引言 化學(xué)蝕刻是通過與強化學(xué)溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這項研究中,銅在50℃用兩種
2021-12-29 13:21:46
2088 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/2A/A9/poYBAGHL8GOAaO1EAAAdwrdzqfE945.png)
摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時,需要對化學(xué)蝕刻劑有基本的了解,以實現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對正
2022-01-07 15:07:48
1129 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/2C/11/poYBAGHX5qaAb2tbAAAe6hwdixc870.png)
摘要 本文從晶體生長科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級。對金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明,晶面
2022-01-25 13:51:11
1721 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/2E/CF/pYYBAGHvj8-Afe6IAABbnAqnupE582.png)
為了闡明蝕刻殘留物的形成機理,研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響,我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下,蝕刻殘留物形成良好,這表明蝕刻殘留物是由氧和非揮發(fā)性乳化硅化合物的反應(yīng)
2022-05-06 15:49:50
1012 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/41/1C/poYBAGJ00x6Af6wPAABe_OXwFEw873.jpg)
引言 正在開發(fā)化學(xué)下游蝕刻(CDE)工具,作為用于半導(dǎo)體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:42
3346 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/4E/15/poYBAGK8GaaAdGaJAAA1Uec4uSE184.jpg)
蝕刻機理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因為不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:22
1344 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/52/78/pYYBAGLL2juACL7NAABuqd6NH7o908.jpg)
PCB,電路板,基板上面如何出現(xiàn)電路呢?這就要蝕刻來實現(xiàn)。所謂蝕刻,先在板子外層需保留的銅箔部分,也就是電路的圖形部分,在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層,一層
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu),必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常,蝕刻過程分為兩類:浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻,其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中,我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
小于0.5%?! ?2)整個生產(chǎn)流程不許擦花鋁基面:鋁基面經(jīng)手觸摸,或經(jīng)某種化學(xué)藥品都會產(chǎn)生表面變色、發(fā)黑,這都是絕對不可接受的,重新打磨鋁基面客戶有的也不接受,所以全流程不碰傷、不觸及鋁基面是生產(chǎn)鋁
2018-08-04 17:53:45
的熱量并且提高利用率,那么這種材料的應(yīng)用潛力就會被加倍?! ⊙芯咳藛T的這項發(fā)明看起來有點不可思議,當這種鋁基粉末與水混合之后,水面會開始冒泡,然后開始出現(xiàn)水解過程,而鋁在這個過程中作為一種催化劑,催化
2017-08-14 10:33:58
鋁殼電動機就是用壓鑄鋁的外殼替換傳統(tǒng)的鑄鐵外殼的電動機。由于鋁材的延展性能好、比重小。鋁殼電機具有外形美觀、體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡單、維修方便、生產(chǎn)過程比較環(huán)保、生產(chǎn)效率高,便于運輸?shù)葍?yōu)點,從而深受
2021-01-29 06:09:00
可按下式計算:排放量=(分析值-規(guī)定值)/分析值 *總體積式中:排放量-從蝕刻槽中排出廢液的體積(l)分析值-由化學(xué)分析得出的銅含量(g/l)規(guī)定值-配方中規(guī)定的銅含量(g/l)總體積-蝕刻槽中蝕刻液
2018-02-09 09:26:59
,通過光化學(xué)法,網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層,然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機械加工方法除去不需要的銅箔,在單
2018-09-21 16:45:08
一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因為它在印制電路板制造工藝中直接影響高密度細導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量。當然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素的影響,有物理、化學(xué)及機械方面的?,F(xiàn)
2018-09-11 15:19:38
PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因為它在印制電路板制造工藝中直接影響高密度細導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量。當然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素
2013-10-31 10:52:34
工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外
2018-11-26 16:58:50
