集成電路一般是在一塊厚0.2～0.5mm、面積約為0.5mm的P型硅片上通過(guò)平面工藝制做成的。這種硅片（稱(chēng)為集成電路的基片）上可以做出包含為十個(gè)（或更多）二極管、電阻、電容和連接導(dǎo)線(xiàn)的電路。

一、集成電路中元器件的特點(diǎn)

與分立元器件相比，集成電路元器件有以下特點(diǎn)：

1. 單個(gè)元器件的精度不高，受溫度影響也較大，但在同一硅片上用相同工藝制造出來(lái)的元器件性能比較一致，對(duì)稱(chēng)性好，相鄰元器件的溫度差別小，因而同一類(lèi)元器件溫度特性也基本一致；

2. 集成電阻及電容的數(shù)值范圍窄，數(shù)值較大的電阻、電容占用硅片面積大。集成電阻一般在幾十Ω～幾十 kΩ范圍內(nèi)，電容一般為幾十pF。電感目前不能集成；

3. 元器件性能參數(shù)的絕對(duì)誤差比較大，而同類(lèi)元器件性能參數(shù)之比值比較精確；

4. 縱向NPN管β值較大，占用硅片面積小，容易制造。而橫向PNP管的β值很小，但其PN結(jié)的耐壓高。

二、集成電路的設(shè)計(jì)特點(diǎn)

由于制造工藝及元器件的特點(diǎn)，模擬集成電路在電路設(shè)計(jì)思想上與分立元器件電路相比有很大的不同。

1. 在所用元器件方面，盡可能地多用晶體管，少用電阻、電容；

2. 在電路形式上大量選用差動(dòng)放大電路與各種恒流源電路，級(jí)間耦合采用直接耦合方式；

3. 盡可能地利用參數(shù)補(bǔ)償原理把對(duì)單個(gè)元器件的高精度要求轉(zhuǎn)化為對(duì)兩個(gè)器件有相同參數(shù)誤差的要求；盡量選擇特性只受電阻或其它參數(shù)比值影響的電路