在導通數據中，原本2，742μJ的開關損耗變為1，690μJ，損耗減少了約38%。在關斷數據中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44
949 
通過調節頻率使PFC電感電流在每個高頻周期過零，以實現PFC二極管的零電流關斷，消除反向恢復損耗。PFC二極管電流過零后，PFC電感與MOSFET寄生電容諧振，使Vds過零以實現零電壓開通，不過零則谷底開通，降低開關損耗。兩相TM交錯180deg后可大幅減小輸入高頻紋波。
2023-03-20 11:23:281698 
MOS 管的開關損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
MOSFET 的選擇關乎效率，設計人員需要在其傳導損耗和開關損耗之間進行權衡。傳導損耗發生在在 MOSFET 關閉期間，由于電流流過導通電阻而造成；開關損耗則發生在MOSFET 開關期間，因為 MOSFET 沒有即時開關而產生。這些都是由 MOSFET 內半導體結構的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:33168 
的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，開關損耗測試對于器件評估非常關鍵，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上。電源工程師們都知道開關MOS在整個電源系統里面的損耗占比是不小的，開關
2024-01-20 17:08:06916 
、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。1導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外
2018-08-27 20:50:45
針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS(零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路
2021-06-16 09:21:55
會測量測試電流在二極管上恢復的Eon損耗。 在硬開關導通的情況下，柵極驅動電壓和阻抗以及整流二極管的恢復特性決定了Eon開關損耗。對于像傳統CCM升壓PFC電路來說，升壓二極管恢復特性在Eon
2020-06-28 15:16:35
的特點。對于這種有橋boost PFC電路可以采用TI的低邊驅動芯片，如UCC27524,UCC27517等。這種驅動芯片相對于分立器件方案，具有驅動電流大，驅動速度快，尺寸更小，可靠性更高的特點
2019-03-19 06:45:01
3、開關動態損耗?? 由于開關損耗是由開關的非理想狀態引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關損耗，器件從完全導通到完全關閉或從完全關閉到完全導通需要一定時間，也稱作死區時間，在這個過程中會產生
2021-12-29 07:52:21
一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統效率，更適合應用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統 EMI 表現。在新能源汽車電機控制器
2021-11-10 09:10:42
MOSFET”）標記為“Original”。考慮到噪聲問題，Original的RG采用100Ω。對此，將PFC及DC/DC轉換器的開關替換為三種SJ MOSFET，RG也嘗試了100Ω和50Ω兩種方案
2022-04-09 13:36:25
如圖片所示，為什么MOS管的開關損耗（開通和關斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
-請問各位專家，我是個電源新手，剛開始接觸MOS管。現在又些問題，開關損耗主要是導通和關斷這兩個過程，其它損耗可忽略嗎？
2019-06-27 09:10:01
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds，而開關損耗好像不僅僅和開關的頻率有關，與MOS管的結電容，輸入電容，輸出電容都有關系吧？具體的關系是什么？有沒有具體計算開關損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細分析計算功率MOSFET開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。導通損耗：除了IGBT的電壓下降時間較長外，IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路
2017-04-15 15:48:51
分布電容引起。改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來減少層間分布電容。08、開關管MOSFET上的損耗mos損耗包括：導通損耗，開關損耗，驅動損耗。其中在待機狀態下最大的損耗就是開關損耗。改善辦法
2021-04-09 14:18:40
和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外，IGBT
2019-03-06 06:30:00
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關內容，有許多與Si同等產品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關損耗進一步降低ROHM在行業中率先實現了溝槽結構
2018-11-27 16:37:30
充電器時的損耗降低情況① 與使用Si快速恢復二極管（Si FRD）的IGBT相比，開關損耗降低67%② 與損耗比IGBT更低的Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）相比
2022-07-27 10:27:04
4開關損耗測試結果圖六、總結開關損耗測試對于器件評估非常關鍵，通過專業的電源分析插件，可以快速有效的對器件的功率損耗進行評估，相對于手動分析來說，更加簡單方便。對于MOSFET來說，I2R的導通損耗計算公式是最好的選擇。
2021-11-18 07:00:00
壞該開關器件。 由于硬開關存在以上缺點，限制了開關器件工作頻率的提高，在軟開關技術出來之前，功率開關器件的開關損耗是很大的。為了彌補硬開關工作的不足，提出了軟開關技術。 軟開關技術的原理 所謂
2019-08-27 07:00:00
公式計算：同樣，關斷損耗的米勒平臺時間在關斷損耗中占主導地位。對于兩個不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多時，A管的開關損耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
過程中的開關損耗。開關損耗內容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關斷過程和和關斷損耗。功率MOSFET及驅動的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數據表中，列出了開通延時、開通上升時間，關斷延時和關斷下降時間，作者經常和許多研發的工程師保持技術的交流，在交流的過程中，發現有些工程師用這些參數來評估功率MOSFET的開關損耗
2016-12-16 16:53:16
產生反向恢復電流Irr，會明顯增大對管開關管的開通損耗，降低整個系統的效率。 可見，在圖騰柱無橋PFC中，現有硅基IGBT配合硅基FRD或超結MOSFET作為主開關管的傳統IGBT解決方案已很難再進
