克制，2013 年存儲芯片市場規(guī)模接近 690 億美元，而 DRAM 和 NAND Flash就占據(jù)了約 600 億美元，占比超過 85%。
2016-03-29 15:07:19
6057 技術(shù)突破，并建成10萬片/月產(chǎn)能；二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月 6月20日上午，以長江存儲二期廠房為施工主體的國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區(qū)未來科技城國家存儲器基地建設(shè)工地開工建設(shè)。 在開工儀式上，紫光集團兼長江存儲公
2020-06-22 10:57:007923 NAND Flash存儲器在移動設(shè)備應(yīng)用市場的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲存服務(wù)影響，第三季智能手機與平板設(shè)備內(nèi)建NAND Flash存儲器的需求已開始減少。
2013-11-26 11:16:171180 
研究機構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。
2015-11-11 09:03:54421 根據(jù)科技新報取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場謠傳的 DRAM 廠。
2016-03-22 08:14:093440 紫光旗下同方國芯提出私募 800 億元人民幣的增資案，用于 Flash 產(chǎn)業(yè)。本篇報告分析中國和國際在 NAND 的現(xiàn)況和計畫，討論中國在 NAND 的發(fā)展機會。
2016-04-18 11:05:393351 武漢新芯記憶體基地在3 月28 日正式啟動，瞄準記憶體，目標(biāo)在2030 年成為月產(chǎn)能100 萬片的半導(dǎo)體巨人，而一開始武漢新芯鎖定的目標(biāo)是NAND Flash，對武漢新芯而言，要用3D NAND Flash 圓夢，一個躋身記憶體大廠的夢。
2016-04-18 14:33:324550 對中國大陸來說，今年可算是真正意義上的存儲器元年。武漢存儲器基地項目啟動，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲器的合肥市和紫光。三個地方加一個企業(yè)牽頭的“3+1”存儲器版圖已初現(xiàn)端倪。
2016-05-25 09:08:44833 業(yè)界傳出，清華紫光集團有意拉武漢新芯，搶進NAND Flash市場，采取類似美光與臺DRAM大廠華亞科的合作模式，如此一來，紫光也可搭上武漢新芯構(gòu)建新廠的列車，并且與美光洽談技術(shù)授權(quán)，加速紫光集團發(fā)展壯大的時間。
2016-07-12 10:06:531169 武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司。長江存儲將以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)布局，并著力發(fā)展大規(guī)模存儲器。紫光集團董事長趙偉國出任
2016-08-02 17:57:401620 正在參加互聯(lián)網(wǎng)大會的紫光集團董事長趙偉國表示，由紫光參與投資總額達240億美元的武漢存儲器芯片廠將于12月初動工。這項投資將扭轉(zhuǎn)大陸當(dāng)前無力生產(chǎn)存儲器芯片的局面，完工后預(yù)計2020年月產(chǎn)能達30萬片，2030年躍升至100萬片，成世界級存儲器生產(chǎn)基地。
2016-11-16 11:37:59996 中國紫光集團宣布，投入快閃存儲器戰(zhàn)場，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。
2017-01-03 09:05:21839 2016年，紫光集團與武漢新芯攜手的傳聞落地。根據(jù)雙方發(fā)布的消息，由紫光集團和武漢新芯聯(lián)手組建的長江存儲科技有限責(zé)任公司于7月26日注冊成立。這意味著中國最大的存儲產(chǎn)業(yè)基地初見雛形。
2017-01-10 20:13:243032 受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進
2017-02-07 17:34:128497 
NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
存儲器，NOR 與NAND 存儲邏輯的差異導(dǎo)致二者的應(yīng)用場景有很大不同。NOR 的優(yōu)勢在于隨機讀取與擦寫壽命，因此適合用來存儲代碼；NAND 的優(yōu)勢在于單位比特成本，花同樣的錢可以獲得更大的容量。
2023-09-11 16:59:231905 
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
Nand flashNand-flash存儲器是flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快
2022-01-26 07:56:35
Nand flash是flash存儲器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-05 09:18:33
清楚，請聯(lián)系技術(shù)支持。表1 NandFlash分區(qū)信息NAND Flash存儲器分區(qū)??EPC-6Y2C-L板載256MB的NAND Flash，其扇區(qū)大小為128KB，uboot、linux內(nèi)核以及文件系統(tǒng)等都安裝在其中，NAND Flash的分區(qū)情況如表1所列。注
2021-12-15 06:34:30
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲器的特點①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲器內(nèi)部以塊為單元進行分割，而各塊又以頁為單位進行
2018-04-11 10:11:54
為我國最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，月產(chǎn)能為10萬片晶圓，而在去年七月份紫光集團還參與了長江存儲的投資，計劃投資1600億元，打造國產(chǎn)3D NAND閃存，研發(fā)DRAM。
2018-03-28 23:42:26
NAND FIash存儲器的特點FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點 FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進設(shè)計
2021-04-25 09:18:53
Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲器)和EEPROM(電可擦只讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read – Only ...
