1. 國(guó)務(wù)院出臺(tái)政策 促進(jìn)集成電路和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

中國(guó)電子報(bào)報(bào)道，日前，國(guó)務(wù)院印發(fā)《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)《若干政策》）

《若干政策》強(qiáng)調(diào)，集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的核心，是引領(lǐng)新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。國(guó)務(wù)院印發(fā)《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》《進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》以來(lái)，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，有力支撐了國(guó)家信息化建設(shè)，促進(jìn)了國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)持續(xù)健康發(fā)展。

《若干政策》提出，為進(jìn)一步優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，深化產(chǎn)業(yè)國(guó)際合作，提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和發(fā)展質(zhì)量，制定出臺(tái)財(cái)稅、投融資、研究開(kāi)發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、市場(chǎng)應(yīng)用、國(guó)際合作等八個(gè)方面政策措施。進(jìn)一步創(chuàng)新體制機(jī)制，鼓勵(lì)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展，大力培育集成電路領(lǐng)域和軟件領(lǐng)域企業(yè)。加強(qiáng)集成電路和軟件專(zhuān)業(yè)建設(shè)，加快推進(jìn)集成電路一級(jí)學(xué)科設(shè)置，支持產(chǎn)教融合發(fā)展。嚴(yán)格落實(shí)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)制度，加大集成電路和軟件知識(shí)產(chǎn)權(quán)侵權(quán)違法行為懲治力度。推動(dòng)產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展，規(guī)范產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)秩序，積極開(kāi)展國(guó)際合作。

《若干政策》明確，凡在中國(guó)境內(nèi)設(shè)立的集成電路企業(yè)和軟件企業(yè)，不分所有制性質(zhì)，均可按規(guī)定享受相關(guān)政策。鼓勵(lì)和倡導(dǎo)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)全球合作，積極為各類(lèi)市場(chǎng)主體在華投資興業(yè)營(yíng)造市場(chǎng)化、法治化、國(guó)際化的營(yíng)商環(huán)境。

《若干政策》要求，各部門(mén)、各地方要盡快制定具體配套政策，加快政策落地，確保取得實(shí)效，推動(dòng)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展。

2. 集成電路將正式成為一級(jí)學(xué)科

2020年7月30日上午，國(guó)務(wù)院學(xué)位委員會(huì)會(huì)議投票通過(guò)集成電路專(zhuān)業(yè)將作為一級(jí)學(xué)科，并將從電子科學(xué)與技術(shù)一級(jí)學(xué)科中獨(dú)立出來(lái)。集成電路專(zhuān)業(yè)擬設(shè)于新設(shè)的交叉學(xué)科門(mén)類(lèi)下，待國(guó)務(wù)院批準(zhǔn)后，將與交叉學(xué)科門(mén)類(lèi)一起公布。

設(shè)立集成電路一級(jí)學(xué)科的討論和動(dòng)議由來(lái)多年，但由于存在爭(zhēng)議無(wú)法形成。隨著學(xué)科的不斷發(fā)展變化，原有的學(xué)科劃分已限制了我國(guó)集成電路人才的培養(yǎng)，影響了我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的良性發(fā)展。近年來(lái)在中美摩擦背景下，美國(guó)對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)打壓造成的困難，更證明了這一學(xué)科的重要性、緊迫性。

工信部于2019年10月18日在回復(fù)政協(xié)提案的函中指出，要“推進(jìn)設(shè)立集成電路一級(jí)學(xué)科，進(jìn)一步做實(shí)做強(qiáng)示范性微電子學(xué)院”。此次將集成電路作為一級(jí)學(xué)科的通過(guò)，對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、人才培養(yǎng)、科研開(kāi)發(fā)等，都是一大利好消息。

3. 我國(guó)學(xué)者取得硅和氮化鎵晶圓級(jí)單片異質(zhì)集成新突破

據(jù)集微網(wǎng)報(bào)道，近日，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院關(guān)于硅與氮化鎵異質(zhì)集成芯片論文在國(guó)際半導(dǎo)體器件權(quán)威期刊IEEE Transactions on Electron Devices上發(fā)表。

