在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競(jìng)局, 三星電子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米制程TLC芯片量產(chǎn)，一舉領(lǐng)先目前停留在43奈米制程的東芝，至于英特爾(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片將于2009年底量產(chǎn)。
2011-01-26 22:22:05
2197 臺(tái)積電高層公開(kāi)表示，10奈米制程一開(kāi)始的市占率會(huì)相當(dāng)高、公司會(huì)努力保持下去。三星稱(chēng)10奈米制程晶片預(yù)定2016年底量產(chǎn)，臺(tái)積電計(jì)畫(huà)則在2016年第3季量產(chǎn)，但市場(chǎng)認(rèn)為，三星有機(jī)會(huì)趕上臺(tái)積電。
2016-02-25 08:35:21670 臺(tái)積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺(tái)積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對(duì)手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:51676 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 三星官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產(chǎn)工作。據(jù)悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機(jī)器采購(gòu)自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號(hào)為雙工件臺(tái)NXE:3400B(光源功率280W)，日產(chǎn)能1500片。
2018-10-18 09:48:281072 將在IBM紐約州East Fishkill 300 mm晶圓廠內(nèi)聯(lián)合開(kāi)發(fā)32 nm bulk CMOS工藝。2007年2月美光推出25 nm NAND閃存，3年后量產(chǎn)25 nm閃存。目前32 nm/22 nm工藝尚處于研發(fā)階段。
2019-07-01 07:22:23
25W三星快充協(xié)議芯片可以用以下兩種芯片：JD6621，JD6606SJD6606S是一款集成的USB Power Delivery 3.0協(xié)議控制器。 它也支持華為的快速充電協(xié)議（FCP），超級(jí)
2021-09-14 07:01:51
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星周二表示，將停止在歐洲市場(chǎng)繼續(xù)銷(xiāo)售基于谷歌系統(tǒng)的Chromebook和基于微軟Windows的筆記本電腦。歐洲PC業(yè)務(wù)將關(guān)閉，但此舉不會(huì)波及其他地區(qū)。“我們只是對(duì)市場(chǎng)需求的及時(shí)
2014-09-25 10:32:11
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱(chēng)，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星LED射燈外殼：烤漆，電鍍兩種外殼 整套包括燈蓋，燈杯，底座，鋁基板，透鏡，螺絲 適用于MR16，GU10 蓮花狀，美觀，大方 散熱性能好
2019-10-31 09:02:05
`CFMS2018近日成功舉辦，來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星：看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
韓國(guó)三星電子日前宣布，位于中國(guó)陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國(guó)
2014-05-14 15:27:09
三星電機(jī)與三星電子聯(lián)手成立任務(wù)編組團(tuán)隊(duì)投入研發(fā)，最近推出Galaxy Watch的應(yīng)用處理器(AP)，便是使用FO-PLP的技術(shù)。該AP是2018年6月開(kāi)始量產(chǎn)，這個(gè)技術(shù)目前尚無(wú)其他案例，是否有其他
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開(kāi)發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
Galaxy Z Flip是唯一具有UTG(超薄玻璃)功能的設(shè)備，它更耐用。目前，三星已經(jīng)在全球范圍內(nèi)推出了兩種可折疊產(chǎn)品。據(jù)報(bào)道，上個(gè)月三星就已經(jīng)計(jì)劃制造自己的可折疊玻璃。現(xiàn)在，該公司已被證實(shí)有三種不同的屏幕
2020-05-23 09:31:29
普遍將CIS認(rèn)為是電荷耦合器(CCD)的一種可行性替代品，而形狀更小、分辨率更高的CIS芯片更是大勢(shì)所趨，特別是應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼領(lǐng)域，譬如：拍照手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)和數(shù)碼攝像機(jī)。 三星電子相關(guān)負(fù)責(zé)人表示
2018-11-19 17:12:09
三星電子近日宣布成功開(kāi)發(fā)出高質(zhì)量的CMOS圖像傳感器（CIS）芯片和照相機(jī)模組。該照相機(jī)模組有1/3英寸SXGA（130萬(wàn)像素）、1/5.8英寸VGA（33萬(wàn)像素）兩種規(guī)格，都包含了CIS和ISP
2021-04-22 07:35:50
和超薄顯示器市場(chǎng)都是世界第一，并且已經(jīng)穩(wěn)居全球第四大手機(jī)生產(chǎn)商位置，三星開(kāi)始領(lǐng)軍全球電子業(yè)。 2007年，開(kāi)發(fā)出了世界第一款30nm64GbNANDFlash內(nèi)存。 2010年，三星電子開(kāi)發(fā)
2019-04-24 17:17:53