2021-07-22 08:16:03
閃存。 相"flash存儲器"經(jīng)常可以與相"NOR存儲器"互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因為大多數(shù)情況下閃存只是
2018-08-09 10:37:07
NAND Flash分為SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Triple-Level Cell)等三種。早期NAND Flash應(yīng)用是
2018-06-14 14:26:38
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
市場2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達到1，500億美元，其中NAND Flash超過570億美元，而中國市場消耗了全球產(chǎn)能的32％，這意味著中國已成為全球主要的市場，為了擺脫長期對外采購的依賴，國內(nèi)存儲器
2021-07-13 06:38:27
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）。可以得出存儲器
2021-12-10 08:26:49
Flash類型與技術(shù)特點有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器？如何去設(shè)計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
11月15日晚，2022年度硬核中國芯評選頒獎盛典在深圳同泰萬怡酒店·3A層宴會廳隆重舉行，揭曉“2022硬核中國芯”最終評選結(jié)果。武漢芯源半導(dǎo)體有限公司 （以下簡稱“武漢芯源”） 成功斬獲雙獎
2022-11-21 17:21:48
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
NAND-Flash的拓荒者的角色，今年三月還宣布投資240億，用來研究生產(chǎn)NAND FLASH和DRAM。通過此次并購，武漢新芯將獲得清華紫光強大的財力和完整的產(chǎn)業(yè)鏈，組成中國強大的“NAND Flash”CP，迎戰(zhàn)
2016-07-29 15:42:37
，通常容量較小，主要用于存儲代碼；Nand Flash，容量較大，主要用于存儲資料，如數(shù)碼相機中所用的記憶卡。 簡單來說，可概括為一張圖描述，“太長不看版”可參照下圖： 具體來說，這兩種存儲器有何
2023-02-17 14:06:29
有兩個問題請教板上各位大牛，謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒有程序存儲器，是不是必須要外接flash才能存入程序？
2、如果使用外接的flash程序存儲器，如何從外部設(shè)備啟動呢？有沒有這樣的例程或者手冊可以供我參考？我想外接一個flash存儲器（通過SPI或者EMIF外接）作為程序存儲器，謝謝！
2018-06-21 18:24:08
怎樣去設(shè)計DSP自動引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件？對FLASH存儲器進行燒寫有哪些步驟？怎樣使用FLASH存儲器去設(shè)計引導(dǎo)裝載系統(tǒng)？
2021-04-27 07:13:39
一、Nand Flash 簡介Flash 中文名字叫閃存，是一種長壽命的非易失性（斷電數(shù)據(jù)不丟失）的存儲器。可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程，在進行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。功能性分為
2016-07-06 16:58:53
單元物理結(jié)構(gòu)上的改善等，使低電壓單一電源類型的閃速存儲器也形成產(chǎn)品。以文件為使用目的的AND及NAND兩種類型的閃速存儲器目前已在市場上流通，應(yīng)用于大容量的Flash ATA卡等方面。海洋儀器http://www.hyxyyq.com
2018-04-09 09:29:07
存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:26
10 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:2914 摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際
2006-03-11 11:47:191206 
Flash 存儲器的簡介
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:094564 
The flash translation layer is an additional software layer between the file system and the NAND
2011-03-31 17:29:2187 如何存儲MQX web page到NAND FLASH
2015-11-26 14:51:450 儲存型快閃存儲器（NAND Flash）軍備競賽再起，南韓存儲器大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元（約27億美元），在南韓及大陸兩地增加存儲器產(chǎn)能；紫光集團旗下的長江存儲武漢廠，也預(yù)定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。
2016-12-26 09:41:09572 Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。
2017-10-10 10:54:1124236 
FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 Flash存儲器技術(shù)趨于成熟，應(yīng)用廣泛，它結(jié)合了OTP存儲器的成本優(yōu)勢和EEPROM的可再編程性能，是目前比較理想的存儲器。Flash存儲器具有電可擦除、無需后備電源來保護數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲密度
2017-10-11 18:57:413776 
FLASH存儲器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，FLASH存儲器通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3020879 flash存儲器，及閃速存儲器，這一類型的存儲器具有速度快、方便等特點，是人們使用電腦辦公或者娛樂時必備的工具。
2017-10-30 08:54:3431401 將與合肥睿力12吋廠資源整合，全面對決紫光集團旗下長江存儲及聯(lián)電的晉華集成，借由掌握DRAM、NOR Flash、2D NAND等三大技術(shù)，爭奪大陸存儲器寶座。
2017-11-24 12:51:38431 紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠，另一個紫光大型的存儲器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實質(zhì)啟動。
2017-11-28 12:54:401970 根據(jù)2017年的存儲器行業(yè)需求顯露出的價格上漲，供不應(yīng)求局面，韓系存儲器廠紛紛計劃擴產(chǎn)。但由于存儲器大廠3D NAND良率升，NAND Flash將在2019年后產(chǎn)能過剩。
2018-01-06 10:32:382146 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）3日提出，繼移動裝置后，物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動通訊（5G ）擴增實境（AR）/虛擬實境（VR）及人工智慧（AI）將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中長期發(fā)展五大驅(qū)動力。為迎相關(guān)應(yīng)用，存儲器廠積極擴增產(chǎn)能，并以儲存型（NAND Flash）為主要爭戰(zhàn)焦點。
