隨機(jī)存儲器RAM是指存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入。
2022-10-18 17:12:01
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在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17735 
ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
你好！關(guān)于FRAM存儲器的可靠性和需要考慮什么樣的軟件，我有一些問題。在寫操作期間電源故障的影響是什么？這會影響被更新的字節(jié)，使其處于未知和潛在的易失狀態(tài)嗎？這會影響整排嗎？讀/寫干擾F RAM
2018-11-02 14:27:34
Access Memory：鐵電隨機(jī)存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
失是指存儲器斷電后，里面存儲的內(nèi)容是否會丟失，另一邊的速度而言呢，易失性存儲器的速度要快于非易失性存儲器。1.1 易失性存儲器 按照RAM的物理存儲機(jī)制，可以...
2021-07-16 07:55:26
與RAM一樣讀寫操作簡便，又有數(shù)據(jù)不會因掉電而丟失的優(yōu)點(diǎn)，因而使用極為方便。現(xiàn)在這種存儲器的使用最為廣泛。 隨機(jī)存儲器（RAM）： 這種存儲器又叫讀寫存儲器。它不僅能讀取存放在存儲單元中的數(shù)據(jù)，還能
2017-12-21 17:10:53
與RAM一樣讀寫操作簡便，又有數(shù)據(jù)不會因掉電而丟失的優(yōu)點(diǎn)，因而使用極為方便?，F(xiàn)在這種存儲器的使用最為廣泛。 隨機(jī)存儲器（RAM）： 這種存儲器又叫讀寫存儲器。它不僅能讀取存放在存儲單元中的數(shù)據(jù)，還能隨時(shí)
2017-10-24 14:31:49
flash存儲轉(zhuǎn)換成鐵電存儲,應(yīng)該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
半導(dǎo)體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機(jī)存儲器，它沒有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問題，而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時(shí)間長、擦寫次數(shù)低的缺點(diǎn),同時(shí)其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池
2020-05-07 15:56:37
數(shù)據(jù)存儲方案有靜態(tài)存儲器SRAM加電池的組合、FLASH閃存芯片、EEPROM和鐵電存儲器FRAM (Ferroelectric Random Accessmemory)等。SRAM加電池的組合容易因
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機(jī)存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機(jī)讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲器進(jìn)行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
當(dāng)
系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作
系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作
系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括
電池供電的SRAM（靜態(tài)
隨機(jī)訪問儲存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（
電可擦的，可編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
Ramtron推出高速和低電壓的F-RAM存儲器Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產(chǎn)品，具有高速
2008-10-08 09:23:16
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲器映射? 總線架構(gòu)? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
大家好，之前玩過51，知道程序存在ROM，數(shù)據(jù)存在RAM，現(xiàn)在接觸STM32，在讀STM32F103ZET6的數(shù)據(jù)手冊時(shí)看到，BOOTLOADER存在系統(tǒng)存儲器，手冊上寫STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲器，要求：最好SPI接口；最好能滿足64Kb容量；擦寫次數(shù)百萬次以上；支持的電壓最高不超過5.5V。很奇葩的要求啊，這個(gè)可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
Ramtron 鐵電存儲器（F-RAM)最近在中國開始了他們的產(chǎn)品市場推廣活動，前期的推廣中針對工程師有一個(gè)免費(fèi)申請樣片的機(jī)會，包括單片機(jī)的(VRS513074、VRS513074開發(fā)板）F-RAM
2009-06-18 15:16:06
stm32擴(kuò)展鐵電存儲器FM16W08的程序怎么寫？？有參考 的嗎讀寫程序該怎么操作！！
2013-12-26 21:47:03
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。半導(dǎo)體存儲器的分類* RAM (Random Access Memory
2019-04-21 22:57:08
免費(fèi)申請樣片的地方Ramtron 鐵電存儲器（F-RAM)最近在中國開始了他們的產(chǎn)品市場推廣活動，前期的推廣中針對工程師有一個(gè)免費(fèi)申請樣片的機(jī)會，包括單片機(jī)的(VRS513074、VRS513074
2009-06-18 16:14:57
隨著電動汽車技術(shù)的發(fā)展，以及***的政策鼓勵與扶持，電動汽車（混動+純電動）以每年超過50%的速度高速增長，電池以及電池管理系統(tǒng)作為電動汽車的核心組件，其市場需求也獲得相應(yīng)的快速增長。本文將就電池管理系統(tǒng)對存儲器的需求進(jìn)行分析。
2019-07-30 06:46:09
性存儲器：指當(dāng)電源被關(guān)斷之后，數(shù)據(jù)隨即消失的存儲器（如.RAM隨機(jī)存儲器 ） 。這種存儲器的特點(diǎn)是一般采用CMOS技術(shù)，以降低功耗。并且采用并行方式傳輸數(shù)據(jù)，因而具有高速存取數(shù)據(jù)的能力。這種存儲器
2020-12-25 14:50:34
)4Mbit-64Mbit.7.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR
2013-08-29 10:11:56