使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外,在市場上還可以買到氨水/硫酸氨蝕刻藥液?! ∫粤蛩猁}為基的蝕刻藥液,使用后,其中的銅可以用電解的方法分離出來
2018-09-13 15:46:18
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中,濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過程旨在去除微粒,而另一些則是去除有機和/或無機表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號:JFKJ-21-830作者:炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
各向異性(晶體)化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù),其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是:(1)具有原子級光滑面的光學(xué)設(shè)備(波導(dǎo)、激光器)減少損失(2)MEMS,其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
。這個蝕刻步驟可以產(chǎn)生光滑的晶體表面,并且可以通過改變第一步驟的方向、化學(xué)試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學(xué)蝕刻是一個非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:微鏡角度依賴性與蝕刻劑選擇編號:JFKJ-21-047作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html抽象的:在為微光學(xué)創(chuàng)建
2021-07-19 11:03:23
的 Au 膜的 SEM 圖像。金屬輔助化學(xué)蝕刻:為了進行 MacEtch,將帶有 Au 圖案的 Si 晶片浸入乙醇、HF(49 wt%)和 H2O2(30 wt%)的 1:1:1 (v/v) 混合物中 5
2021-07-06 09:33:58
工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外,在市場上還可以買到氨水
2018-04-05 19:27:39
青睞的刻蝕劑是氟化銨和醋酸1:2的混合水溶液。氮化硅濕法刻蝕對于鈍化層,另外一種受青睞的化合物是氮化硅??梢杂靡后w化學(xué)的方法來刻蝕,但是不想其他層那樣容易。使用的化學(xué)品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會迅速
2018-12-21 13:49:20
的銅箔,厚銅箔的蝕刻加工需要工程設(shè)計線寬補償,否則,蝕刻後線寬就會超差?! ?、鋁基板的鋁基面在PCB加工過程中必須事先用保護膜給予保護,否則,一些化學(xué)藥品會浸蝕鋁基面,導(dǎo)致外觀受損。且保護膜極易被碰傷
2018-06-21 11:50:47
制冷劑有R12. R22. R134a. R152a. R600a. h-01. RH. H. R404. R401. R152a和R22混合制冷劑.常用制冷劑有R12. R22. R134a.
2011-01-14 10:41:32
)的特性制冷劑的分類 氟哩昂的特性制冷劑的要求 熱力學(xué)的要求在大氣壓力下,制冷劑的蒸發(fā)溫度(沸點)ts要低。這是一個很重要的性能指標。ts愈低,則不僅可以制取較低的溫度,而且還可以在一定的蒸發(fā)溫度to下
2011-02-21 15:51:57
進行噴淋
蝕刻精細線路過程中溝道內(nèi)流體
分析。通過
分析溝道內(nèi)側(cè)壁,底部流體的相對速度,可以得到溝道內(nèi)各部位擴散層的相對厚度。最后獲得的擴散層相對厚度決定了各個部位
蝕刻反應(yīng)的相對速度?! ≡诰氂≈齐娐分谱?/div>
2018-09-10 15:56:56
噴灑在板子的表面。它把新鮮的溶液噴灑在板子上,具有很高的蝕刻速率。下列因素決定了蝕刻的均勻程度: 1 )噴灑樣式、力量、噴灑量的一致性和排放的位置; 2) 蝕刻劑的化學(xué)性能、泵的壓力、噴嘴的外形
2018-09-11 15:27:47
壓濾母液用于生產(chǎn)堿性蝕刻液;其余廢水經(jīng)金屬鋁屑置換去除銅離子,進行蒸發(fā)濃縮生產(chǎn)混合銨鹽。另將三氯化鐵蝕刻廢液投鐵提銅后通入氯氣并蒸發(fā)濃縮,生成三氯化鐵回用于線路板蝕刻。 二、關(guān)鍵技術(shù) 硫酸銅、堿性蝕刻
2018-11-26 16:49:52
)光致抗蝕劑:用光化學(xué)方法獲得的,能抵抗住某種蝕刻液或電鍍?nèi)芤航g 的感光材料。 2)正性光致抗蝕劑:光照射部分分解(或軟化),曝光顯影之后,能把生產(chǎn)用照相底版上透 明的部分從板面上除去。3)負性光致抗
2010-03-09 16:22:39
在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個較為精細和覆雜的化學(xué)反應(yīng)過程,卻又是一項易于進行的工作。只要工藝上達至調(diào)通﹐就可以進行連續(xù)性的生產(chǎn), 但關(guān)鍵是開機以后就必需保持連續(xù)的工作狀態(tài)﹐不適宜斷斷續(xù)續(xù)地生產(chǎn)
2017-06-23 16:01:38
`分析原理 CleverChem380全自動間斷化學(xué)分析儀將比色分析法自動化的一種分析測試手段,完全模擬人工比色法,將樣品、試劑和顯色劑加入比色皿中產(chǎn)生顏色反應(yīng),待測物濃度與反應(yīng)液最終顏色深淺
2015-09-21 14:45:25
做,可以有較低的成本及較短的生產(chǎn)時間。化學(xué)鍍工藝最大特色是,只需利用一系列的氧化還原反應(yīng),將鎳金/鎳鈀金選擇性的成長在鋁墊上,完全不需要經(jīng)過高真空濺鍍/黃光工藝/蝕刻工藝,因此成本可降低,生產(chǎn)時間也可
2021-06-26 13:45:06
分析化學(xué)本書是與武漢大學(xué)分析化學(xué)考研室主編的《分析化學(xué)》(第四版)教材配套使用的教學(xué)輔導(dǎo)書,參照原書的內(nèi)容,各章按五個板塊設(shè)計。通過學(xué)習(xí)與訓(xùn)練,幫助讀者正確理解分析化學(xué)的基本概念,掌握題解的方法
2008-12-01 13:45:01
是半導(dǎo)體制造,微機械和微流控設(shè)備中的重要過程,需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài),這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻,因此常用于分層應(yīng)用。缺點包括許多化學(xué)廢物,其中許多是高酸性和多步過程。
2021-01-08 10:15:01