2023-02-28 16:48:24
如何更加深入理解MOSFET開關損耗？Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
算法，可根據負載功率因子在不同扇區內靈活放置零電壓矢量，與傳統的連續調制SVPWM相比，在增加開關頻率的同時減小了開關電流。仿真結果也表明這種方法有著最小的開關損耗。
2019-10-12 07:36:22
開關管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優化方法及其利弊關系
2020-12-23 06:51:06
和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
MOSFET可實現相對較快的開關動作，從而降低開關損耗。 IV.實驗驗證 A.實驗測試波形 將升壓PFC轉換器用作測量平臺，進行評估。傳統的TO247封裝MOSFET和最新推出的TO247 4引腳封裝
2018-10-08 15:19:33
走（CCFF）技術的原理。這種新方案在控制開關頻率方面極為有用，提供最優的平均能效及輕載能效等級。 臨界導電模式或不連續導電模式 開關損耗難于精確預測。當PFC升壓轉換器從臨界導電模式（CrM
2018-09-26 15:57:39
功率MOSFET的Coss會產生開關損耗，在正常的硬開關過程中，關斷時VDS的電壓上升，電流ID對Coss充電，儲存能量。在MOSFET開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲能
2017-03-28 11:17:44
MOSFET中的開關損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環境溫度 150 °C 和最佳柵極-發射極閾值電壓下進行測試（圖
2023-02-22 16:34:53
我們將介紹測試電源開關損耗和傳導損耗的各個步驟。 記住，經過電源開關和磁性器件的開關損耗和傳導損耗對系統整體損耗有著巨大影響，正因如此，應盡可能精確地使這些損耗達到最小，這一點至關重要。 首先，記住
2016-09-02 14:39:38
的圖像。圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段
2018-08-30 15:47:38
在本文中，我將討論直流/直流穩壓器部件的開關損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化的圖像。圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關
2018-06-05 09:39:43
今天開始看電源界神作《開關電源設計》（第3版），發現第9頁有個名詞，叫“交流開關損耗”，不明白是什么意思，有沒有哪位大蝦知道它的意思啊？謝謝了！！
2013-05-28 16:29:18
請您介紹一下驅動器源極引腳是如何降低開關損耗的。首先，能否請您對使用了驅動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅動器源極引腳的MOSFET的驅動電路示例。它與以往驅動電路
2020-07-01 13:52:06
產生效果相反的兩種反饋電壓，分別控制 MOSFET 柵源電壓的上升和下降時間，因此降低功率回路中的 di/dt。然而，這樣通常會增加開關損耗，因此并非理想方法 [8]，[9]。功率級寄生電容公式 1
2020-11-03 07:54:52
圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
MOS門極功率開關元件的開關損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 根據開關器件的物理模型,分析了開關器件在Boost 電路中的損耗,并計算了Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關損耗,給出了開關器件的功耗分布。最后對一臺3kW的Boost 型PFC 整流電源進
2009-10-17 11:06:0671
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗
摘要：升壓變換器通常應用在彩色監視器中。為提高開關電源的效率，設計
2009-07-20 16:03:00564 
理解功率MOSFET的開關損耗
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并
2009-10-25 15:30:593320 根據MOSFET的簡化模型，分析了導通損耗和開關損耗，通過典型的修正系數，修正了簡化模型的極間電容。通過開關磁鐵電源的實例計算了工況下MOSFET的功率損耗，計算結果表明該電源中
2011-11-14 16:46:22112 MOSFET才導通，因此同步MOSFET是0電壓導通ZVS，而其關斷是自然的0電壓關斷ZVS，因此同步MOSFET在整個開關周期是0電壓的開關ZVS，開關損耗非常小，幾乎可以忽略不計，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產生的導通損耗，選取時只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖，定位了MOSFET 開關損耗的來源，進而為緩啟動電路設計優化，減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平臺實現最小開關損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開關損耗SVPWM算法實現。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測量電源開關損耗。
2016-05-05 09:49:380 MOS門極功率開關元件的開關損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結果影響是值得注意的，比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實驗數據基礎上闡述了各寄生電感對IGBT開關損耗測量結果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開關損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:578162 
開關器件的功率損耗是開關器件評估的重要環節，也是許多示波器選配的高級分析功能。事實上，雖然很多實驗室配備了功率損耗程度測量環境，對設備和探頭也投入不菲，但是如果忽略了時間偏移，則所有的測試結果都將
2018-02-07 01:27:01899 
相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關速度和更低的開關損耗。 碳化硅 MOSFET 應用于高開關頻率場合時其開關損耗隨著開關頻率的增加亦快速增長。 為進一步提升碳化硅 MOSFET
2018-10-08 08:00:0029 一個高質量的開關電源效率高達95％，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。
2019-07-31 16:54:535929 
根據開關器件的物理模型 ，分析了開關器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計算了 Boost PWM 和 PFC 兩種不同電路的開關損耗 ，給出了開關器件的功耗分布。最后對一臺 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進行了優化設計。
