本禮拜，國內兩大晶圓代工廠華虹宏力和中芯國際先后發布了其最新一季度的財報。受到本身產品布局和現在全球整體行情的影響，兩大晶圓廠都取得了不錯的成績。

華虹宏力方面表示，在剛過去的第二財季，公司銷售收入達到創新高的2.3億美元，同比增長了16.1%，環比也增長了9.4%。毛利率更是接近34%；中芯國際也在昨日公布了其新一季的財報。數據顯示，他們在二季度的銷售額為8.9億美元，比去年同期提升了18.6%，環比也增加了7.2%。但中芯國際本季的毛利率只有24.5%。

從數據上看，這兩家公司在和臺積電和聯電等代工廠相比，無論是營收還是利潤，都還有差距，尤其是在和臺積電相比時，差距更是明顯。但是為了充當中國芯的強大后盾，這兩個企業正在各自的領域加快布局。

強攻先進制程，中芯國際14nm開始導入客戶

雖然與晶圓代工龍頭臺積電比，還有幾代的差距，但中芯國際還是國內先進工藝的代表。尤其是在梁孟松在去年入主之后，中芯國際的人更是有了追逐領頭羊的信心。

在昨日的財報說明會上，中芯國際聯席首席執行官，趙海軍博士和梁孟松博士說：“中芯國際在14納米FinFET技術開發上獲得重大進展。第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段。除了28納米PolySiON和HKC，我們28納米HKC+技術開發也已完成。28納米HKC持續上量，良率達到業界水平。我們將繼續擴展和提升我們的成熟和先進技術平臺，提供客戶全面有競爭力的服務。”

14nm的新進展，對于國內晶圓代工產業來說，無疑是一針興奮劑。

近年來，在摩爾定律和移動終端、AI、HPC乃至礦機等應用需求的推動下，晶圓代工廠的工藝制程技術從40nm、28nm一路狂奔到7nm，甚至5nm。臺積電、三星和格芯憑借自身的技術優勢，已經在當前最先進的7nm上，領先于所有其他對手。全球代工老三聯電雖然因為技術、資金投入和市場等多方面的考慮，已經退出了先進進程的爭奪。但是中芯國際與他們相比，依然差距明顯。

但一方面因為先進制程方面的利潤具有極大的吸引力，另一方面，國產芯片的崛起對中芯有更高的要求，因此他們對這些巨頭亦步亦趨。但受限于本身的技術水平，追趕起來異常困難。為此，他們找來了幫助三星在14nm實現對臺積電16nm反超的梁孟松助陣，推進了14nm和28nm HKC的發展，謀求更先進的未來。毫無疑問的是，這些預期都取得了如約的進展。

除了先進工藝之外，中芯在其他制程上也在穩步推進，擴大公司業務。

財報顯示，如果按應用分，中芯國際本季度營收最多的來源是通訊業務，業務占比達到了40.3%，接近去年同期的水平，較之Q1的33.6%有了明顯增長，而這是受到終端業務周期性的影響。緊隨其后的是消費業務，這季度的占比也達到37.1%，與去年同期基本持平。相比于第一季度同時也是上漲。

如果從技術上劃分，中芯國際在0.15/0.18微米工藝上的營收占比是最高的，緊隨其后的是55/65nm，然后就是55/65納米。而現在市場上最受喜愛的28nm方面，只占了中芯國際營收的8.6%。

對比臺積電Q2的營收，28納米工藝仍是他們營收的主力，占比達到了23%，10納米晶圓出貨量也占到總晶圓營收的13%，16/20納米晶圓占25%。可以看到，臺積電這些主要營收節點，都是中芯國際所缺失的，而臺積電也靠著這些先進工藝，獲得了47.8%的毛利率。

對中芯國際而言，這條追趕之路絕不會是坦途，但卻是一條必行之路

聚焦特色工藝，華虹宏力的突破之路

華虹宏力與中芯國際又不是不同的一個競爭態勢。

據國君證券的統計顯示，華虹宏力在過去的一個季度獲得的2.3億美金中，有八千萬是來自嵌入式非易失性存儲器，這主要是由于MCU和智能卡芯片的需求增加所驅動的；分立器件方面，華虹則在本季度收獲了7600萬美元，同比增長了45%，這主要由于通用MOSFET、超級結和IGBT產品的需求增加所驅動的；在模擬與電源管理方面，華虹本季的營收為3750萬美元，同比增長4.4%，這同樣是產品需求引致的；至于邏輯及射頻方面，本季營收只有2160萬美元，同比降低2.4%，主要由于射頻產品的需求減少。

從以上數據可以看到，邏輯類產品只占了他們營收的很少一部分，現在獲得大利潤的產品雖然有市場作用的結果。但歸根到底，這與華虹走特色工藝的堅持密不可分。

如前所述，公司在嵌入式非易失性存儲器(eNVM)、功率器件、模擬及電源管理、邏輯及射頻SOI等技術領域持續創新，并經歷維護其在市場中的領先地位。數據顯示，他們在2017年金融IC卡出貨量同比增長超過200%，創歷史新高；至于純金融IC卡、社保卡、居民健康卡等帶金融支付功能的智能卡芯片和微控制器（MCU）芯片方面，華虹表現也不錯。

公司的提早布局，才能在這些市場的需求起來的時候，為公司取得這樣的成績。而華虹也正在進一步強化自己在這方向的影響力，在面對產能緊缺的狀態，擴充無錫的產品線，

今年四月，他們與合作伙伴一起斥巨資建立的華虹無錫集成電路研發和制造基地項目（華虹7廠）一期工程正式開工。

資料顯示，華虹無錫集成電路研發和制造基地占地約700畝，總投資100億美元，一期投資25億美元，新建一條工藝等級90～65納米、月產能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產線，支持5G和物聯網等新興領域的應用。計劃將于2019年上半年完成土建施工，下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝、通線并逐步實現達產，預計年產值將達50億元。

最近，各種元器件價格的暴漲，利好了華虹。展望未來，各種產品的需求也會日益增加，勢必會給華虹所專注的特色工藝業務帶來更好的回報。

即使兩者在技術和方向上，有各自的專注和追求，但無論是中芯國際還是華虹宏力，都是為打造國產芯片的堅實支柱作準備，從這方面看，又都是殊途同歸的。