的支持。蓬勃發(fā)展的大模型應(yīng)用所帶來的特殊性需求，正推動芯片設(shè)計行業(yè)邁向新紀(jì)元。眾多頂級的半導(dǎo)體廠商紛紛為大模型應(yīng)用而專門構(gòu)建 AI 芯片，其高算力、高帶寬、動輒千億的晶體管數(shù)量成為大芯片的標(biāo)配。 芯片設(shè)計復(fù)雜度，邁向新高峰 在人工
2023-08-15 11:02:11
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是一種半導(dǎo)體器件，通過將一層半導(dǎo)體材料放置在兩層極性相反的材料之間而創(chuàng)建。NPN晶體管（如8050）通常在兩層負(fù)極材料之間有一層正極材料。相比之下，正負(fù)正（PNP）晶體管在兩個正極之間有一個負(fù)層
2023-02-16 18:22:30
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
上次我們學(xué)習(xí)了無源元件，今天我們接著來復(fù)習(xí)一下半導(dǎo)體以及使用了半導(dǎo)體的有源元件-二極管、晶體管、FET。
2021-03-03 08:36:01
閾值叫死區(qū)電壓，硅管約0.5V，鍺管約0.1V。（硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導(dǎo)體材料，硅管較多，鍺管較少）也就是我們在二極管整流得時候理想是，整個周期都是導(dǎo)通的，但是由于死區(qū)電壓的存在，實際上并不是全部導(dǎo)通的，當(dāng)半導(dǎo)體電壓
2021-09-03 07:21:43
，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。集成電路是一種微型電子器件或部件，采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管
2021-09-15 07:24:56
非常復(fù)雜，尤其是其最核心的微型單元——成千上萬個 晶體管 。我們就來為大家詳解一下半導(dǎo)體芯片集成電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。一般的，我們用從大到小的結(jié)構(gòu)層級來認(rèn)識集成電路，這樣會更好理解。01系統(tǒng)級我們還是以手機為例
2020-11-17 09:42:00
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
硬之城,晶體管這個詞僅是對所有以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的元件的統(tǒng)稱，那么問題來了，晶體管有哪些類型，其工作原理又是什么呢?一、晶體管工作原理晶體管，英文名稱為transistor，泛指一切以半導(dǎo)體材料為
2016-06-29 18:04:43
利用半導(dǎo)體的特性，每個管子工作原理個不同，你可以找機電方面的書看 下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實很簡單，就是用兩個狀態(tài)表
2017-08-03 10:33:03
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
？
再者在場效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請問這是為什么？同樣對于場效應(yīng)管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
20世紀(jì)最初的10年，通信系統(tǒng)已開始應(yīng)用半導(dǎo)體材料。20世紀(jì)上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音收，就采用礦石這種半導(dǎo)體材料進行檢波。半導(dǎo)體的電學(xué)特性也在電話系統(tǒng)中得到了應(yīng)用。 晶體管的發(fā)明
2021-05-11 06:59:53
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
現(xiàn)代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時發(fā)生損壞的缺點，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18
現(xiàn)代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時發(fā)生損壞的缺點，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
轉(zhuǎn)帖： 電子元器件基礎(chǔ)知識之晶體三極管晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制、混頻和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓
2017-09-19 10:22:59
