存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（SRAM）的快速、快閃存儲(chǔ)的高密度以及如同唯讀存儲(chǔ)（ROM）般低成本等各種優(yōu)勢(shì)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)。如今，透過磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)（MRAM），可望解決開發(fā)這種“萬能”存儲(chǔ)（可取代各種存儲(chǔ)）的問題。
2016-03-09 09:14:55
2118 引人注目的新存儲(chǔ)器包括：相變存儲(chǔ)器（PCM）、鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、電阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋轉(zhuǎn)移力矩RAM（STT-RAM）、導(dǎo)電橋RAM（CBRAM
2017-02-21 11:05:472282 
晶圓代工大廠臺(tái)積電和三星的競(jìng)爭(zhēng)，現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場(chǎng)。 臺(tái)積電這次重返內(nèi)存市場(chǎng)，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。
2017-06-07 10:54:181577 
磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM) 是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，它依靠兩個(gè)鐵磁層的（相對(duì)）磁化狀態(tài)來存儲(chǔ)二進(jìn)制信息。多年來，出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲(chǔ)器，這使得 MRAM 對(duì)緩存應(yīng)用程序和內(nèi)存計(jì)算越來越感興趣。
2022-07-26 11:08:341864 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）已經(jīng)有了多年的發(fā)展歷史，最早可以追溯到1984年，Arthur Pohm和 Jim Daughton兩人在霍尼韋爾打造出了首個(gè)磁阻存儲(chǔ)器設(shè)備
2022-11-29 09:25:322408 存儲(chǔ)器(DRAM)類似的高密度，而且還具有讀取無破壞性、無需消耗能量來進(jìn)行刷新等優(yōu)勢(shì)，因?yàn)榇朋w沒有漏電(leakage)之說。MRAM 與閃存（FLASH)同樣是非易失性的，它還具備了寫入和讀取速度相同
2020-11-26 16:23:24
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
的可擦寫次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲(chǔ)器的成本一樣，肯定會(huì)選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時(shí),將有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
MRAM技術(shù)MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）架構(gòu)，其中鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲(chǔ)（而不是隨時(shí)間推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
中之外，與其他半導(dǎo)體制造工藝一樣，質(zhì)量控制和良率提高將是一個(gè)持續(xù)的挑戰(zhàn)和機(jī)遇，而且事實(shí)是所有大型半導(dǎo)體代工廠都已將MRAM存儲(chǔ)器作為一種選擇。嵌入式產(chǎn)品意義重大。通過將MRAM集成到其嵌入式產(chǎn)品中
2020-08-12 17:42:01
MRAM的存儲(chǔ)原理
2020-12-31 07:41:19
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲(chǔ)器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
DDR3存儲(chǔ)器接口控制器是什么？有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-04-30 06:57:16
、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
2020-08-31 13:59:46
問題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
2020-11-16 14:33:15
STT-MRAM萬能存儲(chǔ)器芯片
2021-01-06 06:31:10
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲(chǔ)器 ？而有的用DDR存儲(chǔ)器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
/寫存儲(chǔ)器，在斷電時(shí)無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲(chǔ)器
2020-12-31 07:15:20
TAS-MRAM概念從磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展， 存儲(chǔ)器的種類日益繁多，每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序，為了提高存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試效率，一種多功能存儲(chǔ)器芯片
2019-07-26 06:53:39
在2019全球閃存峰會(huì)上，Everspin作為全球MRAM存儲(chǔ)芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲(chǔ)的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2019-07-16 08:46:10
新興存儲(chǔ)器MRAM與ReRAM嵌入式市場(chǎng)
2020-12-17 06:13:02
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-15 14:26:57
和碰撞期間記錄以上數(shù)據(jù)。顯然，微控制器不能等到事故發(fā)生才開始記錄數(shù)據(jù)。因此，微控制器需要連續(xù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以，EDR 需要一個(gè)具有幾乎無限寫次數(shù)的非易失性存儲(chǔ)器。 MRAM 存儲(chǔ)器比 ADAS 的傳統(tǒng)
2018-05-21 15:53:37
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長,市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。
鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)
鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:591942 
8月6日消息，美國加州創(chuàng)業(yè)公司Crossbar發(fā)布了一種新型芯片，能以郵票大小存儲(chǔ)1TB的數(shù)據(jù)。該芯片采用RRAM技術(shù)，顛覆傳統(tǒng)的閃速存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)速度是其的20倍。RRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)可永久存儲(chǔ)，即使是在電源被切斷的情況下。
2013-08-07 11:03:391418 美國芯片設(shè)計(jì)商Rambus宣布與中國存儲(chǔ)器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個(gè)在中國的合資企業(yè)Reliance Memory，以實(shí)現(xiàn)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）技術(shù)的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:005566 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 （MRAM） 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2018-05-29 15:42:002282 
