一張電路圖好比是一篇文章，單元電路就是一個(gè)句子，各種元器件就是組成每個(gè)句子的字，要想看懂電路圖，必須得從認(rèn)識(shí)電路板符號(hào)開(kāi)始。

　　一、電阻的型號(hào)命名方法

　　用符號(hào)R表示，單位為歐姆、千歐、兆歐，分別用Ω、KΩ、MΩ表示。

　　第一部分：主稱，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如R表示電阻，W表示電位器。

　　第二部分：材料，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有機(jī)實(shí)心、N-無(wú)機(jī)實(shí)心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、X-線繞。

　　第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個(gè)別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類型。1-普通、2-普通、3-超高頻、4-高阻、5-高溫、6-精密、7-精密、8-高壓、9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。

　　第四部分：序號(hào)，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以區(qū)分產(chǎn)品的外型尺寸和性能指標(biāo)等，例如：R T 1 1型普通碳膜電阻。

　　二、電容的型號(hào)命名方法

　　用C表示電容，電容單位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF），1F=10^6uF=10^12pF

　　第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。

　　第二部分：材料，用字母表示。用字母表示產(chǎn)品的材料：A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機(jī)薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介。

　　第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個(gè)別用字母表示。

　　第四部分：序號(hào)，用數(shù)字表示。

　　三、電感線圈

　　用L表示，單位有亨利（H）、毫亨利 （mH）、微亨利（uH），1H=10^3mH=10^6uH。

　　1、電感量L，電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無(wú)關(guān)。除專門(mén)的電感線圈（色碼電感）外，電感量一般不專門(mén)標(biāo)注在線圈上，而以特定的名稱標(biāo)注。

　　2、感抗XL，電感線圈對(duì)交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL，單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2πfL 。

　　3、品質(zhì)因素Q，品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)，線圈的Q值通常為幾十到幾百。

　　4、分布電容，線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。

　　四、半導(dǎo)體器件

　　第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管。

　　第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

　　第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開(kāi)關(guān)管、X-低頻小功率管（F《3MHz，Pc《1W）、G-高頻小功率管（f》3MHz，Pc《1W）、D-低頻大功率管（f《3MHz，Pc》1W）、A-高頻大功率管（f》3MHz，Pc》1W）、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

　　第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)。

　　第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管。