MIKROE-2768，F(xiàn)RAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機(jī)存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
我們在PSoC? Creator 中有一個(gè) PSoC6 項(xiàng)目，并希望將 QSPI F-RAM?存儲器添加到TDA5235_868_5_BOARD中。我很難找到如何在F-RAM? PSoC
2024-03-01 12:14:13
我們公司是代理富士通鐵電存儲器FRAM，單片機(jī)和華邦的FLASH。因?yàn)閯傞_始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類型的客戶，都普遍很少用，只是有一些對產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54
帶FRAM存儲器MSP430常見問題及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（鐵電隨機(jī)存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
Access Memory”的縮寫，被譯為隨機(jī)存儲器。所謂“隨機(jī)存取”，指的是當(dāng)存儲器中的消息被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置無關(guān)。這個(gè)詞的由來是因?yàn)樵缙谟?jì)算機(jī)曾使用磁鼓作為存儲器，磁鼓是順序讀寫設(shè)備，而RAM可隨讀取其內(nèi)部任意地址的數(shù)據(jù)，時(shí)間都是相同的，因
2021-12-10 07:09:20
電存儲器ＦＲＡＭ，則可很好地解決成本問題，同時(shí)又可得到更高的數(shù)據(jù)存儲可靠性。鐵電存儲器是ＲＡＭＴＲＯＮ公司的專利產(chǎn)品，該產(chǎn)品的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲器產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存儲器
2019-04-28 09:57:17
)4Mbit-64Mbit.4.Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器)4Mbit-64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM
2013-08-23 11:00:03
怎么隨機(jī)存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
1.芯片簡介鐵電存儲器F-RAM，2Mbit（256K * 8） SPI（Upto 40MHz）項(xiàng)目有用到，做個(gè)mark，有錯誤請指正。2.接線引腳較少，具體可參考datasheet中引腳定義和接線
2022-03-02 06:55:36
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真鐵電存儲器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
隨機(jī)存儲器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)。SRAM隨機(jī)存儲器的特點(diǎn)隨機(jī)存儲器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對它進(jìn)行讀寫操作，但當(dāng)電源斷開時(shí)，存儲信息便會消失。隨機(jī)存儲器依照數(shù)據(jù)存儲方式的不同，主要可以分為動態(tài)隨機(jī)存儲器
2022-11-17 16:58:07
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM存儲數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
Ramtron的MaxArias?系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無線存取功能相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)新的移動數(shù)據(jù)采集功能，MaxArias無線存儲器是
2010-08-06 11:55:44
18 本文件涵蓋了F-RAM在汽車應(yīng)用上的很多應(yīng)用實(shí)例，包括安全氣囊、遠(yuǎn)程信息處理技術(shù)、娛樂和控制系統(tǒng)
2010-08-09 11:33:1935 FM25V10 新型F-RAM系列產(chǎn)品,具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體
2008-09-23 08:45:122634 第三十一講 隨機(jī)存取存儲器
9.3 隨機(jī)存取存儲器9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
9.3.2 RAM的存儲單元一、
2009-03-30 16:36:571138 
概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43700 
FM28V020 推出V系列并口256Kb F-RAM器件
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM) 和集成半導(dǎo)
2009-08-18 11:58:321554 名稱 RAM（隨機(jī)存取存儲器） RAM -random access memory 隨機(jī)存儲器 定義 存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
2010-06-29 18:16:592214 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲器，W系列器件帶有串口I2C、SPI接口和并行接口，能夠提供從2.7V 到 5.5V的更寬電壓范圍
2011-03-12 10:47:551740 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運(yùn)作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預(yù)認(rèn)證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無延遲
2011-10-27 09:34:131244 非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器（F-RAM）和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation （簡稱Ramtron） 在剛舉行的硅谷Design West/嵌入式系統(tǒng)會議 （Silicon Valley Design West/Embedde
2012-04-06 08:55:12632 世界領(lǐng)先隨機(jī)存取存儲器（F-RAM）和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron宣布，現(xiàn)已提供可與飛思卡爾半導(dǎo)體公司廣受歡迎的Tower System開發(fā)平臺共用的全新F-RAM存儲器模塊。
