聯柵晶體管(GAT)是什么意思?

?聯柵晶體管是一種新型功率開關半導體器件，簡稱GAT。GAT是介于雙極型晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)之間的特種器件，兼有BJT和FET的雙重優點，特別適合用作熒光燈電子鎮流器中的功率開關。其主要特點為：(1)動態損耗小，開關速度快；(2)二次擊穿耐壓高，功率容量和安全工作區大；(3)具有負的溫度系數，熱穩定性好：(4)抗沖擊能力和抗高頻輻射能力強，保證電路工作頻率的穩定。

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??? GAT的等效電路結構如圖3所示。國外型號有：C2621、C2333等，2SG系列是國產代表性產品之一。目前有的廠家將兩只GAT接成推拉方式封裝在一起，組成模塊，給使用帶來方便。圖2示出的是2DM模塊的內部結構，2DM模塊的型號及主要特性參數如表1所示。采用2DM模塊作功率開關器件的16 w雙D型電子節能燈電路如圖3所示。除采用GAT作為功率開關晶體管取代BJT或VD—MOST外，就電路結構本身而言，并沒有特別之處。

???? GAT的特性比較接近雙極性靜電感應晶體管(BsIT)。使用這種器件時應注意以下幾點：(1)GAT屬于? 電流驅動型，其激勵電壓幅度比一般BJT高，峰值驅動脈沖達3．5 V左右。因此，為選擇最佳工作點，對脈沖變壓器初、次級繞組匝數及基極限流電阻應調整到合適值，否則GAT將無法正常工作；(2)GAT的輸入阻抗略高于BJT，但低于FET，當其工作于高頻狀態下時，可在輸入回路并一只容量合適的小電容；(3)GAT開關速度非常快，使用中應注意設法避免或抑制寄生振蕩。

聯柵晶體管（Gate Associated Transistor:GAT）是一種介于雙極型晶體管和結型場效應晶體管之間的電流控制型電力電子器件。聯柵晶體管GAT有獨特的基區,它由FET和標準的雙極晶體管組成. 和通常的晶體管相比,GAT 最卓著的特點是在正向和反向都有寬廣的安全工作區(SOA)。SOA的改善是由于柵極的屏蔽效應,它抑制了基區的電流擁擠和集電區的雪崩效應. 聯柵晶體管GAT具有高壓和高速的工作特性.高頻GAT的最大振蕩頻率可達400MHz,而集電極-發射極的擊穿電壓BVCEO則達240V.工作在30MHz的B類放大器輸出功率可達52W,功率增益20.2dB以及效率為68%。

其它的報道表明,通過縮小柵區間隔和深度,可以在大電流密度的集電極區得到更高的電流增益和更高的開關速度.也可以采用多個發射極結構和提高基區和集電區的摻雜濃度來提高性能.優化這些參數,功率GAT的BVCEO電壓可達630V,集電極電流可達50A,共發射極的電流增益為30,而上升時間則為0.1us。

聯柵晶體管主要可用在節能燈的電子鎮流器。

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