9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:555462 據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來(lái)自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來(lái)源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:333821 報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:421340 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 根據(jù)外資的報(bào)告指出，NAND Flash 的產(chǎn)能問(wèn)題，2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會(huì)在下半年量產(chǎn) 64 層，以及 72 層堆棧的 3D NAND Flash 的情況下，原本預(yù)計(jì)產(chǎn)能會(huì)有大幅度提升。
2017-05-24 10:39:121258 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡(jiǎn)稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17917 
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲(chǔ)器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒(méi)有改變。NAND 閃速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲(chǔ)器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁(yè)為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
大家好！小金子為各位介紹一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。這款JSHU271G08SCN-25型號(hào)的規(guī)格書與SK海力士和Spansion進(jìn)行了對(duì)比，驚訝的發(fā)現(xiàn)竟然完全一樣。唯一
2018-01-10 09:55:21
存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）取代NAND閃存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
ARM/DSP/FPGA的區(qū)別是什么？對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-11-05 06:08:20
ARM與單片機(jī)對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-11-05 07:16:04
CPLD與FPGA對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-06-21 06:10:12
CPLD與FPGA的對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-11-05 08:20:40
RAM有哪些分類？特點(diǎn)是什么？DRAM和SRAM對(duì)比分析哪個(gè)好？
2022-01-20 07:16:10
DSP、MCU、ARM、CPLD/FPGA對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-10-22 07:17:10
仿真軟件中電磁場(chǎng)怎么計(jì)算？EM仿真和schmetic仿真對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-09-30 06:50:03
，而這－順序從所有 CPU 角度來(lái)看都一樣。這可大幅簡(jiǎn)化共享數(shù)據(jù)段所需的一致性協(xié)議。 共享存儲(chǔ)器保護(hù)與地址擴(kuò)展 — C64x+ 和 C67x DSP 架構(gòu)均將存儲(chǔ)器保護(hù)作為內(nèi)部存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)（L1、L
2011-08-13 15:45:42
LTE與WiMAX對(duì)比分析哪個(gè)好?
2021-05-31 06:22:29
存儲(chǔ)器(DRAM)類似的高密度，而且還具有讀取無(wú)破壞性、無(wú)需消耗能量來(lái)進(jìn)行刷新等優(yōu)勢(shì)，因?yàn)榇朋w沒(méi)有漏電(leakage)之說(shuō)。MRAM 與閃存（FLASH)同樣是非易失性的，它還具備了寫入和讀取速度相同
2020-11-26 16:23:24
翻轉(zhuǎn)）現(xiàn)象上，NAND的出現(xiàn)幾率要比NorFlash大得多。這個(gè)問(wèn)題在Flash存儲(chǔ)關(guān)鍵文件時(shí)是致命的，所以在使用NandFlash時(shí)建議同時(shí)使用EDC/ECC等校驗(yàn)算法。
4、壽命對(duì)比
在NAND
2023-06-26 08:13:11
Arduino和STM32各自的特點(diǎn)是什么？STM32和Arduino對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-11-04 06:34:07
eFuse與傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲對(duì)比分析eFuse應(yīng)對(duì)云應(yīng)用過(guò)流保護(hù)的挑戰(zhàn)
2021-03-09 07:10:27
串行存儲(chǔ)器A25L010資料下載內(nèi)容包括：A25L010引腳功能
2021-03-29 06:31:18
串行和并行接口SRAM對(duì)比分析，看完你就懂了
2021-05-19 06:16:24
這個(gè)是譯碼法來(lái)選擇片外的存儲(chǔ)器，用三根線可以選擇8個(gè)8KB的片外存儲(chǔ)器（8*8=64KB），但是要是把64KB的存儲(chǔ)地址分配給4KB的存儲(chǔ)器，為什么需要4根高位地址線，求專家詳解
2018-12-18 14:38:17
啟動(dòng)模式講完了，我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問(wèn)它。 接下來(lái)，再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
主流CAN收發(fā)器性能對(duì)比分析哪個(gè)最好？
2021-05-20 06:14:37
,LPDDR,GDDR.品牌：Micron,Samsung,SK Hynix,Nanya,Winbond.2. 閃存IC : Nand Flash,Nor Flash,Emmc,UFS,MCP.品牌
2019-09-27 17:34:40
。 2、硬盤存儲(chǔ)器 信息可以長(zhǎng)期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶。 3、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）。 4、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲(chǔ)器（閃存
2019-06-05 23:54:02
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）。可以得出存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
常見(jiàn)單片機(jī)對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-10-29 07:39:21
干簧管傳感器與霍爾效應(yīng)傳感器的比較對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-06-08 07:03:59
開關(guān)電源PWM與PFM對(duì)比分析開關(guān)電源控制技術(shù)的特點(diǎn)是什么
2021-03-11 07:37:37
異步通信與同步通信對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-12-16 07:35:06
步進(jìn)電機(jī)與伺服電機(jī)對(duì)比分析采用閉環(huán)技術(shù)的步進(jìn)電機(jī)
2021-02-05 06:05:47
步進(jìn)電機(jī)和伺服電機(jī)對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-10-13 08:15:46
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
系統(tǒng)設(shè)計(jì)存在設(shè)計(jì)基于閃存的可靠的嵌入式和存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)仍然面對(duì)重大挑戰(zhàn)。隨著每代新產(chǎn)品的出現(xiàn)，目前存儲(chǔ)器技術(shù)要求尺寸越來(lái)越小，但耑要較大系統(tǒng)級(jí)變化來(lái)維持系統(tǒng)級(jí)討靠性和性能。NOR和NAND閃存的存儲(chǔ)器架構(gòu)
2018-05-17 09:45:35
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請(qǐng)問(wèn)這兩部分是不是有重疊？請(qǐng)具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
視頻標(biāo)準(zhǔn)核心技術(shù)對(duì)比分析哪個(gè)好
2021-06-07 06:12:34
鉛酸電池和鋰電池對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-06-10 06:59:19
伺服電機(jī)具有哪些缺陷？閉環(huán)步進(jìn)電機(jī)與伺服電機(jī)對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-09-27 08:13:44
鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
小型PLC對(duì)比分析.
