12月16日消息,由于在上半年疲軟之后下半年內存投資激增,預計2019年全球晶圓廠設備支出將上調至566億美元。SEMI數據現在表明,從2018年到2019年,晶圓廠設備投資僅下降7%,與之前預測的下降18%相比有明顯改善。對內存(尤其是3D NAND)的投資不斷增加,領先的邏輯和代工廠推動了這一轉變。
SEMI還將其2020年晶圓廠設備投資計劃修訂為更樂觀的580億美元。
反彈迅速帶動了全球晶圓廠設備支出的放緩,如圖1的黃色趨勢線所示,總投資在2018年下半年下降了10%,在2019年上半年下降了12%。在2019年的前六個月,由于3D NAND部門的投資受到特別嚴重的打擊,晶圓廠用于存儲器的設備支出下降了38%,降至100億美元以下,較2018年下半年暴跌了57%.2018年下半年,DRAM投資下降了12%。今年上半年占12%。
圖1:按半年計算的晶圓廠設備支出和主要投資貢獻者的變動率
下降趨勢在2019年底突然轉移。現在,在臺積電和英特爾的帶動下,領先邏輯和代工廠的投資現在預計將在2019年下半年增長26%,而3D NAND支出將比去年同期猛增70%以上。同一時期。盡管今年上半年DRAM投資持續下降,但自7月份以來的下降趨勢更為緩和。
在索尼的領導下,圖像傳感器支出預計在2020年上半年增長20%,在下半年猛增90%以上,達到16億美元的峰值。在英飛凌,意法半導體和博世的推動下,與電源相關的設備投資預計將在2020年上半年增長40%以上,在下半年再增長29%,達到近17億美元。
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