措施;對電容性負(fù)載，低冷電阻負(fù)載應(yīng)考慮限制通過器件的峰值電流。 3.高溫是對晶體管破壞性最強的因素，故必須對晶體管的功耗和結(jié)溫進行降額使用;電壓擊穿是導(dǎo)致晶體管失效的另一主要因素，故其工作電壓也需降額
2016-01-22 10:19:45
，硅的電阻率就大大減小，利用這種特性制成了各種不同的半導(dǎo)體器件，如二極管、雙極型晶體管、場效晶體管及晶閘管等。4、本征半導(dǎo)體就是完全純凈的、晶格完整的半導(dǎo)體。5、在本征半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)中，原子之間以
2016-10-07 22:07:14
電子產(chǎn)品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
我們獲得的新半導(dǎo)體材料生長和加工技術(shù)的S波段RF功率晶體管。今天仍然可以在美國和英國的每個機場部署先進的空中交通管制雷達系統(tǒng)。從那時起，我們每年都有這種經(jīng)驗，而今天，Integra為雷達應(yīng)用提供廣泛
2019-04-15 15:12:37
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機制
2020-12-30 07:57:04
，可控制電子電路中電子元件的器件。MOSFET是一種以極其低的特性電阻通過控制門電壓，來調(diào)節(jié)傳輸通道在正反兩端的電壓，從而傳輸電子電路的基本晶體管，是由于采用了金屬-氧化物-半導(dǎo)體工藝而開發(fā)出來的晶體管
2023-03-08 14:13:33
兩個N型半導(dǎo)體和一個P型半導(dǎo)體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。在二極管教程中，我們看到簡單的二極管由兩塊半導(dǎo)體材料組成，形成一個簡單的pn結(jié)。而晶體管是通過背靠背連接兩個二極管而形成的三端固態(tài)器件。因此，它有兩個PN結(jié)
2023-02-15 18:13:01
型摻雜半導(dǎo)體材料隔開。PNP晶體管中的大多數(shù)電流載流子是空穴s，而電子是少數(shù)電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉(zhuǎn)的。電流在PNP中吸收到基極，由于PNP是電流控制器件，適度的基極
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
的電子工程是一個嶄新的領(lǐng)域，主要研究真空管中的電荷運動。如今，電子學(xué)研究的內(nèi)容一般包括晶體管和晶體管電路。微電子學(xué)研究集成電路（IC）技術(shù)，它能夠在一塊半導(dǎo)體材料上制造包含數(shù)百萬甚至更多個電路元件
2018-02-08 18:13:14
晶閘管）、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。圖表2 功率半導(dǎo)體器件分類方式及代表類型（來源：電力電子
2019-02-26 17:04:37
，晶體管起作用了。電子并未按 Shockley 的場效應(yīng)理論假設(shè)的那樣被拉到半導(dǎo)體表面，Brattain/Bardeen 反而發(fā)現(xiàn)，通過使用金觸點接觸半導(dǎo)體，他們將空穴注入半導(dǎo)體，實現(xiàn)電流流動。大約在
2018-06-29 16:45:19
行業(yè)真正的“領(lǐng)頭羊”？一、三極管定義：三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關(guān)。三極管
2019-04-08 13:46:25
??所謂晶體管是指用硅和鍺材料做成的半導(dǎo)體元器件，研制人員在為這種器件命名時，想到它的電阻變換特性，于是取名為trans-resister(轉(zhuǎn)換電阻)，后來縮寫為transistor，中文譯名就是
2019-12-16 13:33:31
及其應(yīng)用。
什么是晶體管
晶體管是電子設(shè)備。它是通過p型和n型半導(dǎo)體制成的。當(dāng)半導(dǎo)體放置在相同類型半導(dǎo)體之間的中心時，這種排列稱為晶體管。我們可以說晶體管是兩個二極管的組合，它是背靠背連接的。晶體管是一種
2023-08-02 12:26:53
眾所周知，電子系統(tǒng)芯片中的晶體管會隨著時間而逐漸老化。它們會慢慢變舊，反應(yīng)變得遲緩，毛病越來越多，甚至突然崩潰死機。不過凡事都有兩面性，雖然晶體管老化對電子產(chǎn)品不是好事，但其功耗卻隨著時間的推移而降
2017-06-15 11:41:33
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計算機、移動電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
地，氮化鎵晶體管以鎳和金的薄膜組配作為柵極金屬，并采用肖特基接觸或金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)。為確保透明，我們可以調(diào)整這種設(shè)計，將這些不透明金屬改變?yōu)橥该鲗?dǎo)電材料如氧化銦錫，它廣泛應(yīng)用于透明
