3.4 主回路與輸出采樣

　　主回路如圖 11 所示，采用半橋開(kāi)關(guān)電路。

　　圖 11 主回路

　　根據(jù)整流后的電壓和輸入電流參數(shù)，選擇IRF840 為高頻開(kāi)關(guān)管，其最大耐壓VDS 為500V，最大能承受的導(dǎo)通電流ID 為8A，滿足設(shè)計(jì)要求。工作在高頻工作狀態(tài)的續(xù)流二極管一般選用快恢復(fù)的二極管，此處選擇HFA25TB60，能承受600V 的反向壓降，最大導(dǎo)通電流為25A，且恢復(fù)時(shí)間僅為35ns.輸出部分通過(guò)兩個(gè)電阻分壓至電壓采樣電路，如下圖12 所示。

　　圖 12 電壓采樣電路

　　3.5 過(guò)流保護(hù)電路

　　過(guò)流保護(hù)電路如下圖13 所示。

　　圖 13 過(guò)流檢測(cè)電路。

　　在主回路的上端串聯(lián)一個(gè)0.33 歐姆10W 的功率電阻作為采樣電阻，當(dāng)電流過(guò)大時(shí)，光耦中光敏三極管導(dǎo)通，檢測(cè)電路輸出高電平到IR2110 的SD 端，由于SD 是低電平有效、高電平關(guān)斷點(diǎn)，因此電流過(guò)大時(shí)能很好地保護(hù)電路。且如前所述，IR2110 自身帶有各種保護(hù)電路，故外圍的電流電壓保護(hù)電路可以大大簡(jiǎn)化。

　　4. 總結(jié)

　　本設(shè)計(jì)給出了在非隔離拓?fù)湎乱环N設(shè)計(jì)大功率開(kāi)關(guān)電源的方法，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。在主回路中采用半橋電路替代傳統(tǒng)的單管開(kāi)關(guān)電路，在上管關(guān)閉時(shí)，下管的開(kāi)通能更好地保證輸出續(xù)流的穩(wěn)定性，且保證功率的輸出。文中并未給出電感量的計(jì)算方法，因不是討論重點(diǎn)，可根據(jù)電路中輸出電流、電壓和開(kāi)關(guān)管的RDS（MOSFET 管漏極和源極導(dǎo)通電阻）等參數(shù)來(lái)計(jì)算，實(shí)際中應(yīng)留有一定的余量值。系統(tǒng)運(yùn)行基本穩(wěn)定，可考慮應(yīng)用于工業(yè)電源設(shè)計(jì)中。