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編輯：黃飛
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深度解析GaN功率晶體管技術及可靠性
- 晶體管(134507)
- GaN功率器件(5947)
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GaN FET在應用中的可靠性
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN 是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產品不斷問世，電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關心。
2022-07-18 10:06:19
779
779基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件
基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優勢。GaN-on-Si晶體管的開關速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112
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GaN HEMT可靠性測試：為什么業界無法就一種測試標準達成共識
如果基于GaN的HEMT可靠性的標準化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時提供高質量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導體行業中
2020-09-23 10:46:20
GaN可靠性的測試
qualification recipe）即可。由于長期的業界經驗和可靠性模型的驗證，人們現在可以接受將基于標準的測試用于硅材料的做法，不過也有例外的情況。功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
2018-09-10 14:48:19
GaN晶體管與其驅動器的封裝集成實現高性能
極大地增加了GaN晶體管柵極的應力。需要注意的一點是，任何FET的柵極上的過應力都會對可靠性產生負面影響。柵極環路電感還會對關斷保持能力產生巨大影響。當低管器件的柵極保持在關閉電壓時，并且高管器件接通
2018-08-30 15:28:30
可靠性是什么？
廠子，和用了5年后相比，它出故障的概率顯然小了很多。 “規定功能”是指產品規定了的必須具備的功能及其技術指標。所要求產品功能的多少和其技術指標的高低，直接影響到產品可靠性指標的高低。例如，電風扇的主要功能有轉
2015-08-04 11:04:27
可靠性檢技術及可靠性檢驗職業資格取證
中國電子電器可靠性工程協會 關于舉辦“可靠性檢技術及可靠性檢驗職業資格取證”培訓班的通知各有關單位： 根據《中華人民共和國勞動法》勞動和社會保障部《招用技術
2010-08-27 08:25:03
晶體管參數測量技術報告
晶體管參數測量技術報告摘 要晶體管的參數是用來表征管子性能優劣和適應范圍的指標，是選管的依據。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數測試系統，該系
2012-08-02 23:57:09
晶體管和FET實用設計教材《晶體管電路設計(下)》
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率
2019-03-06 17:29:48
晶體管電路設計
從事電子設計7年了，發覺這兩本書挺好的，發上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶體管的代表形狀
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
晶體管的分類與特征
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
晶體管的分類與特征
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎性的內容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據
2018-11-28 14:29:28
晶體管的開關作用有哪些？
100V到700V，應有盡有．幾年前，晶體管的開關能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術人員和電路設計人員的共同努力，改進了功率晶體管的性能。如(1)開關晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管的選用經驗
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號的小功率晶體管，可根據電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散
2012-01-28 11:27:38
CGHV96050F1衛星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
CGHV96100F2晶體管
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CMPA801B025F氮化鎵（GaN）高電子遷移率 基于晶體管
和更高導熱系數。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。 此MMIC可用于10引線金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝
2020-12-03 11:46:10
Diodes Inc MMBT39x車用晶體管
的NPN和PNP晶體管系列，符合AEC-Q101標準，具有高可靠性。 SOT23封裝尺寸適用于卷軸。推薦產品：MMBT3904T-7-F；MMBT3906-7-F；MMBT3904-7-FDiodes其它
2019-08-17 09:43:27
FHX35X高電子遷移率晶體管（HEMT）
金屬化技術，可靠性高噪聲系數NF典型值。（D b）1.2相關增益氣體典型值 （D b）10漏極電壓VDS（V）2個漏極電流lDS（mA）10頻率f（GHz）12應用低噪聲放大器筆記Tc（op）= + 25
2021-03-30 11:21:24
GaAs和GaN寬帶功率放大器電路設計考慮因素
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2018-10-17 10:35:37
IB0810M210功率晶體管
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統來實現最大的可靠性。 發射極鎮流電阻集成在有源電池中，可實現最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設備都針對大信號RF參數進行了100％篩選。硅雙極
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500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統來實現最大的可靠性。 發射極鎮流電阻集成在有源電池中，可實現最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設備都針對大信號RF參數進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統來實現最大的可靠性。 發射極鎮流電阻集成在有源電池中，可實現最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設備都針對大信號RF參數進行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
IB3042-5晶體管
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號
2019-05-14 11:00:13
IB3042-5晶體管