2020-11-27 16:30:52
的區(qū)別。什么是PNP和NPN晶體管？晶體管是通過混合兩種不同類型的半導(dǎo)體而創(chuàng)建的：n型和p型。電子給體原子由n型半導(dǎo)體攜帶。而電子受體原子由p型半導(dǎo)體（空穴）攜帶。NPN 晶體管NPN型晶體管由具有低
2023-02-03 09:50:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
暴露在入射光中。除了曝光的半導(dǎo)體材料是雙極性晶體管晶體管(BJT)的基礎(chǔ)之外，光電晶體管的功能也是類似的。一個光敏晶體管被描述為一個去掉基極端子的 BJT，箭頭暗示基極對光敏感。本文中的其他圖只描述了
2022-04-21 18:05:28
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
的電流。2.晶體管的主要功能是什么？晶體管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大或切換電子信號和電力。晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。它由半導(dǎo)體材料組成，通常具有至少三個用于連接到外部電路的端子。3.晶體管
2023-02-03 09:32:55
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
場效應(yīng)晶體管在芯片中的作用講起：開關(guān)電源芯片就是利用電子開關(guān)器件如晶體管、場效應(yīng)晶體管、閘流管等，通過控制電路，使電子開關(guān)器件不停地“接通”和“關(guān)斷”，讓電子開關(guān)器件對輸入電壓進行脈沖調(diào)制，維持穩(wěn)定輸出電壓
2019-04-01 11:54:28
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請問這個單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
的作用相當(dāng)于一個二極管D。國產(chǎn)單結(jié)晶體管的型號有BT31、BT32、BT33、BT35等多種。其中B表示半導(dǎo)體，T表示特種管，3表示電極數(shù)，第四個數(shù)表示耗散功率（分別代表100、200、300和500mW）。 購線網(wǎng) gooxian.com專業(yè)定制各類測試線（同軸線、香蕉頭測試線，低噪線等）
2018-01-09 11:39:27
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
場效應(yīng)晶體管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性
2019-05-08 09:26:37
僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
同國產(chǎn)管的第三位基本相同。 晶體管是內(nèi)部含有兩個PN結(jié)，外部通常為三個引出電極的半導(dǎo)體器件。它對電信號有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。二、晶體管的種類晶體管有多種分類方法。（一）按半導(dǎo)體材料和極性
2012-07-11 11:36:52
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置。 晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
，掌握它們的特性和參數(shù)。本章從討論半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性和PN 結(jié)的單向?qū)щ娦蚤_始，分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場效應(yīng)晶體管和半導(dǎo)體光電器件等常用的半導(dǎo)體元器件。喜歡的頂一頂，介紹的非常詳細(xì)哦。。。。[此貼子已經(jīng)被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過]
2008-05-24 10:29:38
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
“晶體管”一詞是“傳輸”和“壓敏電阻”的組合。該術(shù)語描述了這些設(shè)備在早期的工作方式。晶體管是電子產(chǎn)品的主要組成部分，就像DNA是人類基因組的組成部分一樣。它們被歸類為半導(dǎo)體，有兩種一般類型：雙極
2023-02-17 18:07:22
都不是實質(zhì)問題。回來后，我偶然中發(fā)現(xiàn)了這個秘密。原來是有一個叫陳××的教授，在《電子節(jié)能燈與電子鎮(zhèn)流器的原理和制造》一書中介紹了深愛半導(dǎo)體生產(chǎn)的BLD系列晶體管具有抗飽和防燒毀的功能，許多客戶的工程技術(shù)人員都在學(xué)習(xí)這本書，所以引起了市場的共鳴。