2012-10-08 14:31:23930 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 ：什么是F-RAM？F-RAM：鐵電隨機(jī)存儲器。 相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機(jī)存儲器（F-RAM）具有一些獨(dú)一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲器可以分
2012-10-19 11:25:353151 
什么是F-RAM？ F-RAM：鐵電隨機(jī)存儲器。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機(jī)存儲器（F-RAM）具有一些獨(dú)一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:334702 The FM28V202A is a 128 K × 16 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile
2017-09-14 11:29:227 The FM28V102A is a 64 K × 16 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile,
2017-09-14 11:32:150 提供卓越性能和高可靠性。Excelon鐵電隨機(jī)存取存儲器（F-RAM）系列具有高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能，即使在惡劣的汽車和工業(yè)環(huán)境中，以及處于極端溫度的情況下均可防止數(shù)據(jù)的丟失。
2018-03-17 09:40:004456 先進(jìn)嵌入式解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票代碼：CY）近日宣布推出新型串行非易失性存儲器系列，為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)采集提供卓越性能和高可靠性。Excelon?鐵電隨機(jī)存取存儲器（F-RAM
2018-03-19 10:12:586838 隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲媒介。
2018-05-17 17:04:5819724 RAM英文名random access memory，隨機(jī)存儲器，之所以叫隨機(jī)存儲器是因?yàn)椋寒?dāng)對RAM進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭氲臅r(shí)候，花費(fèi)的時(shí)間和這段信息所在的位置或?qū)懭氲奈恢脽o關(guān)。
2018-10-14 09:16:0036732 隨機(jī)存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲器的最大特點(diǎn)。
2018-11-24 10:59:1143323 ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款產(chǎn)品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。
2019-01-01 15:48:002405 隨著電動汽車技術(shù)的發(fā)展，以及政府的政策鼓勵與扶持，電動汽車（混動+純電動）以每年超過50%的速度高速增長，電池以及電池管理系統(tǒng)作為電動汽車的核心組件，其市場需求也獲得相應(yīng)的快速增長。本文將就電池管理系統(tǒng)對存儲器的需求進(jìn)行分析
2020-01-30 13:14:001625 
關(guān)于SRAM隨機(jī)存儲器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)。 SRAM隨機(jī)存儲器的特點(diǎn) 隨機(jī)存儲器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對它進(jìn)行讀寫操作，但當(dāng)電源斷開時(shí)，存儲信息便會消失。隨機(jī)存儲器依照數(shù)據(jù)存儲方式的不同，主要可以分為動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）與靜態(tài)隨機(jī)存儲器
2020-04-30 15:48:132878 
只讀存儲器和隨機(jī)存儲器區(qū)別：作用不同、特點(diǎn)不同
2020-07-27 15:09:4316292 導(dǎo)航系統(tǒng)，以及許多以SRAM為基礎(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 Ramtron的4Mb并行F-RAM還提供了采用44腳TSOP封裝的存儲器。
2020-08-30 10:09:01677 電池管理系統(tǒng)（Battery Management System, 即BMS）主要實(shí)現(xiàn)三大核心功能：電池充放電狀態(tài)的預(yù)測和計(jì)算（即SOC）、單體電池的均衡管理，以及電池健康狀態(tài)日志記錄與診斷。
2020-12-25 20:56:49215 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成
2021-03-29 18:13:201567 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?．了解半導(dǎo)體靜態(tài)隨機(jī)讀寫存儲器SRAM的工作原理及其使用方法2．掌握半導(dǎo)體存儲器的字、位擴(kuò)展技術(shù)3．用proteus設(shè)計(jì)、仿真基于AT89C51單片機(jī)的RAM擴(kuò)展實(shí)驗(yàn)二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
2021-11-25 15:36:1114 ? F-RAM存儲器（鐵電存取存儲器）開始批量供貨。該系列儲存器是業(yè)界功率密度最高的串行F-RAM存儲器，能夠滿足新一代汽車和工業(yè)系統(tǒng)對非易失性數(shù)據(jù)記錄的需求，防止在惡劣的工作環(huán)境中丟失數(shù)據(jù)。新存儲器
2022-11-23 13:57:42336 
隨著人們對計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的需求不斷增長，存儲器的種類也越來越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機(jī)訪問存儲器）是計(jì)算機(jī)中最常用的一種存儲器。RAM可以分為兩種類型，一種
2024-01-12 17:27:15516 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
存儲中，鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動取款機(jī)、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
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