的高功率晶體管產品組合。我們目前的產品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導體技術。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統方案
2019-04-15 15:12:37
IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管
基于SiC HEMT技術的GaN輸出功率> 250W預匹配的輸入阻抗極高的效率-高達80％在100ms，10％占空比脈沖條件下進行了100％RF測試IGN0450M250功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
IGN1090M800雷達晶體管
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
IGN2856S40晶體管現貨
和雙極技術。產品型號：IGN2856S40產品名稱：晶體管IGN2856S40產品特性SiC HEMT技術中的GaN500瓦輸出功率AB類操作預匹配內阻抗100%高功率射頻測試負柵電壓/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
IGN2856S40是高功率脈沖晶體管
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術40W輸出功率AB類操作預先匹配的內部阻抗經過100％大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120雷達晶體管現貨
9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。相關
2018-11-12 10:26:20
MACOM射頻功率產品概覽
、通訊、網絡、雷達、工業、科研、以及醫療領域。我們的全鍍金制造工藝確保了產品的高性能和長期可靠性。我們的雙極晶體管旨在為用戶嚴苛的應用提供可靠的解決方案。射頻功率晶體管 - 硅MOSFETMACOM公司
2017-08-14 14:41:32
NPT2020射頻晶體管
化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT2020產品名稱：射頻晶體管NPT2020產品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應用從直流3.5 GHz調諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
NPTB00025B射頻功率晶體管介紹
500-1000MHz的10W P3dB CW寬帶功率25W P3dB CW窄帶功率受EAR99出口管制無鉛高可靠性金金屬化工藝符合RoHS技術指標電源電壓：28 VPSAT：25 W增益：13 dB測試
2019-11-01 10:46:19
PH1214-220M脈沖功率晶體管現貨
和醫療應用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。產品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標準密封金屬/陶瓷封裝擴散發射器鎮流電
2018-05-21 15:49:50
PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管
和醫療應用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。 產品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標準密封金屬/陶瓷封裝擴散發射器鎮流電
2018-07-06 09:47:57
PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管
和醫療應用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。產品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標準密封金屬/陶瓷封裝擴散發射器鎮流電
2018-07-06 09:46:43
PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管
應用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。產品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標準密封金屬/陶瓷封裝擴散發射器鎮流電
2018-07-13 14:16:37
PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管現貨
應用。 我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長期可靠性。產品名稱: 雷達脈沖功率晶體管PH1214-220M產品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標準密封金屬/陶瓷封裝擴散發射器鎮流電
2018-11-12 11:02:34
QPD1020射頻功率晶體管
QPD1020射頻功率晶體管產品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
RF功率晶體管耐用性的三個電氣參數驗證
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
SGNE045MK晶體管
電流和寬帶應用。高壓操作：VDS = 50V高功率：47.5dBm（典型值）@Psat高效率：55％（典型值）@Psat線性增益：16.0dB（典型值）@ f = 2.2GHz經驗證的可靠性頻率（GHz
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SiC-MOSFET功率晶體管的結構與特征比較
繼前篇內容，繼續進行各功率晶體管的比較。本篇比較結構和特征。功率晶體管的結構與特征比較下圖是各功率晶體管的結構、耐壓、導通電阻、開關速度的比較。使用的工藝技術不同結構也不同，因而電氣特征也不同。補充
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【PCB】什么是高可靠性？
專業學術組織——可靠性技術組。1950年12月，美國成立了“電子設備可靠性專門委員會”，軍方、武器制造公司及學術界開始介入可靠性研究，到1952年3月便提出了具有深遠影響的建議；研究成果首先應用于航天
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【下載】《晶體管電路設計》——晶體管電路基礎知識匯總
放大電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。《晶體管電路設計》(上)面向實際需要，理論聯系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識
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晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導電氧化物還低的載流子遷移率。 在新加坡-麻省理工學院研究與技術聯盟，正在先行研發一種有前景的替代材料：GaN。從光學角度看，GaN的帶隙為
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什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。》技術根據其結構和制造工藝，晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。》 當前容量根據目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
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什么是RF功率晶體管耐用性驗證方案？
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
