東芝存儲公司6日宣布推出一種新的存儲器（SCM）XL-FLASH，并開始提供樣品。該產品使用1位/單元SLC技術，使用96層堆疊工藝實現3D閃存BiCSFLASH的高速讀寫。128Gbit芯片的樣品
2019-08-07 18:11:29
4996 Kioxia（原東芝存儲），西部數據（WD）聯盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產。 東芝開發的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會
2019-12-13 10:46:0711441 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術的內存產品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術的SSD固態硬盤。
2013-08-15 09:11:161205 包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產線進行轉換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15775 被東芝（Toshiba）視為營運重建支柱的半導體部門新整編方案內容曝光，據悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進行生產的“NAND型快閃存儲器（Flash Memory）”事業分拆出來。
2015-12-22 08:17:04669 目前3D NAND僅由三星電子獨家量產。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發出3D NAND 芯片，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0640846 
受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續提升，以及PC、服務器、資料中心積極導入固態硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉進
2017-02-07 17:34:128497 
近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:231529 借由此案進入3D NAND代工，更說服東芝在臺灣設廠生產，此舉目的是擊破三星電子長期來以存儲器利潤補貼邏輯虧損的策略，一報大客戶高通（Qualcomm）被搶之仇。
2017-03-02 07:51:24632 市調機構集邦科技預期，今年儲存型快閃存儲器（NAND Flash）整年都將維持供應吃緊的情況，NAND Flash廠商業績可望逐季攀高。
2017-03-08 10:11:39580 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態硬盤產品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355198 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數據為全新的半導體設施Fab 6 (6號晶圓廠)與記憶體研發中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片價格下跌疑慮，表示將于9月量產96層3D NAND快閃芯片。
2018-09-20 09:25:425007 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:292569 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現在我們常見的存儲設備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態硬盤，手機存儲等等，電腦傳統硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
NOR Flash。 全球 NOR Flash 廠商主要有美光科技、飛索半導體(Spansion）、旺宏、華邦等 IDM 企業。全球 NAND Flash 廠商主要有三星電子、東芝、SK 海力士、美光科技四家 IDM 企業。
2023-11-23 09:36:17917 
我們將會介紹SSD市場的一些最新發展，如日益普及的3D NAND和存儲器單元的堆疊技術。3D NAND緊跟三星之后，慢慢地肯定有更多的制造商使用3D NAND閃存。 利用這種技術，使存儲單元被垂直堆疊
2017-11-17 14:30:57
，既有超強的性能，同時兼顧了低功耗的設計，外加強大的3D性能及視頻處理能力，將成為三星高端市場的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標配了1GB DDR3內存、8GB EMMC存儲并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
產品，如今正在量產中，19nm生產96層256Mb的3D NAND Flash，將在明年實現。疫情帶來的影響還在持續，遠程服務的諸多應用持續帶動數據中心需求，而消費類電子產品的平板、筆記本電腦等也因遠程
2020-11-19 09:09:58
Nand Flash的物理存儲單元的陣列組織結構Nand flash的內部組織結構，此處還是用圖來解釋，比較容易理解：圖2.Nand Flash物理存儲單元的陣列組織結構[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10:18
據國外媒體報道，三星周二表示，將停止在歐洲市場繼續銷售基于谷歌系統的Chromebook和基于微軟Windows的筆記本電腦。歐洲PC業務將關閉，但此舉不會波及其他地區。“我們只是對市場需求的及時
2014-09-25 10:32:11
三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發發表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子
2015-12-14 13:45:01
三星電子宣布開發出720萬像素的CMOS圖像傳感器(CIS)，據稱這是世界上第一款720萬像素的袖珍相機CIS。在此前的6月份，三星推出了500萬像素CIS。 三星這款720萬像素的CIS
2018-11-19 17:12:09
