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干法刻蝕原理

2010年07月18日 11:28 www.qldv.cn 作者:本站 用戶評論(0
關(guān)鍵字:原理(44619)

干法刻蝕原理

刻蝕作用:去除邊緣PN結(jié),防止上下短路。
干法刻蝕原理:利用高頻輝光放電反應(yīng),使CF4氣體激活成活性粒子,這些活性粒子擴散到需刻蝕的部位,在那里與硅材料進行反應(yīng),形成揮發(fā)性反應(yīng)物而被去除。
干法刻蝕化學(xué)方程式:

去磷硅玻璃作用:去除硅片表面因擴散形成的磷硅玻璃層,并清潔表面,為PECVD做準備。
去磷硅玻璃原理:利用HF與SiO2反應(yīng),去除磷硅玻璃層。
去磷硅玻璃化學(xué)方程式:

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