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高,因為所用化學(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個薄膜。對于大多數(shù)解決方案,選擇性大于100:1。
2021-01-08 10:12:57
燃料電池是直接將化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能的發(fā)電裝置,是清潔、高效的新能源。燃料電池催化劑是燃料電池的重要組成部分,它在很大程度上影響燃料電池的性能。氧電極催化劑的催化活性直接影響到電池的過電位、交換電流
2011-03-11 12:46:10
電解合成的;鋁、鈉等輕金屬的冶煉,銅、鋅等的精煉也都用的是電解法;②機械工業(yè):要用電鍍、電拋光、電泳涂漆等來完成部件的表面精整;③環(huán)境保護:用電滲析的方法除去氰離子、鉻離子等污染物;④化學(xué)電源;⑤金屬
2017-10-16 10:06:07
碳粉上的Pt和Pt-CeO2催化劑對四種醇的電化學(xué)氧化具有較高的活性。而Pt-CeO2/C催化劑與Pt/C催化劑相比表現(xiàn)了更好的活性和更強的抗毒化能力。
2011-03-11 12:31:25
大量涉及蝕刻面的質(zhì)量問題都集中在上板面被蝕刻的部分,而這些問題來自于蝕刻劑所產(chǎn)生的膠狀板結(jié)物的影響。對這一點的了解是十分重要的, 因膠狀板結(jié)物堆積在銅表面上。一方面會影響噴射力,另一方面會阻檔了
2017-06-24 11:56:41
產(chǎn)生干凈無腐蝕的芯片表面。檢測范圍:常規(guī)塑封器件的開帽分析包括銅線開封。檢測內(nèi)容:1.芯片開封(正面/背面);2.IC蝕刻,塑封體去除。
2021-12-08 17:06:31
工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液?! 〈送?,在市場上還可以買到氨水/硫酸氨蝕刻藥液。以硫酸鹽為基的蝕刻藥液,使用后,其中的銅
2018-09-19 15:39:21
。③ 電化學(xué)穩(wěn)定性 在負極中處于鋰的負電勢下不被還原,在正極中發(fā)生過充電等有氧產(chǎn)生的情況下不發(fā)生氧化。伴隨充放電過程,鋰在活性物質(zhì)中的嵌入-脫出引起活性物質(zhì)的膨脹-收縮,要求黏結(jié)劑對此能夠起到緩沖作用
2013-05-16 10:35:02
采用RCC與化學(xué)蝕刻法制作高密度互連印制板 &
2006-04-16 21:23:49
1075 PCB化學(xué)鎳金及OSP工藝步驟和特性分析
本文主要對PCB表面處理工藝中兩種最常用制程:化學(xué)鎳金及OSP工藝步驟和特向進行分析。
2009-11-17 13:59:58
2170 PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素
一、蝕刻液的選擇
蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因為它在印制電
2009-11-18 08:56:46
1166 PCB蝕刻技術(shù)通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻,指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達到溶解腐蝕的作用。
2017-04-21 17:08:27
5086 蝕刻液的種類:不同的蝕刻液化學(xué)組分不同,其蝕刻速率就不同,蝕刻系數(shù)也不同。例如:酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3,堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)可達到4。近來的研究表明,以硝酸為基礎(chǔ)的蝕刻系統(tǒng)可以做到幾乎沒有側(cè)蝕,達到蝕刻的線條側(cè)壁接近垂直。這種蝕刻系統(tǒng)正有待于開發(fā)。
2018-10-12 11:27:36
6336 蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。它可通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-24 15:52:57
29780 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻(photochemicaletching),指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:36
14173 蝕刻法是用蝕刻液將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法,雕刻法是用雕刻機將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法,前者是化學(xué)方法,較常見,后者是物理方法。
2019-05-17 11:13:21
22179 蝕刻指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護摸去處,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版。蝕刻機可以分為化學(xué)蝕刻機及電解蝕刻機兩類。
2019-06-26 16:02:48
20207 PCB,電路板,基板上面如何出現(xiàn)電路呢?這就要蝕刻來實現(xiàn)。所謂蝕刻,先在板子外層需保留的銅箔部分,也就是電路的圖形部分,在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層,一層需要
2020-03-08 14:45:21
4248 ,錫鉛為抗蝕劑。 二、蝕刻反應(yīng)基本原理 1.酸性氯化銅蝕刻液 ①.特性 -蝕刻速度容易控制,蝕刻液在穩(wěn)定狀態(tài)下能達到高的蝕刻質(zhì)量 -蝕銅量大 -蝕刻液易再生和回收 ②.主要反應(yīng)原理 蝕刻過程中,Cu2+有氧化性,將板面銅氧化成Cu+:Cu+CuCl2→2CuC
2020-12-11 11:40:58
7462 蝕刻:將覆銅箔板表面由化學(xué)藥水蝕刻去除不需要的銅導(dǎo)體,留下銅導(dǎo)體形成線路圖形,這種減去法工藝是當前印制電路板加工的主流
2021-01-06 14:32:01
8529 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈,僅此而已。在PCB制造過程中,如果要精確地
2021-04-12 13:48:00
31019 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/EA/0E/o4YBAGBz3m2AaduYAAKsTcRpvCo253.png)
分析化學(xué)小型化的一個方便的起點是使用單c:晶體硅作為起始材料,微加工作為使技術(shù),濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在本文中,我們回顧了硅微加工,并描述了形成可能用于化學(xué)分析應(yīng)用的通道、柱和其他幾何圖案
