2017年內存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一場大動亂，2018年內存產(chǎn)業(yè)風向也會有所變化，據(jù)悉，DRAM熱度可望延續(xù)依然存在，但是2018年DRAM并無新增產(chǎn)能，同時服務器內存合約價續(xù)漲。

2017年，整體內存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢？ 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時產(chǎn)業(yè)由悲轉喜。

DRAM無新增產(chǎn)能

首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能，頂多就是制程從2X奈米推進到1X奈米或是1Y奈米，帶動位的成長。 市調單位集邦科技更直接表示，2018年各DRAM廠資本支出計劃都傾向保守，新增投片量約5～7%，這些新增產(chǎn)能都來自現(xiàn)有工廠產(chǎn)能的重新規(guī)劃與制程轉進。

此外，集邦也提到，隨著智能手機內存容量升級，以及服務器、數(shù)據(jù)中心需求強勁， 2018年DRAM需求將成長約20.6%，供給端方面，預估將提升19.6%，為此，就整體面來看，2018年整體DRAM產(chǎn)業(yè)供需持續(xù)吃緊無虞，也因此，2018年各大DRAM廠商，包括三星、SK海力士、美光， 甚至是***的南亞科、華邦電持續(xù)穩(wěn)健獲利不成問題。

但目前在DRAM端有兩點要留意與觀察，第一、雖然2018年整體DRAM端無新增Fab的產(chǎn)能出來，但是三星有意在平澤（Pyeongtaek）興建第二座12吋廠，SK海力士也將在無錫興建第二座12吋廠， 這兩大廠的新廠產(chǎn)能最快2019年才會開出。

只是韓媒持續(xù)報導，三星將在DRAM端持續(xù)擴大產(chǎn)出的消息，不斷動搖市場對DRAM產(chǎn)業(yè)的信心。 韓媒不斷提到，三星在平澤廠區(qū)的半導體廠是兩層樓建筑，二樓無塵室將近完工，這些空間將投入DRAM的擴建，但根據(jù)內存業(yè)者的透露，這兩層樓中，有一層是投入3D NAND的擴產(chǎn)，至于另外一層樓中， 有意置入月產(chǎn)能五萬片的DRAM產(chǎn)線，只是設備商也透露，三星還沒下單采購設備，因此所謂新增五萬片的DRAM產(chǎn)能想在2018年就開出，真的很困難。

服務器內存合約價續(xù)漲

第二個觀察點是，DRAM種類繁多，包括Commodity、Specialty、Mobile、Server等DRAM，因為彼此間有產(chǎn)能排擠效應，究竟在2018年，哪幾種會最缺，價格漲幅最大，市況還不明朗， 因為國際三大DRAM廠，三星、SK海力士與美光，尚未揭露2018年的產(chǎn)品組合。

但市調單位集邦科技已經(jīng)提前預測，2018年最缺的會是Server DRAM。 集邦認為，數(shù)據(jù)中心的服務器需求與日俱增，2018年服務器內存的成長率將達28.6%，續(xù)居內存各大產(chǎn)品線之首，帶動價格上漲，主要原因包括第一、Intel與AMD新服務器平臺轉換推波助瀾，以及第二、 北美網(wǎng)絡服務業(yè)者如Google、Amazon Web Service、Facebook與Microsoft Azure在新數(shù)據(jù)中心建案上的需求。

而光是2018年第一季，服務器內存合約價將再上漲約5～8%，屆時主流模塊報價方面，一線廠32GB服務器模塊將達300美元大關，二線廠更會高于此價格，使得2018年第一季度價格將會維持在相對高點。

2018年NAND產(chǎn)業(yè)怎么看？ 業(yè)界多估「先下后上」，而與NAND產(chǎn)業(yè)連動性最高的群聯(lián)董事長潘健成估第一季價跌需求增，第二季報價回穩(wěn)，第三季供不應求。 而其實，因3D NAND良率終于快速上升，尤其64/72層3D NAND紛紛量產(chǎn)，并已優(yōu)先應用于SSD產(chǎn)品線，120GB的SSD在2017年12月中旬就跌破2017年年初的起漲價，通路商開始大舉拋貨，報價下看30美元。