是翻轉(zhuǎn)。翻轉(zhuǎn)晶片進(jìn)行蝕刻工藝的話,蝕刻均勻度最好在1%以下。因此,如果一面進(jìn)行工程,工程時(shí)間將增加一倍。為了減少工序時(shí)間,對(duì)在進(jìn)行頂面工序的同時(shí)進(jìn)行背面工序的方法進(jìn)行了評(píng)價(jià)。本研究旨在制作可安裝在晶片背面的蝕刻噴
2022-01-05 14:23:201067 在本研究中,我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來(lái)防止硅片的背面蝕刻,并演示了優(yōu)化的工藝配方,使各向異性濕蝕刻的背面沒(méi)有任何損傷,我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì),作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:491943 基本化學(xué)成分以Cl2為基礎(chǔ),外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長(zhǎng)的激光進(jìn)行原位反射監(jiān)測(cè),以高精度在材料界面停止蝕刻。考慮到在基于GaSb
2022-05-11 14:00:421024 引言 本研究針對(duì)12英寸晶圓廠近期技術(shù)開(kāi)發(fā)過(guò)程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導(dǎo)致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀,然而,包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的那些先前的工藝
2022-06-01 15:55:467809 初始屏蔽檢查 對(duì)蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓,無(wú)論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能,對(duì)橫截面進(jìn)行SEM檢查,以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度
2022-06-10 16:09:335070 在半導(dǎo)體器件制造中,蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù),該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定,其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述,一旦掩模就位,可以通過(guò)濕法化學(xué)或“干法”物理方法對(duì)不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻,圖1顯示了這一過(guò)程的示意圖。
2022-07-06 17:23:522866 他方向上的蝕刻速度快,而各向同性蝕刻(如HF)會(huì)向所有方向侵蝕。使用KOH工藝是因?yàn)槠湓谥圃熘械目芍貜?fù)性和均勻性,同時(shí)保持了較低的生產(chǎn)成本。異丙醇(IPA)經(jīng)常添加到溶液中,以改變從{110}壁到{100}壁的選擇性,并提高表面光滑度。 氧化物和氮化物
2022-07-14 16:06:062774 濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對(duì)于大多數(shù)解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的,普遍認(rèn)為 193nm 波長(zhǎng)的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺(見(jiàn)下表)。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒(méi)式和多重曝光技術(shù)的支撐,可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913992 反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝,與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 一、PCB工藝設(shè)計(jì)要考慮的基本問(wèn)題
PCB的工藝設(shè)計(jì)非常重要,它關(guān)系到所設(shè)計(jì)的PCB能否高效率、低成本地制造出來(lái)。新一代的SMT裝聯(lián)工藝,由于其復(fù)雜性,要求設(shè)計(jì)者從一開(kāi)始就必須考慮制造
2023-04-25 16:52:12
`請(qǐng)問(wèn)PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些?`
2020-03-03 15:31:05
PCB制作工藝中的堿性氯化銅蝕刻液1.特性1)適用于圖形電鍍金屬抗蝕層,如鍍覆金、鎳、錫鉛合金,錫鎳合金及錫的印制板的蝕刻。 2)蝕刻速率快,側(cè)蝕小,溶銅能力高,蝕刻速率容易控制。 3)蝕刻液可以
2018-02-09 09:26:59
PCB制程中的COB工藝是什么呢?