2021-12-22 17:29:02
1095 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/27/EB/poYBAGHC5MKAUTXyAABLNbsZ81Q870.jpg)
的光學(xué)特性。樣品的全反射系數(shù)低于未經(jīng)處理的硅太陽能電池。硅太陽能電池的整體效率取決于所選的銀離子濃度制備條件和濕法蝕刻時間。太陽能電池的紋理化表面顯示出效率的提高,電路光電流高于沒有紋理化的參考硅太陽能電池。給出了
2022-01-04 17:15:35
633 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/2B/8B/poYBAGHUCJKADTbdAAAvF0P_jNk538.jpg)
光增強電化學(xué)(PEC)濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對較低、表面損傷較低的優(yōu)點,但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切面也有報道,在藍寶石基質(zhì)上生長的氮化
2022-01-17 15:38:05
942 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/2D/86/pYYBAGHlHMuAAG7HAAH_iiRA7bc861.png)
引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加,從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火,提高了反應(yīng)
2022-01-17 16:21:48
324 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/2D/89/pYYBAGHlJwGAPd2NAABp48a4pOM286.png)
介紹 本文通過詳細的動力學(xué)研究,闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對硅的濕式化學(xué)蝕刻的機理。蝕刻實驗后,我們進行進行了化學(xué)分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻劑的硅含量利用率和攪拌速度的函數(shù)關(guān)系
2022-01-24 15:41:13
1340 ![](http://file.elecfans.com/web2/M00/2E/A1/pYYBAGHuV4-ASe_-AABNLdJRA2Y965.png)
索引術(shù)語:氮化鎵,蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。 介紹 光電化學(xué)
2022-02-07 14:35:42
1479 ![](http://file.elecfans.com/web2/M00/2E/F5/poYBAGHzXseAKwnOAALOa__Qh68819.png)
摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37
905 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/33/B7/poYBAGIgXUWALo96AAAfLLimmkA429.jpg)
HF對基片進行了研究,主要分為隨機蝕刻和周期性蝕刻。 我們討論了蝕刻的問題機理、蝕刻速率、硬掩膜材料、周期性光俘獲結(jié)構(gòu)。
2022-03-08 11:52:41
1214 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/34/B6/pYYBAGIm0wmAY6sqAACnTUA4StY249.jpg)
在本文中,我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物,獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成,隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機理,雖然沒有完全理解,將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:42
460 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/34/F4/poYBAGIoSr6AVcQwAABCqOtRXJU242.jpg)
本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加,從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火,提高了反應(yīng)性濺射制備
2022-03-09 14:37:47
431 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/34/F4/poYBAGIoSzyAQOaZAABBRTdSVak026.jpg)
分析化學(xué)小型化的一個方便的起點在于使用單晶硅作為起始材料,微加工作為使能技術(shù),濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學(xué)習(xí)中都起到了關(guān)鍵作用。
2022-03-11 13:58:08
514 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/35/6B/poYBAGIq5PGASOr3AADolAlyx2s325.jpg)
利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移,制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu),納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過一個涉及硅的局部陽極化和隨后的化學(xué)蝕刻的組合過程來實現(xiàn)的。利用這一方法,可以通過改變蝕刻條件來制造負圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54
373 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/37/37/poYBAGI6jpKAUKxcAADI2xjnlrE986.png)
觀察到不同的蝕刻特性,當氫氧化鉀濃度固定為20 wt%時,在80℃以上的蝕刻溫度下觀察到U形槽的蝕刻形狀,在80℃以下觀察到V形槽的蝕刻形狀,蝕刻硅表面產(chǎn)生的小丘隨著蝕刻劑溫度和濃度的增加而減少。
2022-03-25 13:26:34
2506 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/37/BD/pYYBAGI9UoqAX6eIAAAtaDioraQ833.png)