韓國《每日經濟新聞》3月15日消息，三星電子已在日本建立一個新的半導體研發中心，將現有的兩個研發機構合二為一，旨在推進其芯片技術并雇傭更多優秀研發人員。據報道，三星電子于去年年底重組在日本橫濱和大阪
2023-03-15 14:04:55
三星電子近日宣布成功開發出高質量的CMOS圖像傳感器（CIS）芯片和照相機模組。該照相機模組有1/3英寸SXGA（130萬像素）、1/5.8英寸VGA（33萬像素）兩種規格，都包含了CIS和ISP
2021-04-22 07:35:50
222MHz32-MbitSGRAM。 2001年，三星電子移動電話生產量超過5千萬臺，并開發出世界最大的40英寸TFT-LCD顯示器。 2001年，三星電子銷售額達到247億美元，創利潤22億美元。在存儲器芯片
2019-04-24 17:17:53
的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價$199.99，對于一張存儲卡而言，這個定價可以算得
2015-12-16 11:31:26
（Frame sequential）功能的3D顯示器應該只有三星一家。 說到這里，筆者最近正在測試三星的23吋SA950系列3D顯示器，并且親自體驗了一把接藍光播放機的原生3D效果，可以說非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
2011年5月5日，筆者在商家“上海譜康科技手機網”http : // www . sharp-sh . com/處了解到，三星旗下旗艦級產品三星I9000 最新報價為2430元，配置為原裝一電一充
2011-05-04 18:51:39
MOPIC的無需佩戴眼鏡或設備就能實現VR的3d智能手機殼。三星note8手機殼為什么能做3d顯示屏？其實，原理是將凸透鏡制作成薄膜,貼在手機殼上。與之前的技術不一樣的是，在觀看虛擬現實（VR）時是不需要
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數據、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業大咖，與行業人士共同探討3D NAND技術的發展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優勢
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產。該工廠采用最尖端的3D技術，生產用于服務器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術）設備生產基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
對DRAM價格帶來不利的影響。三星打什么算盤頗堪玩味，而更多人擔心，存儲器產業也許在未來幾年會有一個大的翻轉，已經主導需求超過30年的DRAM、Flash組成存儲器產業，會不會在MRAM等新技術出現后
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產品和服務信息，但三星并未透露產品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
目前市場需求并不在電動車方面。此外，據路之遙電子網獲悉，三星公司也在研發自家品牌汽車，有望是采用自動駕駛技術的純電動車。長期看來，三星公司生產制造此電動車電池也是合情合理，既能滿足自家汽車需求，也能出售給其它汽車制造商，實現創收雙贏。
2016-01-15 16:34:30
ofweek電子工程網訊 10月31日，三星電子宣布了兩件“喜事”，其一，三星電子宣布了最新高管理層人員名單；其二，三星電子今年第三季度營收再創新高。三星這次“內部大換血”更加印證了此前其公司內部
2017-11-01 15:56:56
根據三星技術部門確認并宣布，三星將會把所有的Windows Phone 7.5機型的系統版本推送至7.8，原文如下：“We can confirm that our products
2012-12-23 11:03:51
還能保存數據的存儲芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。其中EEPROM歷史最為悠久，容量在幾KB到1MB左右，非常非常小，但其使用發讀寫/擦除命令
2016-08-16 16:30:57
！ 那么今年China Joy MM們最關注的是什么呢？當然是核心話題“3D”啦，本次展會最大的顯示器贊助商三星提供了800多臺顯示器在整個展會，其中3D顯示器體驗區是最吸引China Joy MM們的地區，下面就來看一下三星3D顯示器與China Joy MM們的故事吧！
2011-08-03 15:20:00
DRAM產能再大，也難以滿足全球龐大的市場需求。因此，應該是技術層面的原因。技術才是高科技產業的核心競爭力。3D Flash目前技術在96層，但是技術路標的能見度已至512層－3D Flash做為
2018-10-12 14:46:09
3D NAND提高市場競爭力，控制芯片選擇了Silicon Motion SM2262EN。原廠早在2018下半年開始量產96或92層3D NAND，并陸續推出了新制程的SSD，比如：三星970
2022-02-06 15:39:12
，西部數據的存儲器類型還沒完全從2D NAND轉換成3D NAND，現在3D NAND只占總產量的65%，換言之西部數據生產的所有存儲器還有三分之一是2D NAND。?另外，在本月12號，西部數據宣布
2022-02-03 11:41:35
64層3D TLC NAND的512Gb，容量翻倍，這使得總GB當量的NAND Flash供應增加。在需求方面，雖然三星、蘋果、華為等高端旗艦機容量向512GB升級，但是全球智能型手機出貨放緩，尤其是
2022-02-01 23:19:53
溝道和電流。而Flash的MOS管在控制柵極下面還有一個浮置柵極涌來存儲電子。浮置柵極的上下都有一層絕緣體。當我們要寫入0的時候，將控制柵極接一個正向電壓，基底接地，這時候溝道導通。同時再加大電壓，電子
2022-07-01 10:28:37
電子作為國內最先推出3D電視的廠家，早在一個月前就展開了聲勢浩大的營銷攻勢。4月初，三星電子在北京召開了“中國三星論壇”，宣布三星3D電視正式上市。同時，在銷售終端的推廣上，三星與蘇寧、國美等渠道商也
2010-05-06 14:24:28
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2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