ofweek電子工程網(wǎng)訊 10月31日，三星電子宣布了兩件“喜事”，其一，三星電子宣布了最新高管理層人員名單；其二，三星電子今年第三季度營(yíng)收再創(chuàng)新高。三星這次“內(nèi)部大換血”更加印證了此前其公司內(nèi)部
2017-11-01 15:56:56
根據(jù)三星技術(shù)部門(mén)確認(rèn)并宣布，三星將會(huì)把所有的Windows Phone 7.5機(jī)型的系統(tǒng)版本推送至7.8，原文如下：“We can confirm that our products
2012-12-23 11:03:51
月英特爾宣布使用FinFET技術(shù)，而后臺(tái)積電、三星也都陸續(xù)采用FinFET。晶體管開(kāi)始步入了3D時(shí)代。在接下來(lái)的發(fā)展過(guò)程中，F(xiàn)inFET也成為了14 nm，10 nm和7 nm工藝節(jié)點(diǎn)的主要柵極
2020-03-19 14:04:57
步伐。據(jù)韓媒Kinews等報(bào)導(dǎo)，三星2018年下半原計(jì)劃對(duì)DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資，期望獲利維持一定水平。同時(shí)，另一家半導(dǎo)體大廠
2018-10-12 14:46:09
的裸片面積上實(shí)現(xiàn)相同的功能，從而實(shí)現(xiàn)了外設(shè)和存儲(chǔ)的更高集成度，新產(chǎn)品預(yù)計(jì)第四季度全面上市。
行業(yè)風(fēng)向
【三星將減產(chǎn)NAND閃存產(chǎn)能5%，西安廠為重點(diǎn)】
據(jù)韓媒報(bào)道，三星將在第二季度將其NAND產(chǎn)能
2023-05-10 10:54:09
聲稱(chēng)，他們將在幾個(gè)月內(nèi)發(fā)布新型固態(tài)硬盤(pán)，初步解決這些問(wèn)題。三星宣布將在今年第二季度投產(chǎn)27nm NAND閃存，海力士也已經(jīng)宣布了26nm NAND閃存，不過(guò)Troy Winslow表示：“我們相信
2022-01-22 07:59:46
，三星電子和東芝(Toshiba)分別處于技術(shù)領(lǐng)先的地位，美光和英特爾(Intel)的IM Flash是在2009年正式量產(chǎn)34奈米制程技術(shù)后，才一舉追趕過(guò)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，勇奪NAND Flash市場(chǎng)技術(shù)領(lǐng)先
2022-01-22 08:05:39
海力士也將在2021年中推出基于176層4D NAND新技術(shù)的UFS和SSD產(chǎn)品。而三星雖然還未宣布下一代產(chǎn)品具體層數(shù)，但是近期也在公開(kāi)會(huì)議中表示，將在2021年量產(chǎn)第七代V-NAND，使用“雙堆棧
2022-01-26 08:35:58
三星ic，大量求購(gòu)三星ic，帝歐還長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤(pán)，回收服務(wù)器內(nèi)存條，回收硬盤(pán)，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購(gòu)連接器，收購(gòu)鉭電容，回收sd卡，收購(gòu)tf卡。回收工廠庫(kù)存ic，大量收購(gòu)工廠庫(kù)存
2021-05-28 19:17:34
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2020-12-01 17:34:19
專(zhuān)業(yè)收購(gòu)三星芯片高價(jià)回收三星芯片，專(zhuān)業(yè)收購(gòu)三星芯片。深圳帝歐專(zhuān)業(yè)電子回收，高價(jià)收購(gòu)ic電子料。帝歐趙生***（同步微信），QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-09-03 19:23:00
專(zhuān)業(yè)收購(gòu)三星ddr帝歐電子高價(jià)回收三星ddr，長(zhǎng)期求購(gòu)三星ddr，帶板的也收，大量收購(gòu)！！！帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購(gòu)三星（K9
2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
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2021-04-28 18:52:33
，SSD，U盤(pán)等產(chǎn)品上。有客戶會(huì)把這款EMMC芯片稱(chēng)之為MOVI NAND和INAND。 A、可直接插SD卡讀卡器連接電腦，支持熱拔插; B、同時(shí)兼容：東芝(TOSHIBA)、三星(SAMSUNG
2013-05-27 22:01:53
的寬度，也被稱(chēng)為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
半導(dǎo)體為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)和公司相繼迎來(lái)技術(shù)突破，快速發(fā)展，為MRAM的商業(yè)化應(yīng)用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導(dǎo)體簽訂28nm FD-SOI技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議，授權(quán)三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
全球進(jìn)入5nm時(shí)代目前的5nm制造玩家，只有臺(tái)積電和三星這兩家了。而三星要到明年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，就今年來(lái)看，臺(tái)積電將統(tǒng)治全球的5nm產(chǎn)業(yè)鏈。在過(guò)去的一年里，臺(tái)積電的5nm研發(fā)節(jié)奏很快，該公司在2019
2020-03-09 10:13:54
對(duì)DRAM芯片的強(qiáng)勁需求將繼續(xù)超過(guò)供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會(huì)投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過(guò)供應(yīng)。供蘋(píng)果新手機(jī)使用的有機(jī)發(fā)光二極體（OLED）面板的銷(xiāo)售增長(zhǎng)，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04
