DDR SDRAM內存
2009年12月17日 16:20 www.qldv.cn 作者：佚名 用戶評論（0）
DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（雙數據率同步動態隨機存儲器）的簡稱，是由VIA等公司為了與RDRAM相抗衡而提出的內存標準。DDR SDRAM是SDRAM的更新換代產品，采用2.5v工作電壓，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的傳輸速率和內存帶寬，例如DDR 266與PC 133 SDRAM相比，工作頻率同樣是133MHz，但內存帶寬達到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片組都支持DDR SDRAM，是目前最常用的內存類型。
非常好我支持^.^
(0) 0%
不好我反對
(0) 0%
相關閱讀：
- [電子說] 您的存儲器堆疊了嗎？—賽靈思推出16GB HBM FPGA 2023-10-24
- [存儲技術] 三星電子和SK海力士計劃四季度全面提高DDR5產量 2023-10-24
- [電源/新能源] RK3588 VCC_DDR電源PCB設計 2023-10-20
- [電子說] 對話Intel工程師|DDR6與USB4.0 Gen4展望 2023-10-20
- [電子說] 美光科技發布1β制程節點技術的16Gb DDR5存儲器，領先業界 2023-10-19
- [電子說] DDR5 時代來臨，新挑戰不可忽視 2023-10-19
- [電子說] 談談芯片中的層次化的設計（hierarchy design） 2023-10-18
- [電子說] SDRAM的電源系統及拓撲結構 2023-10-18
( 發表人：admin )