碳化硅器件和電路具有超強的性能和廣闊的應用前景，因此一直受業界高度重視，基本形成了美國、歐洲、日本三足鼎立的局面。目前，國際上實現碳化硅單晶拋光片商品化的公司主要有美國的Cree 公司、Bandgap 公司、Dow Dcorning 公司、II-VI公司、Instrinsic 公司；日本的Nippon 公司、Sixon 公司；芬蘭的Okmetic 公司；德國的SiCrystal 公司，等。

　　氮化鎵材料

　　氮化鎵（GaN） 材料是1928 年由Jonason 等人合成的一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料。

　　氮化鎵是氮和鎵的化合物，此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比，GaN在電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍。

　　相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，GaN 器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作。另外，氮化鎵器件可以在1~110GHz 范圍的高頻波段應用，這覆蓋了移動通信、無線網絡、點到點和點到多點微波通信、雷達應用等波段。近年來，以GaN 為代表的Ⅲ族氮化物因在光電子領域和微波器件方面的應用前景而受到廣泛的關注。

　　作為一種具有獨特光電屬性的半導體材料，GaN 的應用可以分為兩個部分：

　　憑借GaN 半導體材料在高溫高頻、大功率工作條件下的出色性能可取代部分硅和其它化合物半導體材料；

　　憑借GaN半導體材料寬禁帶、激發藍光的獨特性質開發新的光電應用產品。

　　目前GaN 光電器件和電子器件在光學存儲、激光打印、高亮度LED 以及無線基站等應用領域具有明顯的競爭優勢，其中高亮度LED、藍光激光器和功率晶體管是當前器件制造領域最為感興趣和關注的。

　　目前，整個GaN 功率半導體產業處于起步階段，各國政策都在大力推進該產業的發展。國際半導體大廠也紛紛將目光投向GaN 功率半導體領域，關于GaN 器件廠商的收購、合作不斷發生。

　　中國半導體材料產業

　　半導體晶圓制造材料和晶圓制造產能密不可分，近年隨著出貨片數成長，半導體制造材料營收也由2013年230億美元成長到2016年的242億美元，年復合成長率約1.8%。從細項中可看出硅晶圓銷售占比由2013年35%降到2016年的30%。

　　從2016年晶圓制造材料分類占比可看出，硅晶圓占比最大為30%，隨著下游智能終端機對芯片性能的要求不斷提高，對硅晶圓質量的要求也同樣提升，再加上摩爾定律和成本因素驅使，硅晶圓穩定向大尺寸方向發展。目前全球主流硅晶圓尺寸主要集中在300mm和200mm，出貨占比分別達70%和20%。

　　根據2016年全球主要硅晶圓廠商營收資料，前六大廠商全球市占率超過90%，其中前兩大日本廠商Shin-Etsu和SUMCO合計全球市占率超過50%，***環球晶圓由于并購新加坡廠商SunEdison Semiconductor，目前排名全球第三，2016年銷售占比達17%。

　　中國半導體材料分類占比市場狀況與全球狀況類似，硅晶圓和封裝基板分別是晶圓制造和封裝材料占比最大的兩類材料。從增長趨勢圖可看到2016～2017年中國半導體材料市場快速增長，無論是晶圓制造材料還是封裝材料，增長幅度都超過10%。

　　2012~2017年中國晶圓制造材料市場變化

　　總結

　　國內開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平較低，阻礙國內第三代半導體研究進展的還有原始創新問題。國內新材料領域的科研院所和相關生產企業大都急功近利，難以容忍長期“只投入，不產出”的現狀。因此，以第三代半導體材料為代表的新材料原始創新舉步維艱。

　　但是，隨著國家戰略層面支持力度的加大，特別是我國在節能減排和信息技術快速發展方面具備比較好的產業基礎，且具有迫切的市場需求，因此我國將有望集中優勢力量一舉實現技術突破！