shè)計(jì)的附加值極高。

但是，對(duì)于IGBT企業(yè)來(lái)說(shuō)，IGBT封測(cè)與模塊是一個(gè)技術(shù)壁壘極高的工作，在高電壓、大功率的環(huán)境下，需要解決很多功能損耗、高溫度范圍、高壓高流等諸多復(fù)雜問(wèn)題，某種程度上來(lái)說(shuō)模塊設(shè)計(jì)也是體現(xiàn)企業(yè)的核心價(jià)值一部分，一般來(lái)說(shuō)毛利率也相對(duì)較高。

3.1.2.市場(chǎng)壁壘

客戶認(rèn)可度是IGBT廠商的主要市場(chǎng)壁壘。

IGBT模塊是下游產(chǎn)品中的關(guān)鍵部件，其性能表現(xiàn)、穩(wěn)定性和可靠性對(duì)下游客戶來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，下游客戶將供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定作為所考慮首要因素，更傾向于和IGBT供應(yīng)商保持長(zhǎng)期合作關(guān)系，一旦合作后客戶粘性大大提升，變更已有長(zhǎng)期合作的供應(yīng)商的意愿較。

IGBT模塊認(rèn)證周期較長(zhǎng)，替換成本高，下游客戶會(huì)對(duì)于新入場(chǎng)的IGBT供應(yīng)商保持相對(duì)謹(jǐn)慎的態(tài)度，不僅要考慮供應(yīng)商的實(shí)力，產(chǎn)品還要經(jīng)過(guò)單機(jī)測(cè)試、整機(jī)測(cè)試、多次小批量試用等多個(gè)環(huán)節(jié)之后才會(huì)做出大批量采購(gòu)決策，采購(gòu)決策周期較長(zhǎng)。

IGBT模塊的驗(yàn)證測(cè)試項(xiàng)目繁多，其中可靠性測(cè)試最為重要，是客戶關(guān)注度最高的性能指標(biāo)。

3.2.海外龍頭主導(dǎo)IGBT市場(chǎng)

（1）從整個(gè)IGBT的產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，核心環(huán)節(jié)幾乎都是海外企業(yè)為主，但在每一個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，我國(guó)均有企業(yè)在積極布局。

IGBT的核心產(chǎn)業(yè)鏈中，我國(guó)有多個(gè)企業(yè)積極參與布局，主要分為Fabless、foundry、IDM三種運(yùn)作模式。IDM模式即垂直整合制造商，是指包含電路設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、模塊等全環(huán)節(jié)業(yè)務(wù)的企業(yè)模式；Fabless模式是芯片設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售經(jīng)營(yíng)模式，即企業(yè)自身專注于芯片設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售，而將芯片制造外協(xié)給代工廠商生產(chǎn)制造的模式；Foundry模式主要負(fù)責(zé)制造生產(chǎn)環(huán)節(jié)，根據(jù)客戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，采購(gòu)原材料來(lái)進(jìn)行加工制造。

海外龍頭企業(yè)多為IDM模式，如英飛凌、安森美等企業(yè)，國(guó)內(nèi)IDM模式的公司較少，絕大多數(shù)為上市公司，但在全球市場(chǎng)中占據(jù)一定的市場(chǎng)份額，如比亞迪半導(dǎo)、士蘭微、中車(chē)時(shí)代電氣等公司。

國(guó)內(nèi)主流的芯片生產(chǎn)是采用Fabless的代工模式，典型公司有斯達(dá)半導(dǎo)、宏微科技等，而代工廠根據(jù)公司提供的工藝流程和設(shè)計(jì)版圖，生產(chǎn)出各項(xiàng)參數(shù)符合設(shè)計(jì)指標(biāo)的芯片，華虹宏力目前是國(guó)內(nèi)最先進(jìn)，最全面的半導(dǎo)體功率器件代工廠。

（2）全球IGBT市場(chǎng)呈現(xiàn)出集中度高，海外廠商英飛凌、富士電機(jī)、三菱這TOP3大企業(yè)占據(jù)了超過(guò)50%的市場(chǎng)份額。

根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2021年全球IGBT單管市場(chǎng)中，中國(guó)大陸企業(yè)只有士蘭微進(jìn)入前十大廠商中，占據(jù)4%的市場(chǎng)份額；2021年全球IGBT模塊市場(chǎng)中，中國(guó)大陸只有斯達(dá)半導(dǎo)和中車(chē)時(shí)代進(jìn)入前十大廠商，分別占據(jù)3%和2%。

國(guó)外巨頭英飛凌無(wú)論在單管還是模塊都處于絕對(duì)龍頭地位，而國(guó)內(nèi)廠商市場(chǎng)份額較低，且只在某一產(chǎn)品上具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