2023-04-23 10:46:59
,通過(guò)光化學(xué)法,網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層,然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機(jī)械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機(jī)械加工方法除去不需要的銅箔,在單
2018-09-21 16:45:08
所需的銅跡線。PCB蝕刻工藝使用高度侵蝕性的基于氨的溶液-氯化鐵或鹽酸來(lái)完成。兩種化學(xué)品都被認(rèn)為是經(jīng)濟(jì)和豐富的。要蝕刻您的PCB,您需要按照以下步驟進(jìn)行操作:1.使用您選擇的任何PCB設(shè)計(jì)軟件,電路板
2020-11-03 18:45:50
,間隔寬的導(dǎo)線分布的部位,蝕刻就會(huì)過(guò)度。所以,這就要求設(shè)計(jì)者在電路設(shè)計(jì)時(shí),就應(yīng)首先了解工藝上的可行性,盡量做到整個(gè)板面電路圖形均勻分布,導(dǎo)線的粗細(xì)程度應(yīng)盡量相一致。特別是在制作多層印制電路板時(shí),大面積
2018-09-11 15:19:38
,間隔寬的導(dǎo)線分布的部位,蝕刻就會(huì)過(guò)度。所以,這就要求設(shè)計(jì)者在電路設(shè)計(jì)時(shí),就應(yīng)首先了解工藝上的可行性,盡量做到整個(gè)板面電路圖形均勻分布,導(dǎo)線的粗細(xì)程度應(yīng)盡量相一致。特別是在制作多層印制電路板時(shí),大面積銅箔
2013-10-31 10:52:34
導(dǎo)線線寬十分精細(xì)時(shí)將會(huì)產(chǎn)生一系列的問(wèn)題。同時(shí),側(cè)腐蝕(見(jiàn)圖4)會(huì)嚴(yán)重影響線條的均勻性。 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝
2018-11-26 16:58:50
工序(底片由于劃傷或者垃圾造成的問(wèn)題,包括曝光機(jī)問(wèn)題,曝光局部不足等),顯影工序(顯影不清),蝕刻工序(噴嘴壓力過(guò)大,蝕刻時(shí)間過(guò)長(zhǎng)),電鍍問(wèn)題(電鍍不均勻,或者表面有吸附),操作不當(dāng)(基本是劃傷造成的)。 關(guān)鍵看PCB斷線的形式,所以工藝工程師經(jīng)驗(yàn)技術(shù)很重要。
2013-02-19 17:30:52
范圍。 預(yù)熱工藝 在選擇性焊接工藝中的預(yù)熱主要目的不是減少熱應(yīng)力,而是為了去除溶劑預(yù)干燥助焊劑,在進(jìn)入焊錫波前,使得焊劑有正確的黏度。在焊接時(shí),預(yù)熱所帶的熱量對(duì)焊接質(zhì)量的影響不是關(guān)鍵因素,PCB材料
2018-09-10 16:50:02
作用的添加劑的一些氨基磺酸鎳鍍液來(lái)鍍制。我們常說(shuō)的PCB鍍鎳有光鎳和啞鎳(也稱低應(yīng)力鎳或半光亮鎳),通常要求鍍層均勻細(xì)致,孔隙率低,應(yīng)力低,延展性好的特點(diǎn)。
2011-12-22 08:43:52
PCB堿性蝕刻常見(jiàn)問(wèn)題原因及解決方法
2012-08-03 10:14:05
上 解決方法: (1)基板表面退膜不夠完全,有殘膜存在。 (2)全板鍍銅時(shí)致使板面鍍銅層厚度不均勻。 (3)板面用油墨修正或修補(bǔ)時(shí)沾到蝕刻機(jī)的傳動(dòng)的滾輪上。 (4)檢查退膜工藝條件,加以調(diào)整及改進(jìn)
2018-09-19 16:00:15
還提出了另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。 目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中。氨性蝕刻劑是普遍
2018-09-13 15:46:18
PCB選擇性焊接工藝難點(diǎn)解析在PCB電子工業(yè)焊接工藝中,有越來(lái)越多的廠家開(kāi)始把目光投向選擇焊接,選擇焊接可以在同一時(shí)間內(nèi)完成所有的焊點(diǎn),使生產(chǎn)成本降到最低,同時(shí)又克服了回流焊對(duì)溫度敏感元件造成
2013-09-13 10:25:12
在PCB電子工業(yè)焊接工藝中,有越來(lái)越多的廠家開(kāi)始把目光投向選擇焊接,選擇焊接可以在同一時(shí)間內(nèi)完成所有的焊點(diǎn),使生產(chǎn)成本降到最低,同時(shí)又克服了回流焊對(duì)溫度敏感元件造成影響的問(wèn)題,選擇焊接還能夠與將來(lái)
2017-10-31 13:40:44
時(shí),預(yù)熱所帶的熱量對(duì)焊接質(zhì)量的影響不是關(guān)鍵因素,PCB材料厚度、器件封裝規(guī)格及助焊劑類型決定預(yù)熱溫度的設(shè)置。在選擇性焊接中,對(duì)預(yù)熱有不同的理論解 釋:有些工藝工程師認(rèn)為PCB應(yīng)在助焊劑噴涂前,進(jìn)行預(yù)熱
2018-09-14 11:28:22
呢?正負(fù)片工藝之間究竟有什么區(qū)別呢?諸位看官聽(tīng)小編慢慢道來(lái)。一、正片和負(fù)片的區(qū)別:正片:沉銅—整板電鍍(加厚8到10um)—貼干膜—圖鍍(在加厚到成品35um)—鍍鉛錫—蝕刻(鍍鉛錫的地方是要保留
2017-08-09 18:43:52
PCB,電路板,基板上面如何出現(xiàn)電路呢?這就要蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)。所謂蝕刻,先在板子外層需保留的銅箔部分,也就是電路的圖形部分,在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層,一層
2017-02-21 17:44:26
的(即,所有方向的蝕刻速率都相同)或各向異性的(即,不同方向的蝕刻速率不同),盡管在 CMOS 制造中使用的大多數(shù)濕蝕刻劑是各向同性的。通常,與干蝕刻工藝相比,濕蝕刻劑往往具有高度選擇性。濕蝕刻槽
2021-07-06 09:32:40
