鐵電存儲器的技術特點分析
如圖1所示，電子電能表的基本架構包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲器。本文將以存儲器...
2010-10-18 標簽：鐵電存儲器 2034
磁盤陣列消除系統管理程序的存儲壓力
專用磁盤陣列，例如IBM的XIV及其他產品，會執行那些原本得由操作系統或系統管理程序執行的功能。而原先的做法則會給虛擬平臺造成額外壓力。...
FPGA中SPI Flash存儲器的復用編程方法的實現
SPI(Serial Peripheral Interface，串行外圍設備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上只占用4根線，不僅...
DS2433 4K位1-Wire® EEPROM
DS2433是一款4K位1-Wire® EEPROM，用于識別和存儲與產品相關的信息。這個標簽或特殊產品信息可以通過最少的...
為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM)
自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經過一個世紀多的演進：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新...
基于SDRAM文件結構存儲方式的數據緩存系統
O 引言 面對不同的應用場景，原始采樣數據可能包含多種不同樣式的信號，這給傳統基于連續存儲方式的數據緩存系統帶來了挑戰。除此之外，由于對不同信...
Farichild降壓轉換器 有效為高容量SD快閃存儲器應用
Farichild降壓轉換器 有效為高容量SD快閃存儲器應用供電 FAN5362提供優化控制功能，適合低電量運作 由于擁有...
2010-09-30 標簽：降壓轉換器 1021
非易失性SRAM DS1747
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬...
MAX72420 背板和存儲管理控制器
MAX72420 背板和存儲管理控制器 概述 The MAX72420 is a highly integrated management device intended to provide a cost-effective solution for baseboard, storage, or embedded system management. Th...
2010-09-22 標簽：存儲管理 1100
全球讀寫速度最快的存儲卡SDHC UHS-I
新型SDHC UHS-I存儲卡是全世界首款完全符合SD 3.0--UHS104標準的存儲卡，其將NAND閃存卡超快的讀取和寫入速度提升到了一個新臺階：最大讀取速度達每秒95MB，寫入速度達每秒80MB...
非易失性存儲器FeRAM、MRAM和OUM
本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。 鐵電存儲器(FeRAM) 鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易...
2010-08-31 標簽：FE 2313
高存儲密度的DDR3解決方案--AGIGARAM非易失性產品
AGIGARAM非易失性產品系列中的這一新解決方案可提供高達8GB的存儲密度，從而為系統架構師和設計者提供了充分的靈活性，可以專為某些特定應用需求量身定制非易失性存儲器。AgigA...
JEDEC發布DDR3存儲器標準的DDR3L規范
JEDEC 固態技術協會，微電子產業標準全球領導制定機構，今天宣布正式發布JEDEC DDR3L規范。這是廣受期待的DDR3存儲器標準JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當今DRAM主導性標準演變的繼續...
SRAM特點及工作原理
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據. 基本簡介 SRAM不需要刷新電路即能保存它內部...
2010-08-02 標簽：sram 5640
基于SRAM工藝FPGA的保密性問題
在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器...
2010年底JEDEC將公布UFS標準作為下一代的閃存存儲規
JEDEC 固態技術協會，微電子產業全球領導標準制定機構，選擇性公布了受到廣泛期待的UFS的主要特性。 預計2010年晚些時候發布的UFS標準是下一代的閃存存儲規范，旨在為用...
6 Gb/s SATA和SAS JBOD存儲設備
LSI公司宣布面向渠道客戶推出兩款機架優化的 6Gb/s SATA 和 SAS JBOD 存儲設備，旨在幫助各大企業經濟有效地應對不斷增長的數據量和日新月異的存儲需求。LSI™ 620J 和 630J 型存儲...
高性能20納米級NAND閃存存儲器
高性能20納米級NAND閃存存儲器 SAMSUNG電子有限公司推出業界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32...
愛國者MP6在CES上盡顯“中國創造”魅力
愛國者MP6在CES上盡顯“中國創造”魅力 國際上頗有影響力的消費電子展 CES 在拉斯維加斯開幕，來自中國第一數碼品牌華旗愛國者展出的 MP6 產品，通過無線點讀筆點擊...
MaxArias系列無線存儲器(Ramtron)
MaxArias系列無線存儲器(Ramtron) Ramtron International Corporation日前宣布，在硅谷嵌入式系統大會(Embedded Systems Conference, ESC)上展示MaxArias...
2010-05-15 標簽：Ramtron 740
Numonyx推出全新相變存儲器系列
Numonyx推出全新相變存儲器系列 該系列產品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術，具有更高的寫入性能、耐寫次數和設計簡易性，適用于固線...
眾志和達借助賽靈思打造首款可編程方案打造數據存儲
眾志和達借助賽靈思打造首款可編程方案打造數據存儲 賽靈思公司（ Xilinx, Inc.）宣布， 北京眾志和達信息技術有限公司采用賽靈思可編程解決方案，成...
2010-04-13 標簽：數據存儲 641
Supermicro在SNW上展示全球唯一一款雙處理器存儲橋
Supermicro 在 SNW 上展示全球唯一一款雙處理器存儲橋接塢 -- 展品還包括 Double-Sided Storage（雙面存儲）、6Gbps SAS、Super SBB 等...
2010-04-13 標簽：Supermicro 909
惠普研發具存儲和運算功能記憶電阻芯片
惠普研發具存儲和運算功能記憶電阻芯片 惠普今天披露了“記憶電阻”研究項目的信息。業內分析師認為，這一技術將對計算機和個人設備產生極大影響。 ...
2010-04-12 標簽：記憶電阻芯片 650
ESG談中國存儲的未來十年
ESG談中國存儲的未來十年 中國存儲的過去10年： 過去十年，是中國存儲“建設”的10年。隨著數據對企業競爭力、人民生活重要 性的快速...
2010-04-12 標簽： 709
SanDisk Extreme HD Video極速高清存儲
SanDisk Extreme HD Video極速高清存儲卡上市 2010年3月，閃存世界領先品牌SanDisk (閃迪)在中國推出一款全新的Extreme® HD Video SDHC™極速高清存儲...
2010-04-10 標簽：存儲卡 1745
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