2018-07-06 09:42:00473 目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 根據(jù)韓國媒體的報導(dǎo)，韓國存儲器大廠三星已經(jīng)確認，將會在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴大DRAM、NAND Flash快閃存儲器的產(chǎn)能。 之前，韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:114712 中國存儲器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點思考。
2018-03-07 17:46:005860 
萬勇透露，武漢國家存儲器基地計產(chǎn)能10萬片/月的一號生產(chǎn)及動力廠房，首個芯片會在2018年點亮，明年實現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國務(wù)院批復(fù)的武漢國家存儲器基地，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大
2018-04-12 16:20:003563 ，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33109972 存儲器大廠華邦電（2344）積極搶攻車用存儲器市場，發(fā)表業(yè)界首款最高速度的車用序列式NAND Flash（Serial NAND），在四線序列周邊介面（QSPI）下的最高傳輸速度可達每秒83MB
2018-06-21 16:33:001565 中國大陸存儲器業(yè)者的生產(chǎn)計劃包括福建晉華、合肥長鑫、長江存儲、紫光集團，預(yù)定投產(chǎn)時間介于2018年下半年-2019年，主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲器、NAND Flash，初期產(chǎn)能介于2-5萬片，未來最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬片，中長期計劃更將擴大至12.5-30萬片的規(guī)模。
2018-08-29 11:40:00450 NAND寫回速度快、芯片面積小，特別是大容量使其優(yōu)勢明顯。頁是NAND中的基本存貯單元，一頁一般為512 B（也有2 kB每頁的large page NAND FLASH），多個頁面組成
2020-05-20 08:57:002761 
背景知識的情況下，可以比較簡單地使用大容量的NAND Flash存儲器，降低了使用NAND Flash存儲器的難度和成本。
2018-12-31 11:29:002879 
存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式動工建設(shè)之后，紫光再投240億美元，打造紫光成都存儲器制造基地！2018年10月12日， 紫光成都存儲器制造基地項目開工儀式在成都雙流舉行。 省委常委、市委書記范銳平出席活動，市委副書記、市長羅強致辭并宣布
2018-10-15 17:07:02783 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402365 對于紫光來說，在10月最大的一筆投資莫過于10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工。
2018-10-22 16:59:501946 由于各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車”，NAND Flash快閃存儲器和DRAM價格已經(jīng)持續(xù)走低，終結(jié)了持續(xù)兩年的市場供應(yīng)緊俏狀況。
2018-10-27 08:59:143740 據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:002612 ，也為在中國大陸西安的X2晶圓廠訂購了NAND Flash快閃存儲器設(shè)備，顯示已經(jīng)逐漸又恢復(fù)存儲器市場的布局。而這樣的狀態(tài)下，未來可能將沖擊中國臺灣存儲器廠商的營運狀況。
2019-10-30 15:15:302760 據(jù)分析機構(gòu)最新數(shù)據(jù)，因數(shù)據(jù)中心對市場的帶動作用，2019年第四季度NAND Flash總出貨量季增近10%，市場逐漸供不應(yīng)求。經(jīng)歷了一段降價期，NAND Flash存儲器終于迎來一小段上升期。
2020-03-08 18:25:484034 據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片，這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)，意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821 6月20日，紫光集團發(fā)布消息，由長江存儲實施的國家存儲器基地項目二期（土建）在武漢東湖高新區(qū)開工，規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月，達產(chǎn)后與一期項目合計月產(chǎn)能將達30萬片。
2020-06-23 10:10:082987 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 相信有很多人都對計算機里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 Nand flash是flash存儲器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 
Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046 NAND-Flash Nand Flash是一種非易失性存儲器，具有讀寫速度快.功耗低.存儲密度高等優(yōu)點，目前被廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中，如固態(tài)硬盤( SSD)、手機、數(shù)碼相機等。
2021-05-05 13:01:003569 
Nand flashNand-flash存儲器是flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快
2021-12-02 09:06:0812 Flash Memory是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在PC系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板BIOS中。絕大部分的U盤、SDCard等移動存儲設(shè)備也都是
2022-01-25 17:25:1259808 
Nand Flash存儲器內(nèi)部是由存儲單元“浮置柵晶體管”陣列排布組成，每一個“浮置柵晶體管”包括2個柵極：一個控制柵極和一個浮置柵極。
2022-02-08 16:59:170 存儲器的歷史始于1984年，彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了高性價比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點
2023-09-05 18:10:011626 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23556 
摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 為什么Nor Flash可以實現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲器是一種常用的非易失性存儲器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時因為沒有
2023-10-29 16:32:58647 Flash ROM NAND Flash ROM 應(yīng)該是目前最熱門的存儲芯片了。因為我們生活中經(jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會涉及到它。比如你買手機，肯定會考慮64GB，還是256GB？
2024-03-01 17:08:45160 
非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:1515 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論