2012-04-27 15:43:34
71 全球第二大存儲(chǔ)器制造商SK hynix Inc. 25日公布第2季（4-6月）財(cái)報(bào)：拜DRAM價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)、產(chǎn)品組合改善之賜，凈利達(dá)9，460億韓元（1.59億美元），遠(yuǎn)優(yōu)于去年同期的凈損533
2013-07-26 10:55:02653 SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111032 
蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%
2017-04-11 08:30:054095 據(jù)報(bào)道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過(guò)堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個(gè)
2017-04-12 01:07:11991 Hynix NAND flash型號(hào)指南
2017-10-24 14:09:2925 SK海力士預(yù)計(jì)第四季度D-RAM和
NAND閃存需求不斷增長(zhǎng)。公司計(jì)劃第四季度批量生產(chǎn)10納米級(jí)D-RAM和
72層
NAND閃存，明年業(yè)績(jī)?nèi)詫⑾蚝谩?/div>
2017-10-27 09:15:15595 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185 今年的閃存技術(shù)峰會(huì)，美光、SK海力士包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱之為“4D NAND”，長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱之為Xtacking，美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:286688 在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND閃存中，所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元，是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個(gè)NAND
2018-08-29 11:10:008278 
SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲(chǔ)器因?yàn)楣I(yè)4.0應(yīng)用而快速成長(zhǎng)，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球?qū)?D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的需求。
2018-10-12 16:17:004779 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 技術(shù)確實(shí)降低了每千兆字節(jié)的成本。本報(bào)告展示了目前市場(chǎng)上四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。
2018-12-11 09:28:466140 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
今年10月份SK Hynix才剛剛建成最新的M15晶圓廠，這是2015年全球最大的存儲(chǔ)芯片工廠M14落成時(shí)SK Hynix宣布的46萬(wàn)億韓元投資計(jì)劃中的一部分，M15工廠位于韓國(guó)
2018-12-22 11:09:233925 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121582 SK Hynix的QLC閃存整體性能令人印象深刻。
2019-05-16 15:01:083092 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對(duì)比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281277 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:002612 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 存儲(chǔ)行業(yè)近兩年的變化非常大，在內(nèi)存行業(yè)來(lái)看，包括SK Hynix在內(nèi)的多家內(nèi)存大廠，已經(jīng)開始了首批DDR5存儲(chǔ)器新品的研發(fā)試驗(yàn)。
2020-01-15 14:34:573056 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111，是針對(duì)讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士是一家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:193527 各種存儲(chǔ)器比較（PCM，STTRAM，SRAM，DRAM，F(xiàn)lash NAND，HDD），看出憶阻器在集成密度，數(shù)據(jù)的讀寫時(shí)間有著比較明顯的優(yōu)勢(shì)。
2020-08-27 17:18:316034 
在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 SK海力士作為全球半導(dǎo)體領(lǐng)頭企業(yè)之一，旨在強(qiáng)化其NAND閃存解決方案相關(guān)競(jìng)爭(zhēng)力，發(fā)展存儲(chǔ)器生態(tài)系統(tǒng)，進(jìn)而給客戶、合作伙伴、公司員工和股東帶來(lái)更多利益。
2020-10-20 09:53:011833 韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在中國(guó)大連的NAND SSD部門，NAND部件
2020-10-21 14:30:372096 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，SK海力士宣布出資600億收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)！ SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的消息，SK海力士在官網(wǎng)上表示，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:152133 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震，英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472207 據(jù)英文媒體報(bào)道，上月 20 日，SK 海力士在官網(wǎng)宣布，他們同英特爾達(dá)成了最終協(xié)議，將斥資 90 億美元收購(gòu)英特爾的 NAND 閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。 但消息人士日前表示，NAND 閃存目前的市場(chǎng)行情并不
2020-11-03 15:08:331576 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:232416 日本芯片制造商Kioxia開發(fā)了大約170層的NAND閃存，加入了與美國(guó)同行Micron Technology和韓國(guó)的SK Hynix的競(jìng)賽。
2021-02-20 11:10:002580 近日，SK海力士宣布將在中國(guó)大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲(chǔ)器制造項(xiàng)目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購(gòu)Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:533107 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1515 
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