2019-08-08 08:00:0015 Mosfet的損耗主要有導通損耗，關斷損耗，開關損耗，容性損耗，驅動損耗
2020-01-08 08:00:0011 同步整流降壓轉換器的同步開關（高邊＋低邊）是對VIN和GND電壓進行切換（ON/OFF），該過渡時間的功率乘以開關頻率后的值即開關損耗。
2020-04-06 10:51:00889 
電子發燒友網為你提供如何正確評估功率MOSFET的開關損耗？資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:49:1511 傳統的升壓PFC僅使用一個有源開關，通常是650V超結Si MOSFET。當今，大多數常規開關電源都采用升壓PFC，從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以減少開關損耗，但是效率的提高并不明顯——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:412636 
功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 根據開關器件的物理模型 ，分析了開關器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計算了 Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關損耗 ，給出了開關器件的功耗分布。最后對一臺 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進行了優化設計。
2021-05-11 11:01:2512 一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-22 10:51:0611 和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 的圖像。
圖1：開關損耗
讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容
2022-01-21 17:01:12831 
，熱損耗極低。 開關設備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關器件的損耗可以說是開關電源中最為重要的一個損耗點，課件開關損耗測試是至關重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關損耗測試方案中的探頭應用進行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 功率損耗是開關器件性能評估的重要環節，也是工程師在選配時重點關注的一項高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環境，對設備和探頭也投入不菲，但如果工程師忽略了探頭之間的時間偏移，測試結果很可能
2021-12-15 15:22:40416 
3、開關動態損耗?? 由于開關損耗是由開關的非理想狀態引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關損耗，器件從完全導通到完全關閉或從完全關閉到完全導通需要一定時間，也稱作死區時間，在這個過程中會產生
2022-01-07 11:10:270 如今的開關電源技術很大程度上依托于電源半導體開關器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關速度，能夠耐受沒有規律的電壓峰值。同時在On或Off狀態下小號的功率非常小，實現了很高的轉化效率，熱損耗極低。
2022-06-20 10:05:361704 
。此外，今天的開關元件沒有非常高的運行速度，不幸的是，在轉換過程中不可避免地會損失一些能量（幸運的是，隨著新電子元件的出現，這種能量越來越少）。讓我們看看如何使用“LTspice”仿真程序來確定 SiC MOSFET 的開關損耗率。
2022-08-05 08:05:075936 
MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，當VGS電壓達到MOSFET的開啟電壓時，MOSFET導通等同開關導通，有IDS通過，實現功率轉換。
2022-11-28 15:53:05666 開關過程中，穿越線性區（放大區）時，電流和電壓產生交疊，形成開關損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關損耗中占主導作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等電源開關器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關器件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發現有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
－接下來，請您介紹一下驅動器源極引腳是如何降低開關損耗的。首先，能否請您對使用了驅動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅動器源極引腳的MOSFET的驅動電路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
從某個外企的功率放大器的測試數據上獲得一個具體的感受：導通損耗60W開關損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子：可知，六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗和開關損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉換器的功率開關--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關節點產生的開關損耗。開關損耗：見文識意，開關損耗就是開關工作相關的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49622 
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅動能力。本應用筆記將詳細分析導通開關損耗以及選擇開關P溝道MOSFET的標準。
2023-03-10 09:26:35556 
通過調節頻率使PFC電感電流在每個高頻周期過零，以實現PFC二極管的零電流關斷，消除反向恢復損耗。PFC二極管電流過零后，PFC電感與MOSFET寄生電容諧振，使Vds過零以實現零電壓開通，不過零則谷底開通，降低開關損耗。
2023-03-21 09:35:151783 
MOS管在電源應用中作為開關用時將會導致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:555704 
CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:224671 
了電路的工作原理和效率。 開關器的兩種主要類型是MOSFET和BJT。然而，在Buck電路中，MOSFET通常更受歡迎，而BJT則較少使用。這主要歸因于以下幾個原因： 1. 低開關損耗 MOSFET具有非常低的開關損耗，因為它們是開關式的器件。當MOSFET處于導通狀態時，它的內阻非常小，故具有非
2023-09-12 15:26:31686 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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