2009-12-17 10:27:07
1965年4月19日，36歲的戈登·摩爾在《電子雜志》中預(yù)言：集成電路中的晶體管數(shù)量大約每年就會增加一倍。十年過后，摩爾根據(jù)實際情況對預(yù)言進行了修正，把“每年增加一倍”改為“每兩年增加一倍”。半導(dǎo)體
2019-07-01 07:57:50
①晶體管的動作圖1如圖1，輸入電壓，啟動NPN晶體管。在這個電路中，基極(B)-發(fā)射極(E)之間輸入順向電壓，注入基極電流。就是說，在基極(B)領(lǐng)域注入+空穴。如果在基極(B)領(lǐng)域注入+電子，發(fā)射極(E
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
幾十年來，電子設(shè)備變得越來越小，科學(xué)家們現(xiàn)已能將數(shù)百萬個半導(dǎo)體集成在單個硅芯片上。天一通訊科技，變號軟件，該研究的領(lǐng)導(dǎo)者、密歇根理工大學(xué)的物理學(xué)家葉躍進（音譯）表示：“以目前的技術(shù)發(fā)展形勢看，10年到20年間，這種晶體管不可能變得更小。半導(dǎo)體還有另一個先天不足，即會以熱的形式浪費大量能源。”
2013-07-03 10:44:31
，而且縮小器尺寸比運用硅雙極結(jié)晶體管(SiBJT)或橫向分散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)器件的產(chǎn)品減小50% 封裝和供貨： 2729GN-500晶體管采用單端封裝供貨，在密封的焊料密封
2012-12-06 17:09:16
和高頻場效應(yīng)晶體管(FET)。WBG 材料以其優(yōu)異的電學(xué)特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高頻電子器件的局限性。更重要的是，WBG 半導(dǎo)體可用于可擴展的汽車電氣系統(tǒng)和電動汽車(電動汽車
2022-06-15 11:43:25
。由于成本下降，可再生能源系統(tǒng)的使用正在世界范圍內(nèi)擴大。這些系統(tǒng)需要將直流電源轉(zhuǎn)換為電網(wǎng)同步的交流電源。目前，實現(xiàn)這項任務(wù)的逆變器是用分立晶體管設(shè)計制造的。TowerJazz半導(dǎo)體公司
2021-11-11 09:29:38
的半導(dǎo)體開關(guān)器件。IGBT 晶體管采用了這兩種類型的晶體管的最好的部分，高輸入阻抗和高開關(guān)速度的 MOSFET 與低飽和電壓的雙極性晶體管，并結(jié)合在一起，產(chǎn)生另一種晶體管開關(guān)設(shè)備，能夠處理大集
2022-04-29 10:55:25
。然后用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕，形成半導(dǎo)體器件及其電路。 清除光刻膠：蝕刻完成后，光刻膠的使命宣告完成，全部清除后就可以看到設(shè)計好的電路圖案。 而100多億個晶體管就是通過這樣的方式雕刻
2020-07-07 11:36:10
沒事看看了電力電子，看到這個原理圖，有點迷糊了，按圖所示，如果集電極C處為N型半導(dǎo)體，按照圖中來C極應(yīng)該接負(fù)極才對呀？為什么還接正極？這樣如何導(dǎo)通？有沒有大神指導(dǎo)下GTR的雙晶體管模型是什么樣的？
2020-06-11 09:03:42
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
、上位機等，給新手綜合學(xué)習(xí)的平臺，給老司機交流的平臺。所有文章來源于項目實戰(zhàn)，屬于原創(chuàng)。一、原理介紹晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電，故稱之為雙極性晶體管(BJT),又稱半導(dǎo)體三...
2021-07-21 06:31:06
半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測量一、實驗?zāi)康?、了解半導(dǎo)體特性圖示儀的基本原理2、學(xué)習(xí)使用半導(dǎo)體特性圖示儀測量晶體管的特性曲線和參
2009-03-09 09:12:099645 
明亮經(jīng)濟的LED開啟移動投影新紀(jì)元
多元化科技公司 3M 的新款微型投影儀采用歐司朗光電半導(dǎo)體的 LED。該透影儀可連接到手機和數(shù)碼相機上，開啟了移動投影的新紀(jì)元
2009-11-13 09:13:08425 單原子晶體管不使用半導(dǎo)體材料，在室溫下工作
2022-08-15 16:57:49191 高性能單層二硫化鉬晶體管的實現(xiàn)讓科研界看到了二維半導(dǎo)體的潛力，二維半導(dǎo)體材料的發(fā)展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限（< 1 nm），同樣的科學(xué)家們也沒有停止追尋二維半導(dǎo)體晶體管橫向尺寸的極限（也就是晶體管溝道長度的縮放極限）。
2022-10-17 10:50:042020
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