華為三星蘋(píng)果高通的差異買(mǎi)IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
年收購(gòu)電子芯片，收購(gòu)電子IC，收購(gòu)DDR ,收購(gòu)集成電路芯片，收購(gòu)內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
時(shí)間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤(rùn)率是40％，但是第一季度過(guò)后NAND價(jià)格就開(kāi)始暴降，據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來(lái)每年
2021-07-13 06:38:27
大量回收三星高通CPU回收三星高通CPU，收購(gòu)三星高通CPU，深圳帝歐專(zhuān)業(yè)回收三星高通CPU，趙生：*** QQ：764029970//1816233102歡迎有貨來(lái)電。專(zhuān)業(yè)收購(gòu)三星高通CPU，高價(jià)
2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
北京時(shí)間11月8日晚間MAX3232EUE+T消息，展訊通信(Nasdaq:SPRD)今日宣布，基于展訊通信40納米2.5G基帶芯片SC6530的兩款三星手機(jī)E1282(GT-E1282T
2012-11-09 15:43:30
至 2015 年之間， NAND的市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到 7%。技術(shù)方面，內(nèi)存密度因采用 25nm 及以下制程技術(shù)，讓制造商能進(jìn)一步擴(kuò)大優(yōu)勢(shì)。領(lǐng)先的 NAND 閃存制造商開(kāi)始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊(cè)說(shuō)有Unique ID可以用，但是沒(méi)有說(shuō)明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊(cè)中有看到OTP區(qū)域，可以來(lái)保存Unique
2017-03-21 09:22:02
和14nm芯片。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺(tái)積電獨(dú)得訂單，恐怕與去年的“芯片門(mén)事件”有關(guān)。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片，就是由臺(tái)積電（16nm制程工藝）和三星（14nm
2016-07-21 17:07:54
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎？
2019-08-05 22:52:59
。 2011年臺(tái)積電宣布28nm制程工藝正式邁入量產(chǎn)階段，成為芯片代工行業(yè)首個(gè)量產(chǎn)28nm產(chǎn)品的廠商。 2012年：英特爾發(fā)布22納米工藝和第三代處理器。 2014年底，三星宣布了世界
2018-05-10 09:57:19
高價(jià)回收三星芯片高價(jià)回收三星芯片，專(zhuān)業(yè)收購(gòu)三星芯片。深圳帝歐專(zhuān)業(yè)電子回收，高價(jià)收購(gòu)ic電子料。帝歐趙生***（同步微信），QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41
回收三星字庫(kù)，全國(guó)回收三星字庫(kù)。帝歐長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤(pán)，回收服務(wù)器內(nèi)存條，回收硬盤(pán)，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購(gòu)連接器，收購(gòu)鉭電容，回收sd卡，收購(gòu)tf卡。回收工廠庫(kù)存ic，大量收購(gòu)工廠
2021-02-23 17:54:12
Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開(kāi)的一次電話會(huì)議上，鎂光公司聲稱(chēng)他們很快便會(huì)試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對(duì)其進(jìn)行取樣測(cè)試。盡管
2009-12-26 09:56:491134 東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤(pán)將于二季度上市
日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷(xiāo)量?jī)H次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤(pán)
2010-01-08 17:15:13988 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:04713 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)部門(mén)的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開(kāi)始批
2010-03-04 11:02:511087 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開(kāi)售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開(kāi)始銷(xiāo)售，預(yù)計(jì)今年晚
2010-03-23 11:58:41600 東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來(lái)首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 美光今天也宣布了另外一種DDR3內(nèi)存的登場(chǎng)：30nm工藝制造的DDR3L-RS DRAM已經(jīng)開(kāi)始批量供應(yīng)，主要針對(duì)超極本、平板機(jī)等超輕薄計(jì)算設(shè)備。
