東芝存儲：存儲級內存比采用SLC技術的TLC快10倍
東芝存儲公司6日宣布推出一種新的存儲器（SCM）——XL-FLASH，并開始提供樣品。該產品使用1位/單元SLC技術，使用96層堆疊工藝實現3D閃存BiCSFLASH的高速讀寫。128Gbit芯片的樣品出貨將于9月開始，大規模生產將于2020年開始。
XL-FLASH采用16物理平面結構，具有出色的并行處理能力，以及與現有TLC（3位/單元）BiCSFLASH相比可實現高速處理的電路技術。它實現了5μs或更短的讀取延遲，速度提高了10倍，并且定位為新的存儲器層次結構，填補了DRAM和NAND閃存之間的性能差異。
此外，與傳統DRAM相比，該產品可降低每比特成本，并且是支持NAND閃存等大容量的非易失性存儲器。東芝存儲將通過XL-FLASH響應不斷擴大的SCM市場的需求，包括用于數據中心和企業存儲的高速SSD。
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