多年來，該行業(yè)一直致力于各種存儲(chǔ)技術(shù)的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲(chǔ)器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發(fā)中。這些不同類型的存儲(chǔ)器都對(duì)應(yīng)特定的應(yīng)用領(lǐng)域，但都勢(shì)必將在存儲(chǔ)器家族中取代一個(gè)或者多個(gè)傳統(tǒng)型存儲(chǔ)。
2018-09-05 15:51:129162 有新的技術(shù)出來。除了主流的電荷捕獲（charge trap）存儲(chǔ)器外，還有鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、相變存儲(chǔ)器（PRAM）、磁存儲(chǔ)器（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0011607 
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，可與其他的NVM技術(shù)相媲美，如閃存，英特爾的Optane，以及FRAM和RRAM （圖1）。每種NVM都有自己的優(yōu)缺點(diǎn)。雖然MRAM的擴(kuò)展性好，但其容量仍遠(yuǎn)低于NAND閃存， SSD中的高密度存儲(chǔ)介質(zhì)大都是NAND閃存。
2018-12-22 14:37:344678 過去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 MRAM)在新興非揮發(fā)存儲(chǔ)器中發(fā)展較為成熟，2018年主要供應(yīng)商Everspin營收可望年增36%，2019~2020年以后，隨GlobalFoundries、臺(tái)積電、三星、聯(lián)電等晶圓代工廠商逐步
2019-09-11 17:33:293274 據(jù)近日?qǐng)?bào)道，面對(duì)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)低迷，三星電子，SK海力士，鎂光企圖通過新舊世代的產(chǎn)品交替，克服危機(jī)。
2019-10-25 10:22:53632 臺(tái)工業(yè)技術(shù)研究院10日于美國舉辦的國際電子元件會(huì)議（IEDM）中發(fā)表鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）等6篇技術(shù)論文。其中，從研究成果顯示，工研院相較臺(tái)積電、三星的MRAM技術(shù)更具穩(wěn)定、快速存取優(yōu)勢(shì)。
2019-12-10 14:15:492685 MRAM是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持
2020-04-09 09:13:145683 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:572584 
5月12日消息，兆易創(chuàng)新今日宣布，與領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP供應(yīng)商Rambus Inc. 就RRAM （電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 技術(shù)簽署專利授權(quán)協(xié)議。同時(shí)，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴
2020-05-14 14:38:054237 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 新式存儲(chǔ)器技術(shù)隊(duì)伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技術(shù)、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵突破，正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上，眼前我們正處于見證存儲(chǔ)器歷史的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。新式存儲(chǔ)器可分為獨(dú)立型產(chǎn)品，以及嵌入于邏輯
2020-06-30 16:21:58910 MRAM是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗
2020-07-17 15:36:19681 
Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有600多項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，在平面和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM
2020-08-03 16:26:49511 的領(lǐng)先趨勢(shì)來增強(qiáng)動(dòng)力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲(chǔ)器IP選項(xiàng)包括STT-MRAM，相變存儲(chǔ)器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同，適合特定的應(yīng)用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲(chǔ)技術(shù)，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)
2020-08-07 17:06:122003 自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢(shì)，SRAM的快速讀寫性能以及閃存的非易失性。據(jù)說STT-RAM
2020-08-10 15:30:20832 Everspin主要是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)銷售MRAM和STT-MRAM的領(lǐng)先者，其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心，云存儲(chǔ)，能源
2020-08-17 14:42:142309 Selector）。在存儲(chǔ)器單元中，選擇器是用于訪問所述存儲(chǔ)器元件MRAM中的一個(gè)磁隧道結(jié)。也是RRAM的一種電阻材料RRAM，也就是DRAM的電容器。這些
2020-09-04 16:10:132090 Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲(chǔ)的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢(shì)： 1. 非易失性存儲(chǔ)器
2020-09-19 11:38:322609 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲(chǔ)內(nèi)容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理器讀取資料時(shí)，不定要從頭開始，隨時(shí)都可用相同的速率，從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:342782 經(jīng)常有人將MRAM稱作是非易失性存儲(chǔ)器（NVRAM）未來的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，MRAM存儲(chǔ)芯片是可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲(chǔ)芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:431266 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以無限次地重復(fù)寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:591451 
對(duì)于存儲(chǔ)器而言，重要的技術(shù)指標(biāo)無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經(jīng)有很多種類的產(chǎn)品做出了各種各樣的努力，但是始終只能偏重某一方面，而不是面面俱到。也許大家最為看重的是MRAM
2020-10-30 14:27:281188 RRAM基于雙穩(wěn)態(tài)電阻轉(zhuǎn)換的阻性存儲(chǔ)器（RRAM）作為集動(dòng)態(tài)/靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和浮柵存儲(chǔ)器功能為一體的通用存儲(chǔ)器，是NAND技術(shù)后的下一代非易失性存儲(chǔ)（NVM）技術(shù)。