`書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號(hào):JFSJ-21-045作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
使用 Wulff-Jaccodine方法預(yù)測(cè)這些結(jié)構(gòu)的凸凹形狀。? 使用濕化學(xué)蝕刻方法了解和預(yù)測(cè) GaN 結(jié)構(gòu)的3D幾何形狀可以實(shí)現(xiàn)將結(jié)構(gòu)(例如納米線、MEMS)和功能(光電子學(xué))相結(jié)合的新應(yīng)用。如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-08 13:09:52
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部詳情,請(qǐng)加V獲取:hlknch / xzl1019^晶體蝕刻工藝中兩個(gè)蝕刻步驟中的第一個(gè)用于確定蝕刻深度,它可以通過(guò)幾種
2021-07-07 10:24:07
,可用作常用 KKI 蝕刻劑的替代品。通過(guò)改變?nèi)芤?b class="flag-6" style="color: red">中 HCl 的含量,可以實(shí)現(xiàn)對(duì) MESA 形成有用的非選擇性蝕刻和 InGaP 對(duì) GaAs 的強(qiáng)選擇性蝕刻。這種解決方案的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)是它不會(huì)攻擊
2021-07-09 10:23:37
的歷史蝕刻工藝進(jìn)行了兩個(gè)主要的工藝更改,這使得這項(xiàng)工作成為必要。首先,我們從 Clariant AZ4330 光刻膠切換到 Shipley SPR220-3。我們發(fā)現(xiàn)后者的光刻膠具有更好的自旋均勻性
2021-07-06 09:39:22
書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:微鏡角度依賴性與蝕刻劑選擇編號(hào):JFKJ-21-047作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html抽象的:在為微光學(xué)創(chuàng)建
2021-07-19 11:03:23
:MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝,可提供對(duì)取向、長(zhǎng)度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性,此外,它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑(例如過(guò)氧化氫 (H2O2))和酸(例如
2021-07-06 09:33:58
十分精細(xì)時(shí)將會(huì)產(chǎn)生一系列的問(wèn)題。同時(shí),側(cè)腐蝕會(huì)嚴(yán)重影響線條的均勻性。在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝
2018-04-05 19:27:39
各位大佬:想咨詢國(guó)內(nèi)是否有如下這樣的工藝:多層PCB/FPC,top層的走線銅,不同的回路,銅厚不一樣。我的理解在理論上是可行的,先使用全板銅蝕刻后得到不同的回路,然后對(duì)特定的回路進(jìn)行電鍍工藝,增加特定回路的銅厚,各位大佬如果有供應(yīng)商資源可以和我一起探討一下,聯(lián)系方式:***
2022-11-22 14:45:08
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術(shù),它只需一個(gè)裝滿蝕刻洛液的槽,把板子整個(gè)浸入到溶液中,如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成,這就需要很長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間,且蝕刻速度非常緩慢。可以通過(guò)加熱蝕刻溶液的方法
2018-09-11 15:27:47
在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個(gè)較為精細(xì)和覆雜的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,卻又是一項(xiàng)易于進(jìn)行的工作。只要工藝上達(dá)至調(diào)通﹐就可以進(jìn)行連續(xù)性的生產(chǎn), 但關(guān)鍵是開(kāi)機(jī)以后就必需保持連續(xù)的工作狀態(tài)﹐不適宜斷斷續(xù)續(xù)地生產(chǎn)
2017-06-23 16:01:38
多層PCB加工過(guò)程中必不可少的就是使用到壓合機(jī),而壓合機(jī)壓力的均勻性和溫度的均勻性對(duì)壓合的品質(zhì)影響相當(dāng)之大,而如何通過(guò)試驗(yàn)的方式進(jìn)行定期的檢測(cè)其穩(wěn)定性,從而保證產(chǎn)品的壓合品質(zhì)呢。論壇里有就這個(gè)
2018-08-30 10:49:21
多層PCB加工過(guò)程中必不可少的就是使用到壓合機(jī),而壓合機(jī)壓力的均勻性和溫度的均勻性對(duì)壓合的品質(zhì)影響相當(dāng)之大,而如何通過(guò)試驗(yàn)的方式進(jìn)行定期的檢測(cè)其穩(wěn)定性,從而保證產(chǎn)品的壓合品質(zhì)呢。論壇里有就這個(gè)
2018-11-22 15:41:50
。所有的導(dǎo)電層通過(guò)介質(zhì)利用多層層壓工藝粘合在一起。 核材料就是工廠中的雙面敷箔板。因?yàn)槊總€(gè)核有兩個(gè)面,全面利用時(shí),PCB的導(dǎo)電層數(shù)為偶數(shù)。為什么不在一邊用敷箔而其余用核結(jié)構(gòu)呢?其主要原因是:PCB
2013-03-13 11:32:34
介質(zhì)板。所有的導(dǎo)電層通過(guò)介質(zhì)利用多層層壓工藝粘合在一起。 核材料就是工廠中的雙面敷箔板。因?yàn)槊總€(gè)核有兩個(gè)面,全面利用時(shí),PCB的導(dǎo)電層數(shù)為偶數(shù)。為什么不在一邊用敷箔而其余用核結(jié)構(gòu)呢?其主要