國(guó)內(nèi)廠商和國(guó)外廠商存在差距的原因主要是國(guó)外廠商成立時(shí)間早，比如富士電機(jī)成立于1923年，三菱電機(jī)成立于1921年，技術(shù)積累豐富，同時(shí)與海外汽車(chē)、工控等大型企業(yè)合作十分緊密，在技術(shù)與生態(tài)上優(yōu)勢(shì)顯著。

國(guó)內(nèi)的幾大廠商主要集中在1997—2005年，技術(shù)追趕較慢，產(chǎn)業(yè)資源十分稀缺，但國(guó)內(nèi)企業(yè)已經(jīng)完成0-1的技術(shù)突破，先從消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)中低端產(chǎn)品入手逐步打開(kāi)市場(chǎng)，目前已經(jīng)有一些企業(yè)帶來(lái)車(chē)規(guī)級(jí)高端產(chǎn)品市場(chǎng)，隨著國(guó)產(chǎn)化不斷深入，國(guó)內(nèi)企業(yè)未來(lái)迎來(lái)加速發(fā)展期。

（3）國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)量穩(wěn)步提升，國(guó)產(chǎn)化率長(zhǎng)期不斷上升。

根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)計(jì)，2023年中國(guó)IGBT產(chǎn)量有望快速增長(zhǎng)達(dá)到3624萬(wàn)只，自給率也將達(dá)到32.90%，近年來(lái)，隨著我國(guó)IGBT技術(shù)的不斷更新迭代，國(guó)產(chǎn)廠商逐步突破產(chǎn)能受限問(wèn)題，加速產(chǎn)能布局，目前正處于國(guó)產(chǎn)替代的增長(zhǎng)階段。

（4）全球海外IGBT企業(yè)大多是全球知名的芯片企業(yè)，歷史悠久，總體收入規(guī)模巨大。

我們梳理了全球的IGBT龍頭企業(yè)，根據(jù)下表中的數(shù)據(jù)可以看出全球龍頭標(biāo)的的一些特征。

全球IGBT龍頭企業(yè)均為知名芯片巨頭企業(yè)，這些龍頭企業(yè)營(yíng)收規(guī)模都在幾百億上千億元，功率器件只占據(jù)業(yè)務(wù)的一部分，一方面因?yàn)楣β势骷?guī)模相對(duì)有限，當(dāng)企業(yè)發(fā)展到一定規(guī)模后會(huì)通過(guò)橫向發(fā)展、協(xié)同發(fā)展其他芯片賽道業(yè)務(wù)，另一方面也體現(xiàn)了功率器件與下游客戶綁定程度較深，具有半定制化的特征，很難形成寡頭壟斷格局。

這也給國(guó)內(nèi)企業(yè)長(zhǎng)期發(fā)展提供一定參考，創(chuàng)業(yè)期可以專注于功率器件、IGBT業(yè)務(wù)，后期成長(zhǎng)發(fā)展可能也需要橫向發(fā)展與協(xié)同發(fā)展來(lái)擴(kuò)張企業(yè)規(guī)模。

3.3.海外龍頭短期內(nèi)交貨周期與價(jià)格維持穩(wěn)定態(tài)勢(shì)

（1）全球半導(dǎo)體周期下行趨勢(shì)下，短期IGBT全球價(jià)格保持相對(duì)穩(wěn)定。

2023年第二季度，海外主要 IGBT 廠商英飛凌及意法半導(dǎo)體交貨周期和價(jià)格保持平穩(wěn)態(tài)勢(shì)。交付貨期方面，與第一季度相比較，英飛凌貨期維持在39-50 周，意法半導(dǎo)體維持47-52 周；價(jià)格趨勢(shì)方面，英飛凌與意法半導(dǎo)體均環(huán)比持平。

現(xiàn)階段下游需求持續(xù)高景氣度，而上游海外廠商產(chǎn)能釋放有限，IGBT市場(chǎng)面臨短期內(nèi)供不應(yīng)求的狀態(tài)，這為國(guó)產(chǎn)企業(yè)提供了機(jī)遇。

如今，本土IGBT產(chǎn)品性能已經(jīng)逐漸成熟，且部分產(chǎn)品性能可對(duì)標(biāo)海外IGBT大廠產(chǎn)品，加速國(guó)產(chǎn)化IGBT產(chǎn)品市場(chǎng)滲透，逐步切入高端市場(chǎng)，助力應(yīng)用新能源車(chē)與發(fā)電領(lǐng)域的IGBT市場(chǎng)保持向好態(tài)勢(shì)。

（2）國(guó)內(nèi)企業(yè)在全球規(guī)模較小，海外巨頭企業(yè)的價(jià)格是國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品定價(jià)的錨，短期內(nèi)國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品價(jià)格預(yù)計(jì)保持穩(wěn)定。