的成本降低的原因。” 在BeSang，Sang-YunLee和前三星工程師Junil Park,一起完善了首個3-D IC工藝制程。Park,是第一個高k電解質原子層沉積工具的發明者。因為這個
2008-08-18 16:37:37
，SSD，U盤等產品上。有客戶會把這款EMMC芯片稱之為MOVI NAND和INAND。 A、可直接插SD卡讀卡器連接電腦，支持熱拔插; B、同時兼容：東芝(TOSHIBA)、三星(SAMSUNG
2013-05-27 22:01:53
原裝海力士三星存儲芯片，香港出貨，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2G1646F-BYMAK4B4G1646E-BCMA
2020-02-13 14:35:59
利潤率。資料圖三星電子股價在周五開盤后不久旋即觸及274萬韓元的新高，因寄望內存芯片需求日益增加，2017年獲利可望創紀錄。“內存芯片已經進入一個美麗新世界。供應增加的速度已大大放慢，同時需求超出預期
2017-10-13 16:56:04
是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素
2023-05-19 15:59:37
Flash。三星停產K9F1G08U0E，東芝減產小容量NAND Flash，海力士也準備停產掉1Gb 的H27U1G8F2CTR。Spansion也同樣如此。 停產導致價格持續上漲，給企業帶來了巨大
2019-07-16 15:26:03
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
回收東芝手機字庫 181-2470 同上1558 同步同號回收三星手機字庫 stm8s207cbt6.，_回收意法半導體：從系統存儲器導入，從sram導入。boot導入程序位于系統存儲器，用于通過
2021-07-28 11:29:11
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
2018年上半進入96層的技術規格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產
2018-12-24 14:28:00
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
鎂光貼片IC回收SRAM、DDR、GDDR,GDDR2,GDDR3,SDRAM、Memory、內存條等存儲器，回收三星、現代、鎂光、東芝、ST品牌FLASH閃存。歡迎您24小時隨時來電，我們報價快
2021-09-28 10:49:22
優勢，或許，未來將有更多的玩家參與其中。存儲產品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產和研發中來，存儲產品也開始走向了3D時代。在這些廠商發展3D閃存的過程當中，也
2020-03-19 14:04:57
(Multi-Level Cell；MLC)即多層式儲存。主要由東芝、三星生產銷售。MLC是英特爾(Intel)在1997年9月最先開發成功，其作用是將兩個單位的信息存入1個Floating Gate(Flash
2018-06-21 14:57:19
基于NAND Flash的存儲系統的設計首先要解決壞塊問題。由于NAND Flash自身存在固有壞塊并在擦除和編程中又隨機產生壞塊，因此為了提高設備的可靠性應該將這兩種操作分散在閃存不同的塊
2011-04-25 11:10:101330 
雖然2012年第叁季初期NAND Flash市場需求受全球經濟復甦緩慢的影響而呈現疲弱不振，但東芝7月中宣布減產及9月中蘋果發布新的iPhone 5也為市場帶來了正面的激勵因素
2012-11-05 09:30:312154 
東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲產品。
2014-09-03 11:40:13849 如何存儲MQX web page到NAND FLASH
2015-11-26 14:51:45
0 上周東芝及西部數據宣布，已研發出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261209 NAND Flash(儲存型快閃存儲器)隨著2D轉3D制程良率改善，量產能力大為提升，盡管價格已經松動，但包括存儲器、控制IC、封測等供應體系業者紛紛看好有助于量能提升。存儲器控制IC大廠群聯電子
2018-07-09 09:52:00513 在市場NAND Flash快閃存儲器供應仍有缺口，導致價格繼續維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產以增加產能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產，以補足市場供不應求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 ，存儲器內的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應用于代碼存儲介質中，而 NAND 則用于數據存儲。
2018-04-09 15:45:33109972 器是新產品，普及還要一段時間，目前 3D TLC 快閃存儲器如何發展，依然是關鍵。24 日，東芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固態硬盤，是旗下 96 層堆棧 3D TLC 快閃存儲器首發，讀取
2018-07-26 18:01:002026 隨著原廠3D技術的快速發展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產96層3D NAND。據DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161227 紫光集團旗下長江存儲發展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預計明年完成生產線建置、2020年量產，震撼業界。
2018-08-13 09:45:002185 作為NAND行業的新晉者，長江存儲今天公開發布其突破性技術——XtackingTM。據知情人士透露，這之前存儲一直都是三星的強項。