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什么是達林頓晶體管？
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調節器、電機控制器和顯示驅動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發明。在 1950
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什么是高可靠性？
市場份額、提高經濟效益。五、如何評估PCB是否具備高可靠性？高可靠性是結合“工程技術”與“管理藝術”的一種實踐科學，穩健地產出高可靠PCB須建立一整套“規范、高效、協同、可控”的管理程序，要求工廠必須全方位管
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傳聲器管可靠性分析
:SUN:DSJS.0.2010-02-005【正文快照】：1可靠性概述長期以來,國內生產的駐極體電容傳聲器(簡稱傳聲器),一直使用由結型場效應晶體管(JFET)和正向箝位二極管D1組成的簡單組合件[1
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單片機應用系統的可靠性特點
的可靠性設計技術和軟件系統的可靠性設計技術的解決方法。可供單片機應用系統的開發人員借鑒與參考。單片機應用系統的設計包括功能性設計、可靠性設計和產品化設計。其中，功能性是基礎，可靠性是保障，產品化是前途。因此，從事單片機應用系統開發工作的設計人員必須掌握可靠性設計。
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基本晶體管開關電路，使用晶體管開關的關鍵要點
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
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增強型GaN功率晶體管設計過程風險的解決辦法
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅動器方案，解決設計過程的風險。
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大功率白光LED的應用及其可靠性研究
。大功率白光LED作為半導體光源，相比傳統照明光源，有節能、壽命長、綠色環保、使用電壓低、開光時間短等特點。大功率白光LED技術迅速發展，有著極為廣闊的應用前景，而器件的可靠性是實現其廣泛應用的保證
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如何實現氮化鎵的可靠運行
幾個月前，我還沒發現這一點，因為我女兒問我GaN長什么樣子，我才意識到，在家中的節日彩燈中有數百個GaN啊：那是GaN LED里使用的GaN。GaN可靠性是一個不錯的合作主題。即使GaN晶體管現在通過了
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如何實現高可靠性電源的半導體解決方案
高可靠性系統設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環境條件并符合標準要求。本文專門探討實現高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
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目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
影響硬件可靠性的因素
一般來說，系統總是由多個子系統組成，而子系統又是由更小的子系統組成，直到細分到電阻器、電容器、電感、晶體管、集成電路、機械零件等小元件的復雜組合，其中任何一個元件發生故障都會成為系統出現故障的原因
2021-01-25 07:13:16
概述晶體管
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2019-05-05 01:31:57
氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好？
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電流旁路對GaN晶體管并聯配置的影響
將會導致高頻振蕩電壓。如果這些無法解決這些問題，將可能導致晶體管損壞。 盡管傳統硅晶體管的并聯配置技術已經十分成熟，但對于GaN器件并聯技術研究還鮮有涉及。考慮到GaN器件驅動的特殊性以及其高速開關
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直接驅動GaN晶體管的優點
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英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管
所需的組件，降低系統成本，提高可靠性。 英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應用和氣象觀察應用的L波段雷達系統。雷達系統在特定頻率范圍內發射高能電子脈沖，然后檢測脈沖
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日前，射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有產品均超越地面移動市場要求。
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2683GaN Systems即將要推出1美元以下的GaN晶體管？
GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682
682如何為應用的實用性測試GaN的可靠性
qualification recipe）即可。由于長期的業界經驗和可靠性模型的驗證，人們現在可以接受將基于標準的測試用于硅材料的做法，不過也有例外的情況。功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
2021-11-23 14:36:441419
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如何驗證GaN的可靠性
氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）正迅速獲得采用，因為它能夠提高效率并縮小電源供應器尺寸。不過，在投資這個技術之前，您可能仍會問自己GaN是否可靠。但令我震驚的是，沒有人問硅（Si）是否可靠。其實仍然有新的硅產品持續上市，電源設計人員也同樣關注硅功率組件的可靠性。
2022-08-02 14:24:351307
1307高功率GaN HEMT的可靠性設計
，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2022-09-19 09:33:211670
1670GaN的可靠性
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產品不斷問世，電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關心。
2022-09-20 08:48:00938
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GaN功率器件應用可靠性增長研究
GaN功率器件是雷達T/R組件或發射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074
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如何驗證 GaN 的可靠性
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27411
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工商網監
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