由于國(guó)內(nèi)企業(yè)的規(guī)模普遍偏小，在全球不具備產(chǎn)品定價(jià)權(quán)，同類產(chǎn)品上多參考海外巨頭產(chǎn)品的價(jià)格，在此基礎(chǔ)上根據(jù)與客戶的協(xié)商定價(jià)。全球巨頭產(chǎn)品的價(jià)格有所調(diào)整，國(guó)內(nèi)企業(yè)價(jià)格理論上也會(huì)同方向上調(diào)整。

2021年受到全球缺芯價(jià)格影響，國(guó)內(nèi)企業(yè)的功率器件產(chǎn)品大幅度漲價(jià)，2022年缺芯逐步緩解，價(jià)格企穩(wěn)下降，到目前為止，功率器件的供貨周期穩(wěn)定，價(jià)格相對(duì)穩(wěn)定。

3.4.國(guó)內(nèi)廠商產(chǎn)能逐步釋放加速國(guó)產(chǎn)替代

國(guó)內(nèi)晶圓產(chǎn)能分布以代工廠產(chǎn)能占據(jù)主導(dǎo)，同時(shí)多家IDM廠商在自建產(chǎn)線上擴(kuò)產(chǎn)，生產(chǎn)的晶圓規(guī)格主要集中于6、8和12 英寸上，12英寸難度較大產(chǎn)能相對(duì)較低。

國(guó)內(nèi)生產(chǎn)IGBT芯片的企業(yè)主要有代工廠以及IDM模式的功率器件企業(yè)，我們從以下圖表可知， Fabless、IDM、Foundry的企業(yè)都有擴(kuò)張產(chǎn)能計(jì)劃，按照面積初步估算國(guó)內(nèi)企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)后的總產(chǎn)能相比于目前產(chǎn)能增加幅度在50%以內(nèi)，并且產(chǎn)能規(guī)劃在1-3年內(nèi)完成，因此我國(guó)企業(yè)IGBT的總產(chǎn)能增加在全球?qū)Ρ葋?lái)看依然不高。

產(chǎn)能增長(zhǎng)后，企業(yè)的產(chǎn)能利用率也有一個(gè)爬坡期，最終的銷(xiāo)量到客戶也需要一個(gè)過(guò)程。此外，IGBT模塊與IPM模塊也需要相關(guān)的產(chǎn)線來(lái)制造，根據(jù)斯達(dá)半導(dǎo)與宏微科技的公告來(lái)看，模塊的產(chǎn)能增長(zhǎng)相對(duì)更加簡(jiǎn)單，但目前IGBT芯片的自給率都還有空間。

綜合來(lái)看，我國(guó)IGBT芯片的產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)相對(duì)積極，但總產(chǎn)能在全球占比依然不高，國(guó)產(chǎn)化空間依然較大。

04 公司介紹

4.1.斯達(dá)半導(dǎo)：全球IGBT模塊市場(chǎng)第六、國(guó)內(nèi)第一

（1）深耕IGBT行業(yè)，多領(lǐng)域拓展市場(chǎng)。

嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售服務(wù)，在浙江、上海、重慶和歐洲均設(shè)有子公司，并在國(guó)內(nèi)和歐洲設(shè)有研發(fā)中心，是目前國(guó)內(nèi)IGBT領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，IGBT模塊市場(chǎng)份額全球排名第六，是國(guó)內(nèi)唯一進(jìn)入全球前10的IGBT模塊供應(yīng)商。

公司產(chǎn)品包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等，其中IGBT模塊作為公司的最主要產(chǎn)品，電壓等級(jí)涵蓋100-3300V，電流等級(jí)涵蓋10A-3600A，覆蓋范圍廣泛，公司產(chǎn)品可以滿足工業(yè)控制、新能源、新能源汽車(chē)、白色家電等領(lǐng)域的需求。

公司于2007年推出了第一款I(lǐng)GBT模塊，隨后逐步成功研發(fā)出小功率、工業(yè)級(jí)中功率、大功率IGBT模塊、汽車(chē)級(jí)模塊、碳化硅模塊、車(chē)用48V BSG功率模塊、車(chē)用雙面焊接模塊等。公司研發(fā)實(shí)力強(qiáng)勁，自研芯片技術(shù)已經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，2012年研發(fā)出NPT型IGBT芯片，2015年研發(fā)出FS-Trench型IGBT芯片，2016年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，2021年第七代微溝槽FS-Trench車(chē)規(guī)級(jí)IGBT芯片研發(fā)成功。