2018-08-13 16:08:273366 Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代，帶動消費性固態硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級，加上長江存儲發布新一代3D NAND架構Xtacking，試圖超車追趕國際大廠，全球NAND Flash產量持續增加，戰火愈益激烈，2019年NAND Flash市場恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586 3D NAND Flash 作為新一代的存儲產品，受到了業內的高度關注！但目前3D NAND僅由三星電子獨家量產。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron
2018-10-08 15:52:39395 NAND Flash產業在傳統的Floating Gate架構面臨瓶頸后，正式轉進3D NAND Flash時代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:571684 記憶體的3D NAND flash大戰即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:47991 長江存儲在 2018 年成功研發32層3D NAND芯片后，進一步規劃在2019年8月開始生產新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281277 東芝存儲器公司于四日市廠區于6月15日遭遇長約13分鐘的跳電狀況。研調機構集邦TrendForce存儲器儲存研究(DRAMeXchange)評估，此事件將使得Wafer短期報價面臨漲價壓力，第三季2D NAND Flash產品價格可能上漲，3D NAND Flash產品價格跌幅則可能微幅收斂。
2019-07-11 11:07:042855 近日，據外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術是基于創新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC
2019-08-07 10:56:32665 據外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術是基于創新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 長江存儲打破全球3D NAND技術壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經歷多年的研發，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰。
2019-11-29 15:39:052849 至于原因，東芝認為3D XPoint成本太高，在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術，現在市面上96層堆疊的閃存已經大量涌現，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:342655 存儲公司 Kioxia(原東芝存儲)近日宣布，將在今年 Q1 送樣 112 層 TLC Flash 芯片，這是第五代 BiCS Flash 3D 存儲芯片。
2020-02-03 15:44:222232 據媒體報道指國產存儲芯片企業長江存儲已開發出128層的NAND flash存儲芯片，這是當前國際存儲芯片企業正在投產的NAND flash技術，意味著中國的存儲芯片技術已達到國際領先水平。
2020-04-14 08:55:4512821 長江存儲科技有限責任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發成功，這標志著國產存儲廠商向世界最先進技術水準又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:224866 在市場NAND Flash快閃存儲器供應仍有缺口，導致價格繼續維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產以增加產能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產，以補足市場供不應求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:161889 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:191922 Nand flash是flash存儲器的其中一種，Nand flash其內部采用非線性宏單元模式以及為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 
大咖來答疑欄目給出了相關技術答復，讓大家更加的了解致鈦品牌固態。 背景介紹： 長江存儲于2014年，開始3D NAND flash的研發，技術團隊從最初開始研發相關技術到現在已經有六年的時間，并在，2016年注冊公司，短短的時間內就做到了從閃存顆粒，到X
2020-11-24 09:56:483572 和2022年度三星內存技術日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:36577 NAND Flash。2007年，東芝推出3D NAND，三星也在2012年發布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術幾十年發展保留了相同的概念、堆疊（stack）和架構，存儲密度隨時間呈指數
2022-11-25 14:57:351637 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:31328 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術的飛速發展，數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優勢，在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 Flash ROM NAND Flash ROM 應該是目前最熱門的存儲芯片了。因為我們生活中經常使用的電子產品都會涉及到它。比如你買手機，肯定會考慮64GB，還是256GB？
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