2012-08-09 21:10:38
晶片全面曝光的方法,使單一晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來(lái),雖然產(chǎn)率得以提高,但同時(shí)也制造一些工藝處理問(wèn)題。特別在對(duì)硅晶片蝕刻深凹槽(deeptrench)工藝方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
的問(wèn)題,大多數(shù)電路板都是使用蝕刻工藝進(jìn)行生產(chǎn)的,工藝流程中就會(huì)出現(xiàn)因?yàn)殇J角區(qū)域較為狹窄而導(dǎo)致有腐蝕性化學(xué)物質(zhì)殘留,最后導(dǎo)致Acid Traps現(xiàn)象。那么銳角不可以,直角是否可以呢,這個(gè)問(wèn)題有很多大佬們?cè)诟鞔笳搲懻摗€(gè)人認(rèn)為如果沒(méi)有特殊要求,走線時(shí)用鈍角既美觀有安全,除非部分要求,最好不要使用直角。
2020-07-17 08:30:00
深度解析PCB選擇性焊接工藝難點(diǎn)在PCB電子工業(yè)焊接工藝中,有越來(lái)越多的廠家開(kāi)始把目光投向選擇焊接,選擇焊接可以在同一時(shí)間內(nèi)完成所有的焊點(diǎn),使生產(chǎn)成本降到最低,同時(shí)又克服了回流焊對(duì)溫度敏感元件造成
2013-09-23 14:32:50
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高,因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案,選擇性大于100:1。
2021-01-08 10:12:57
。 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。 目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2018-09-19 15:39:21
一.概述 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖
2006-04-16 21:23:42903 多層PCB壓機(jī)溫度和壓力均勻性測(cè)試方法
多層PCB加工過(guò)程中必不可少的就是使用到壓合機(jī),而壓合機(jī)壓力的均勻性和溫度的均勻性
2009-11-19 08:44:06997 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前,集成度呈越來(lái)越高的趨勢(shì),許多公司紛紛開(kāi)始SOC技術(shù),但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問(wèn)題,因
2010-03-30 16:43:081181 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程,本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2017-12-26 08:57:1628232 本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質(zhì)要求及控制要點(diǎn),其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數(shù)及蝕刻工藝品質(zhì)確認(rèn),最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解,具體的跟隨小編一起來(lái)了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940469 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程,本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2019-08-16 11:31:004646 蝕刻過(guò)程是PCB生產(chǎn)過(guò)程中基本步驟之一,簡(jiǎn)單的講就是基底銅被抗蝕層覆蓋,沒(méi)有被抗蝕層保護(hù)的銅與蝕刻劑發(fā)生反應(yīng),從而被咬蝕掉,最終形成設(shè)計(jì)線路圖形和焊盤的過(guò)程。當(dāng)然,蝕刻原理用幾句話就可以輕而易舉
2019-07-23 14:30:313894 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2019-07-10 15:11:352708 要注意的是,這時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種工藝方法是整個(gè)
2019-07-08 14:51:342430 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2019-07-01 16:33:532423 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程,本文就對(duì)其最后的一步——蝕刻進(jìn)行解析。
2019-05-31 16:14:093307 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2019-07-06 10:13:218077 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用”圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化 學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2019-07-09 10:09:343924 PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻過(guò)程腐蝕未被保護(hù)的區(qū)域。有點(diǎn)像是挖溝,是一種可行但低效的方法。在蝕刻過(guò)程中也分正片工藝和負(fù)片工藝之分,正片工藝使用固定的錫保護(hù)線路,負(fù)片工藝則是使用干膜或者濕膜來(lái)保護(hù)線路。用傳統(tǒng)的蝕刻方法到線或焊盤的邊緣是畸形的。