本文采用超聲增強化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層,利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu),用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔,超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高
2022-04-06 13:32:13
331 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3B/78/poYBAGJNJd2ASdyqAAAyvapWLBM307.jpg)
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標準的機械背面磨削相比,應(yīng)力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合
2022-04-07 14:46:33
751 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3B/BC/poYBAGJOiMqASKxFAAAveCxTg8U963.jpg)
本研究根據(jù)蝕刻條件的變化,對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進行了球面分析,并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物性值變化時的噴霧特性,并考察了與蝕刻特性的相互關(guān)系。
2022-04-07 16:16:39
398 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3B/CA/pYYBAGJOneiALbGFAAC5rPsuCkM022.png)
引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,是極其重要的,將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中,晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層,進行化學(xué)蝕刻,在硅晶片的制造工序
2022-04-08 17:02:10
1682 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3C/14/pYYBAGJP-hOAL3ukAADf0yb80fU146.png)
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1,2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22
362 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3C/A6/poYBAGJVF9CAegl9AACrEBNKcaI930.png)
硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,是極其重要的,將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中,晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層,進行化學(xué)蝕刻,在硅晶片的制造工序中,使共有
2022-04-12 15:28:16
943 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3C/AE/poYBAGJVKhGAeypVAAAVmupRQ90037.jpg)
本研究根據(jù)蝕刻條件的變化,對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進行了球面分析,并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物性值變化時的噴霧特性,并考察了與蝕刻特性的相互關(guān)系。
2022-04-14 14:02:00
395 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/3D/1A/poYBAGJXu3aAForAAAERzmKgFGo627.png)
本文采用超聲增強化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層,利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu),用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔,超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高
2022-04-15 10:18:45
332 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/3D/4C/pYYBAGJY1e6ACyE6AACatxbJ01M587.png)
拋光的硅片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先,通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片),然后進行稱為研磨的平整過程,該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準備用于器件制造之前,蝕刻之后是各種單元操作,例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37
670 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3F/E0/poYBAGJqUSWAGwtZAAIaaJ5IoEc263.jpg)
鍍前的表面預(yù)處理的效果。氫氟酸中的蝕刻時間在1、3和5分鐘變化,以便研究涂層的粘附行為。使用場發(fā)射描電子顯微鏡(FESEM)觀察化學(xué)鍍樣品的表面形態(tài),并使用橫截面分析測量涂層厚度,結(jié)果表明,較長的蝕刻時間
2022-04-29 15:09:06
464 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/40/18/poYBAGJrjxKAfBY-AABoWZfuz8I040.jpg)
劑濃度觀察到不同的蝕刻特性,當氫氧化鉀濃度固定為20wt%時,在80℃以上的蝕刻溫度下觀察到U形槽的蝕刻形狀,在80℃以下觀察到V形槽的蝕刻形狀,蝕刻硅表面產(chǎn)生的小丘隨著蝕刻劑溫度和濃度的增加而減少。 為了了解單晶硅的KOH溶液和K
2022-05-05 16:37:36