2020-11-04 10:59:242671 磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器，其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)非易失性MRAM存儲(chǔ)器也應(yīng)用于各級(jí)高速緩存
2020-11-09 16:46:48628 MRAM與傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲(chǔ)器的區(qū)別在于MRAM的信息攜帶者是磁性隧道結(jié)（MTJ ），而后者則是電荷。 每一個(gè)磁性隧道結(jié)包含一個(gè)固定層和一個(gè)自由層。固定層的磁化方向被固定了，而自由層的磁化方向可以由旋轉(zhuǎn)
2020-11-09 16:23:54887 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）最早于1980年代開發(fā)，并被推廣為通用存儲(chǔ)器。與其他存儲(chǔ)技術(shù)不同，MRAM將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為磁性元素，而不是電荷或電流。在性能方面由于使用足夠的寫入電流，因此MRAM與SRAM類似。但是這種依賴性也妨礙了它以更高的密度與
2020-11-20 15:45:59772 MRAM是磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Magneto-resistiveRandom Access Memory ）的縮寫。MRAM是一種非揮發(fā)性電腦存儲(chǔ)器（ NVRAM ）技術(shù)，從20世紀(jì)90年代以來
2020-11-24 14:45:22483 “永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能，可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM（磁性只讀存儲(chǔ)器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優(yōu)勢(shì)：低電壓運(yùn)行，長壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:00
38 存儲(chǔ)器（DRAM）類似的高密度，而且還具有讀取無破壞性、無需消耗能量來進(jìn)行刷新等優(yōu)勢(shì)，因?yàn)榇朋w沒有漏電（leakage）之說。MRAM 與閃存（FLASH）同樣是非易失性的，它還具備了寫入和讀取速度相同的優(yōu)點(diǎn)，并具有承受無限多次讀一寫循環(huán)的能力。（在自由磁體層
2020-11-25 14:32:19746 
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。 MRAM的存儲(chǔ)原理 MRAM
2020-12-09 15:54:192403 
MRAM即磁阻式隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱。經(jīng)過10多年不間斷的研發(fā)，全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號(hào)為MR2A16A，它采用44腳的TSOP封裝，容量為4M比特。它采用一個(gè)3.3V的單電源供電
2021-01-04 14:10:211130 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)（見表1）。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2021-03-03 16:35:01418 MRAM是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端
2021-03-03 16:40:05955 產(chǎn)品描述 MR3A16A是一款MRAM非易失性存儲(chǔ)器，位寬為512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，具有無限的耐久性。數(shù)據(jù)在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路
2021-04-30 16:33:21647 
MRAM是一種利用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度相結(jié)合，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車、工業(yè)、軍事和太空應(yīng)用。
2021-06-16 16:55:18795 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場(chǎng)和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)、汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)。MRAM是一種利用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力——能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:191926 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2021-12-07 15:21:108 MRAM即磁阻式隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱。經(jīng)過10多年不間斷的研發(fā)，全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號(hào)為MR2A16A，它采用44腳的TSOP封裝...
2022-01-25 19:39:475 STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，是磁性存儲(chǔ)器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲(chǔ)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）是一種基于自旋電子學(xué)的新型信息存儲(chǔ)器件，其核心結(jié)構(gòu)由一個(gè)磁性隧道結(jié)和一個(gè)訪問晶體管構(gòu)成。MTJ 呈現(xiàn)“三明治”結(jié)構(gòu)，兩層磁性固定層和自由層之間夾著一層隧穿層。
2022-04-26 14:21:111727 一些自旋電子存儲(chǔ)器已經(jīng)面世。MRAM（磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）已經(jīng)商業(yè)化，在某些情況下可以取代電子存儲(chǔ)器，但它是基于鐵磁開關(guān)的。
2022-07-22 17:05:141596 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）已經(jīng)有了多年的發(fā)展歷史，最早可以追溯到1984年，Arthur Pohm和 Jim Daughton兩人在霍尼韋爾打造出了首個(gè)磁阻存儲(chǔ)器設(shè)備
2022-11-29 07:15:10824 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581325 基于上述因素，越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲(chǔ)器，比如相變存儲(chǔ)器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:06639 MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快（寫入時(shí)間可低至2.3n）、功耗低、和邏輯芯片整合度高的特點(diǎn)。
2023-01-07 11:10:123518 全新的存儲(chǔ)器MRAM，ReRAM，PCRAM，相對(duì)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器來說，具有很多方面獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，能夠在計(jì)算系統(tǒng)層級(jí)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的計(jì)算性能、功耗和成本。
2023-03-20 11:39:191410 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03212 
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