2020-07-12 10:26:563060 大型PCB制造商使用電鍍和蝕刻工藝在板上生產(chǎn)走線。對(duì)于電鍍,生產(chǎn)過(guò)程始于覆蓋外層板基板的電鍍銅。 光刻膠蝕刻也用作生產(chǎn)印刷電路板的另一個(gè)關(guān)鍵步驟。在蝕刻過(guò)程中保護(hù)所需的銅需要在去除不希望有的銅和在
2020-12-31 11:38:583561 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對(duì)蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈,僅此而已。在PCB制造過(guò)程中,如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031008 多層PCB內(nèi)層的光刻工藝包括幾個(gè)階段,接下來(lái)詳細(xì)為大家介紹多層PCB內(nèi)層的光刻工藝每個(gè)階段都需要做什么。 PART.1 在第一階段,內(nèi)層穿過(guò)化學(xué)制劑生產(chǎn)線。銅表面會(huì)出現(xiàn)粗糙度,這對(duì)于光致抗蝕劑的最佳
2021-09-05 10:00:162160 引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35484 本研究透過(guò)數(shù)值解析,將實(shí)驗(yàn)上尋找硅晶片最佳流動(dòng)的方法,了解目前蝕刻階段流動(dòng)的形式,并尋求最佳晶片蝕刻條件,蝕刻工藝效率低利用氣泡提高濕法蝕刻工藝效果,用實(shí)驗(yàn)的方法尋找最佳流動(dòng),通過(guò)數(shù)值分析模擬了利用
2022-01-19 17:11:32340 濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過(guò)程簡(jiǎn)單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè),特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:241860 本文對(duì)單晶石英局部等離子體化學(xué)刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。在射頻(射頻,13.56兆赫)放電激勵(lì)下,在CF4和H2的氣體混合物中進(jìn)行蝕刻。采用田口矩陣法的科學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)來(lái)檢驗(yàn)腔室壓力、射頻發(fā)生器
2022-02-17 15:25:421804 的氧化鎳未完全去除造成的。這項(xiàng)研究對(duì)這些多余金屬缺陷的成分進(jìn)行了分類和確定,評(píng)估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法,最后提出了一種濕蝕刻工藝,該工藝將快速去除缺陷,同時(shí)繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓,這是大多數(shù)金屬
2022-02-28 14:59:351780 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中,蝕刻工藝是非常重要的工藝。蝕刻工藝中使用的方法通常有batch式和枯葉式兩種。Batch式是用傳統(tǒng)的方法,在藥液bath中一次性加入數(shù)十張晶片進(jìn)行處理的方法。但是隨著半導(dǎo)體技術(shù)
2022-03-14 10:50:47475 我們開(kāi)發(fā)了一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝,通過(guò)在晶片上使用單個(gè)蝕刻掩模來(lái)制造各種硅微結(jié)構(gòu),這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺(tái)面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:42581 硅是微電子學(xué)和微細(xì)力學(xué)中最常用的襯底材料。它不僅可用作無(wú)源襯底,也可用作電子或機(jī)械元件的有源材料。如本章所述,所需的圖案也可以通過(guò)濕化學(xué)蝕刻方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2022-03-23 14:17:161811 的各向同性濕法蝕刻條件相比,由于非常高的各向異性,反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠實(shí)現(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此,當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時(shí),使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個(gè)濕法腐蝕過(guò)程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示,以及評(píng)估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-06 13:29:19666 薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來(lái)適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比,應(yīng)力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33751 本研究的目的是開(kāi)發(fā)和應(yīng)用一個(gè)數(shù)值模型來(lái)幫助設(shè)計(jì)和操作CDE工具,為此,我們編制了第一個(gè)已知的NF3/02氣體的等離子體動(dòng)力學(xué)模型,通過(guò)與實(shí)驗(yàn)蝕刻速率數(shù)據(jù)的比較,實(shí)現(xiàn)了模型驗(yàn)證。此外,該模型通過(guò)改變
