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電子發燒友網>連接器>赫聯亞太新增魏德米勒授權

赫聯亞太新增魏德米勒授權

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2021-01-04 12:00:282641

利用有源米勒鉗位技術有效緩解緩米勒效應

當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt,這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通,這是一個潛在的風險(如圖1)。
2021-03-15 15:01:2615562

詳細分析MOSFET開關過程米勒效應的影響

本文介紹了米勒效應的由來,并詳細分析了MOSFET開關過程米勒效應的影響,幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應管柵極電荷的作用。
2022-03-10 14:44:186226

米勒平臺的形成原理

米勒平臺的形成原理
2022-03-17 15:52:387

米勒電容器寄生導通效應的抑制方法

米勒電容器寄生導通效應的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210

赫聯電子亞太區榮獲“TE 2021年度亞太地區最佳分銷商”

專業的互連與機電產品授權分銷商赫聯電子(Heilind Electronics)亞太區憑借其在2021年的客戶增長,網絡數字營銷以及在運營執行管理上的突出業績,榮獲“TE 2021年度亞太地區最佳分銷商”獎項。
2022-04-21 10:18:331039

MOS管開關時的米勒效應基本原理

米勒效應在MOS驅動中臭名昭著,他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應,在MOS管開通過程中,GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩定值,過后GS電壓又開始上升直至完全導通。
2022-08-30 15:34:142287

有源米勒鉗位技術

有源米勒鉗位技術
2022-11-15 20:06:076

淺談MOS管開通過程的米勒效應及應對措施

在現在使用的MOS和IGBT等開關電源應用中,所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應,本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應的成因、表現、危害及應對方法。
2023-02-10 14:05:506736

MOS管的米勒效應:感性負載

在上一篇文章中詳細描述了帶阻性負載時米勒平臺是怎樣的,對各階段做了定量分析,相信看過的同學應該會有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負載時米勒平臺是怎樣的。
2023-03-26 13:40:481714

MOS管的米勒效應:如何平衡抑制米勒效應和抑制EMI風險的關系

關于MOS管的米勒效應,已經輸出了8篇,今天這一篇是MOS管章節的最后一篇,下一篇就開始整理運放相關的內容。我個人認為今天聊的這個話題至關重要:抑制米勒效應和抑制EMI之間如何平衡。
2023-04-17 10:28:194149

MOSFET米勒效應詳解

米勒效應(Miller effect)是在電子學中,反相放大電路中,輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用,其等效到輸入端的電容值會擴大1+K倍,其中K是該級放大電路電壓放大倍數
2023-05-15 16:11:324100

IGBT中米勒效應的影響和處理方法

之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念,在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺
2023-05-25 17:24:253999

米勒電容、米勒效應和器件與系統設計對策

搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說,還可能引起寄生導通,增加器件損耗。那么米勒效應是如何產生的,我們又該如何應對呢?我們先來看IGBT開通時的典型波形:上圖
2023-03-03 16:04:061634

如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應?

如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應?? 米勒電容是指由電路中存在的電感所形成的電容。它可以導致電路中的寄生導通效應,從而影響電路的性能。常見的一種解決方法是使用補償電容,但這么做也會帶來其他
2023-09-05 17:29:39980

米勒電容對IGBT關斷時間的影響

米勒電容對IGBT關斷時間的影響? IGBT,即絕緣柵雙極性晶體管,是一種高效、高穩定性的半導體器件。它是一種功率開關元件,能夠控制大電流和高電壓的開關。IGBT的關斷時間是非常重要的一個參數
2023-09-05 17:29:421284

米勒電容效應怎么解決?

米勒電容效應怎么解決?? 米勒電容效應是指在一個帶有放大器的電路中,負載電容會產生一種反饋效應,使得整個電路的增益降低或者不穩定。這種效應的產生會影響到很多電路的穩定性和性能,是電子設計中必須面對
2023-09-18 09:15:451231

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