2658 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/40/C6/pYYBAGJzjNCAen4AAABXSHjpl1k835.jpg)
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說,它們在某些方向上的蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:20
1420 引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機理。首先,確定控制底切的蝕刻前沿的晶面,并測量它們的蝕刻速率。然后,基于測量數(shù)據(jù),檢驗了凸角補償技術(shù)
2022-06-10 17:03:48
1114 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/49/D0/poYBAGKjCNSAbCyOAAC9UpQQSGE290.png)
的逐層秘密。隨著制造工藝的變化和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的變化,這些技術(shù)需要在時間和程序上不斷調(diào)整。雖然有許多工具有助于這些分析,如RIE(反應(yīng)離子蝕刻-一種干法蝕刻技術(shù))、離子銑削和微切割,但鎢的濕法化學(xué)蝕刻有時比RIE技術(shù)更具重現(xiàn)性。
2022-06-20 16:38:20
5220 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/4B/F8/poYBAGKwMfyAW3ePAABU2InN1tk357.png)
和掃描電子顯微鏡(SEM)來確定缺陷密度和通孔尺寸。使用光學(xué)顯微鏡、SEM和俄歇電子能譜(AES)完成對蝕刻后去除的分析。通過一系列評估,來自通用化學(xué)公司的化學(xué)物質(zhì)被確定為能有效地同時去除光刻膠掩模
2022-06-23 14:26:57
516 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/4D/48/pYYBAGK0B7GAAvmIAACZ910uIGE109.jpg)
50納米,4,5,盡管最近有報道稱rms粗糙度低至4–6納米的表面。6光增強電化學(xué)(PEC)濕法蝕刻也已被證明適用于氮化鎵(GaN)的蝕刻。7–10 PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對較低和表面損傷較低的優(yōu)勢
2022-07-12 17:19:24
3454 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/52/B6/pYYBAGLNPJyAS8nSAABXlK6z8Us140.jpg)
在半導(dǎo)體濕法蝕刻中, 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝, 實踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā), 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個因素, 并通過
2022-08-30 16:41:59
2998 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/65/E9/poYBAGMNzVeAEBsqAABinCJ8Dvw538.jpg)
反應(yīng)性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果:其具有一定的各向異性,而且未與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料會被蝕刻。首先,蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊,基材分子會進入激發(fā)態(tài),從而更加易于發(fā)生反應(yīng)。
2022-09-19 15:17:55
3390 本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學(xué)配方。盡可能多的來源已經(jīng)被用來提供一個蝕刻劑和過程的簡明清單
2023-03-17 16:46:23
2013 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/81/D8/wKgZomQTyaOAZ_eXAAFntqa80202.image)
金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:43
3172 大多數(shù)iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性,包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力,但干蝕刻有幾個缺點,包括產(chǎn)生離子致?lián)p傷和難以獲得光滑的蝕刻側(cè)壁,這是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:50
1110 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/81/E1/wKgaomQaZ9uAbp8aAAYpH49gLmE4.image)
蝕刻液的化學(xué)成分的組成:蝕刻液的化學(xué)組分不同,其蝕刻速率就不相同,蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&;堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側(cè)蝕問題,蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35
553 蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響,或者用樂觀的話來說,可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密,各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題,后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10
217 目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點,包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30
241 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B2/8A/wKgZomVgPU6AeML5AAB6PvC4XzU925.png)
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