2012-09-19 11:32:241617 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261209 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢(shì)在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451320 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道，三星電子今天宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:416063 在21日臺(tái)積電舉辦技術(shù)研討會(huì)，CEO魏哲家表示7nm制程的芯片已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，同時(shí)他還透露臺(tái)積電的5nm制程將會(huì)在2019年年底或2020年初投入量產(chǎn)。
2018-07-02 14:46:443043 據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過(guò)90層。
2018-07-24 14:36:327167 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:52935 三星電子今天宣布，開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763 天字一號(hào)閃存企業(yè)三星電子今天（1月30日）宣布開(kāi)始量產(chǎn)單芯片1TB容量的UFS存儲(chǔ)產(chǎn)品，主力用于智能手機(jī)。
2019-02-11 11:33:413705 
三星宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)該公司的5G芯片，涵蓋調(diào)制解調(diào)器芯片Exynos Modem 5100、無(wú)線射頻收發(fā)芯片Exynos RF 5500，以及電源控制芯片Exynos SM 5800，這3款芯片皆同
2019-04-09 17:19:034702 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 報(bào)道稱(chēng)，與三星電子的5nm工藝相比，3nm制程能將芯片尺寸縮小35%，功耗降低50%，性能提升30%。
2020-01-03 16:18:163787 在晶圓代工龍頭臺(tái)積電幾乎通吃市場(chǎng)7納米制程產(chǎn)品的情況下，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星在7納米制程上幾乎無(wú)特別的訂單斬獲。為了再進(jìn)一步與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，三星則開(kāi)始發(fā)展6納米制程產(chǎn)線與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，而且也在2019年12月開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。三星希望藉由6納米制程的量產(chǎn)，進(jìn)一步縮小與臺(tái)積電之間的差距。
2020-01-07 15:16:102524 今日，三星電子宣布已開(kāi)始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存，可用于手機(jī)、平板等。
2020-03-17 11:45:262147 在芯片先進(jìn)制程的賽場(chǎng)上，放眼全球，僅剩臺(tái)積電、英特爾、三星。目前，臺(tái)積電和三星在7nm以下的競(jìng)爭(zhēng)備受關(guān)注。根據(jù)報(bào)道，三星將直接跳過(guò)4nm先進(jìn)制程，轉(zhuǎn)向3nm制程的量產(chǎn)，此舉有可能使三星領(lǐng)先于
2020-07-06 15:31:541989 SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開(kāi)始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對(duì)此工藝所能帶來(lái)的更好性能、更低成本寄予厚望。
2020-07-24 15:19:141632 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類(lèi)。
2020-09-18 14:34:527052 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場(chǎng)上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手開(kāi)始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:372217 這還要從三星正式推出8nm制程說(shuō)起。2017年5月，三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部在美國(guó)圣克拉拉舉行的三星代工論壇上，公布了其未來(lái)幾年的制程工藝路線圖，其中，8nm首次正式亮相。當(dāng)年10月，三星即宣布已完成8nm LPP工藝驗(yàn)證，具備量產(chǎn)條件。
2021-05-18 14:19:296085 三星與臺(tái)積電同為全球頂尖晶圓代工大廠，近幾年三星的各種評(píng)價(jià)卻開(kāi)始落后于臺(tái)積電，差距也被逐漸拉大，不過(guò)三星沒(méi)有放棄，還是宣稱(chēng)要超越臺(tái)積電。 據(jù)媒體報(bào)道稱(chēng)，三星的3nm工藝已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)
2022-05-22 16:30:311808 臺(tái)積電2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn)？目前，臺(tái)積電已正式公布了2nm先進(jìn)制程，2nm芯片首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)。