2022-04-08 16:44:54893 拋光的硅片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,通過(guò)切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片),然后進(jìn)行稱為研磨的平整過(guò)程,該過(guò)程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷通過(guò)蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前,蝕刻之后是各種單元操作,例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37668 引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝,適用于等離子體一次蝕刻一個(gè)晶片。結(jié)果表明,蝕刻速率主要取決于Cl濃度,而與用于驅(qū)動(dòng)放電的rf功率無(wú)關(guān)。幾種添加劑用于控制蝕刻過(guò)程。加入BCl以開(kāi)始
2022-06-13 14:33:14904 新的方法,通過(guò)光刻和刻蝕工藝順序來(lái)提高跨晶片柵極CD的均勻性。我們?nèi)A林科納所提出的方法是通過(guò)優(yōu)化整個(gè)晶片曝光后烘烤(PEB)溫度曲線來(lái)補(bǔ)償光刻工藝順序中的上游和下游系統(tǒng)CD變化成分。更準(zhǔn)確地說(shuō),我們首先構(gòu)建了一個(gè)溫度-偏移模型,該模型將
2022-06-22 14:58:341301 通過(guò)使用多級(jí)等離子體蝕刻實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法,以及開(kāi)發(fā)自動(dòng)蝕刻后遮蓋物去除順序;一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對(duì)于等離子體蝕刻部分,使用光學(xué)顯微鏡
2022-06-23 14:26:57516 目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。1,2干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷3和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁的典型均方根(rms)粗糙度約為
2022-07-12 17:19:243454 蝕刻工藝 蝕刻過(guò)程分類
2022-08-08 16:35:34736 薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進(jìn)更薄的包裝中。與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背磨相比,在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。
2022-08-26 09:21:362363 金屬蝕刻是一種通過(guò)化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過(guò)程組成。不同的蝕刻劑對(duì)不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:433172 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程,本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 其實(shí)不同顏色的PCB,它們的制造的材料、制造工序都是一樣的,包括敷銅層的位置也是一樣的,經(jīng)過(guò)蝕刻工藝后就在PCB上留下了最終的布線,例如下圖這塊剛經(jīng)過(guò)蝕刻工藝的PCB,敷銅走線就是原本的銅色,而PCB基板略顯微黃色。
2023-05-09 10:02:431699 蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝,因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定,蝕刻率就會(huì)變化,因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)維護(hù)蝕刻化學(xué),以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻(壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 關(guān)鍵詞:氫能源技術(shù)材料,耐高溫耐酸堿耐濕膠帶,高分子材料,高端膠粘劑引言:蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163504 半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 要注意的是,蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中,在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層,保留在板外層,即電路的圖形部分,然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕,稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30670 另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅,感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比,全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45263
評(píng)論
查看更多