公司已經(jīng)在新能源汽車(chē)、新能源發(fā)電和工業(yè)控制領(lǐng)域成為多家頭部企業(yè)的供應(yīng)商，建立了極大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)子公司斯達(dá)歐洲業(yè)務(wù)規(guī)模快速增長(zhǎng)，車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品在海外市場(chǎng)在歐洲一線品牌Tier1開(kāi)始大批量出貨，海外新能源汽車(chē)市場(chǎng)業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)階段性突破。

（2）業(yè)績(jī)維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，緊跟市場(chǎng)需求導(dǎo)向。

公司2022年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入27.05億元，同比增長(zhǎng)58.53%， 2018-2022年GAGR為41.49%，歸母凈利潤(rùn)為8.18億元，與上年同期相比增長(zhǎng)105.24%；2023年上半年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收16.88億元，同比增長(zhǎng)46.25%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)4.2億元，同比增速為24.06%，增速雖有放緩，但仍維持較高水平，這主要是得益于新能源汽車(chē)、風(fēng)光儲(chǔ)等應(yīng)用領(lǐng)域市場(chǎng)的持續(xù)景氣，公司以市場(chǎng)為導(dǎo)向不斷改進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，加快產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與客戶驗(yàn)證進(jìn)度，逐步釋放產(chǎn)能，穩(wěn)步提高市場(chǎng)占有率。

（3）盈利能力逐步提升，費(fèi)用端實(shí)現(xiàn)有效管控。

在公司技術(shù)和產(chǎn)品發(fā)展迭代過(guò)程中，疊加公司營(yíng)收增長(zhǎng)帶來(lái)的規(guī)模效應(yīng)，公司銷(xiāo)售、管理、財(cái)務(wù)費(fèi)用率呈逐年下降態(tài)勢(shì)，以及上市融資促使財(cái)務(wù)費(fèi)用率快速下降，客戶粘性在一定程度上降低了銷(xiāo)售費(fèi)用率，同時(shí)受益于行業(yè)高景氣周期影響，2018年至2022年，公司毛利率29.41%提升到40.30%，凈利率從14.29%提升到30.34%，盈利水平明顯提升。

2023年上半年，毛利率和凈利率分別為36.18%和25.71%，與2022年相比有所下降，主要原因是競(jìng)爭(zhēng)加劇，車(chē)用模塊價(jià)格下降，短期價(jià)格承壓，但隨著未來(lái)業(yè)務(wù)模式的改善，晶圓成本有望降低，毛利率長(zhǎng)期來(lái)看仍有增長(zhǎng)空間。

（4）新能源業(yè)務(wù)高速增長(zhǎng)，公司下游應(yīng)用結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化。

從主營(yíng)構(gòu)成來(lái)看，2022年公司新能源業(yè)務(wù)快速爆發(fā)，新能源業(yè)務(wù)營(yíng)收為14.56億元，同比增速達(dá)154.81%，占比從2021年的34%，上升至2022年的54%，實(shí)現(xiàn)突破性增長(zhǎng)。

2023年上半年，新能源業(yè)務(wù)持續(xù)發(fā)力，營(yíng)收占比進(jìn)一步提高到59%，成為公司業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)的重要充足動(dòng)力；工業(yè)控制和電源業(yè)務(wù)歷年來(lái)保持小幅穩(wěn)定增長(zhǎng)，是保證公司營(yíng)收穩(wěn)定的堅(jiān)實(shí)支撐。

（5）公司主要關(guān)注要素：

1）SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目以及高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目方面，目前還處于建設(shè)階段，項(xiàng)目建設(shè)完成后，將形成年產(chǎn)6萬(wàn)片6英寸車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET芯片以及30萬(wàn)片6英寸3300V以上高壓特色功率芯片的生產(chǎn)能力；

2）新能源汽車(chē)業(yè)務(wù)方面，公司生產(chǎn)的應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊持續(xù)放量，合計(jì)配套超過(guò)60萬(wàn)輛新能源汽車(chē)，其中A級(jí)及以上車(chē)型超過(guò)40萬(wàn)輛，同時(shí)公司在車(chē)用空調(diào)，充電樁，電子助力轉(zhuǎn)向等新能源汽車(chē)半導(dǎo)體器件份額進(jìn)一步提高；

公司新增多個(gè)使用第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的1200V車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊、車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，將對(duì)公司2024-2030年主控制器用車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊IGBT模塊銷(xiāo)售增長(zhǎng)提供持續(xù)推動(dòng)力；

公司使用公司自主SiC MOSFET芯片的車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊在主電機(jī)控制器客戶完成驗(yàn)證并開(kāi)始小批量出貨；

3）光伏儲(chǔ)能業(yè)務(wù)方面，公司基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的適用于光儲(chǔ)行業(yè)的IGBT芯片以及模塊開(kāi)始批量供貨，預(yù)計(jì)2023年下半年市場(chǎng)份額將迅速提高。

審核編輯：黃飛

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