2022-06-27 17:29:491160 在2021年5月份，IBM發(fā)布全球首個(gè)2nm制程芯片制造技術(shù)，全球首顆2nm芯片正式問(wèn)世。近期，臺(tái)積電正式宣布用于生產(chǎn)納米片晶體管架構(gòu)的2nm芯片，預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)，三星電子也已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3nm芯片，2nm將于2025年量產(chǎn)。
2022-06-29 09:38:042826 2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子今日宣布， 基于3nm全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT，簡(jiǎn)稱(chēng) GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開(kāi)始初步生產(chǎn)。
2022-06-30 10:15:591884 日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開(kāi)始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱(chēng)，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國(guó)華城工廠開(kāi)始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:271900 三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第一款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了，根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布，4D（GAA）架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開(kāi)始生產(chǎn)。 4D（GAA）架構(gòu)制程是3D
2022-06-30 20:21:521441 隨著臺(tái)積電曝光2nm制程的進(jìn)展后，三星緊追其后也宣布了關(guān)于2nm制程的最新消息，三星2nm的量產(chǎn)時(shí)間也定在了2025年，跟臺(tái)積電的差不多。這次2nm制程是三星這些年來(lái)首次追上了臺(tái)積電，比以往快了不少。
2022-07-01 09:59:083431 根據(jù)外媒的消息報(bào)道稱(chēng)，三星電子公司近日正式宣布已開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片，三星電子正押注于將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于3 納米工藝，并且計(jì)劃于2025年量產(chǎn)基于GAA的2nm芯片，以追趕臺(tái)積電。
2022-07-04 09:34:041147 芯片制程一直是大家所關(guān)注的一個(gè)點(diǎn)，眾所周知芯片制程越先進(jìn)也就代表著芯片性能越強(qiáng)大，芯片其它各項(xiàng)參數(shù)也會(huì)更加優(yōu)秀。 2nm芯片是真的嗎 2022年6月30日，三星宣布正式實(shí)現(xiàn)了3nm芯片的量產(chǎn)，領(lǐng)先
2022-07-07 10:17:583921 ，比5nm芯片功耗低45%，性能高23%，同時(shí)三星也開(kāi)始了第二代3nm芯片的計(jì)劃。 不止是第二代3nm芯片，三星也已經(jīng)確定了將在2025年量產(chǎn)2nm芯片，同臺(tái)積電之前宣布的時(shí)間一樣。三星的2nm芯片將繼續(xù)沿用GAA晶體管技術(shù)，并且將進(jìn)一步優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)，性能和功耗等方面會(huì)得
2022-07-08 14:42:101153 而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前，三星已經(jīng)在今年6月30日宣布，其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝，在當(dāng)日開(kāi)始初步生產(chǎn)芯片，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片，定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星的3nm之爭(zhēng)似乎已經(jīng)拉開(kāi)帷幕。
2022-08-18 11:57:191212 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:36577 來(lái)源：TechWeb 近日，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，正如此前所報(bào)道的一樣，晶圓代工商臺(tái)積電，在他們旗下的晶圓十八廠，舉行了3nm制程工藝的量產(chǎn)及產(chǎn)能擴(kuò)張儀式，宣布3nm制程工藝以可觀的良品率成功量產(chǎn)
2022-12-30 17:13:11917 繼2022年6月30日，三星電子官宣開(kāi)始量產(chǎn)基于GAA晶體管結(jié)構(gòu)的3nm芯片后，臺(tái)積電也在2022年末在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)高調(diào)舉辦了3nm量產(chǎn)擴(kuò)廠典禮，也就是說(shuō)目前先進(jìn)制程的兩大玩家都已經(jīng)達(dá)成了3nm制程
2023-01-16 09:32:53560 
外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開(kāi)始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開(kāi)始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開(kāi)始量產(chǎn)汽車(chē)所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281
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