據(jù)悉，郝躍院士團(tuán)隊(duì)提出了一種轉(zhuǎn)印和自對(duì)準(zhǔn)刻蝕方法，并首次實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)的Si-GaN單片異質(zhì)集成的共源共柵晶體管。這項(xiàng)技術(shù)和方法有望實(shí)現(xiàn)多種材料的大規(guī)模異質(zhì)集成并基于此制造功能多樣化的器件和電路，避免了昂貴且復(fù)雜的材料異質(zhì)共生技術(shù)或晶圓鍵合工藝。通過(guò)轉(zhuǎn)印和自對(duì)準(zhǔn)刻蝕的新技術(shù)，使得硅器件與氮化鎵器件的互連距離縮短至100μm以下，僅為傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)長(zhǎng)度的5%。

據(jù)估算，新型的共源共柵晶體管可以比傳統(tǒng)鍵合方法減少98.59%的寄生電感。Si-GaN單片異質(zhì)集成的共源共柵晶體管的閾值電壓被調(diào)制為2.1V，實(shí)現(xiàn)了增強(qiáng)型器件。該器件柵壓擺幅在柵漏電低于10-5mA/mm的范圍內(nèi)達(dá)到了±18V。經(jīng)過(guò)大量器件測(cè)試和可靠性試驗(yàn)后，芯片之間的性能具有良好的一致性，這充分證明了轉(zhuǎn)印和自對(duì)準(zhǔn)刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)單片集成共源共柵晶體管的巨大潛力和優(yōu)勢(shì)。

據(jù)西安電子科技大學(xué)新聞網(wǎng)報(bào)道，此次是西安電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)硅與氮化鎵單片異質(zhì)集成的增強(qiáng)型共源共柵晶體管,取得了硅和氮化鎵晶圓級(jí)單片異質(zhì)集成新突破。該新技術(shù)避免了昂貴復(fù)雜的異質(zhì)材料外延和晶圓鍵合的傳統(tǒng)工藝技術(shù)，有望成為突破摩爾定律的一條有效技術(shù)路徑。

4. 珠海高新區(qū)發(fā)布集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究報(bào)道，7月27日，珠海高新區(qū)印發(fā)《珠海高新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2020-2025年）》，標(biāo)志著高新區(qū)主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)開(kāi)啟了高質(zhì)量跨越式發(fā)展新征程，高新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了重大發(fā)展機(jī)遇。根據(jù)規(guī)劃，高新區(qū)將力爭(zhēng)到2025年實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破300億元。

高新區(qū)自成立以來(lái)，集成電路產(chǎn)業(yè)特別是IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)一直都是重點(diǎn)扶持發(fā)展的特色產(chǎn)業(yè)。經(jīng)過(guò)20多年的培育和深耕，高新區(qū)已逐步形成了“應(yīng)用引導(dǎo)、設(shè)計(jì)牽頭、兼顧材料、制造和封裝逐步完善”的集成電路產(chǎn)業(yè)新格局。集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值位列珠三角第二，全國(guó)城市排名第八，已形成一定的聚集效應(yīng)，具備良好的發(fā)展基礎(chǔ)。

根據(jù)珠海市委、市政府提出的將集成電路產(chǎn)業(yè)打造成五個(gè)千億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群之一重大戰(zhàn)略發(fā)展目標(biāo)任務(wù)，高新區(qū)力爭(zhēng)到2025年實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破300億元，形成一個(gè)兩百億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群（芯片設(shè)計(jì)）、一個(gè)百億集群（化合物半導(dǎo)體），建成在珠三角乃至全國(guó)范圍內(nèi)都有較強(qiáng)影響力的集成電路產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。

5. 中芯國(guó)際擬合資投建新廠(chǎng)

中國(guó)電子報(bào)報(bào)道，7月31日，中芯國(guó)際發(fā)布公告稱(chēng)，其與北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽署《合作框架協(xié)議》。根據(jù)協(xié)議，中芯國(guó)際與北京開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)將共同成立合資企業(yè)。該合資企業(yè)將從事發(fā)展及運(yùn)營(yíng)聚焦于生產(chǎn)28納米及以上集成電路。

該項(xiàng)目將分兩期建設(shè)，項(xiàng)目首期計(jì)劃最終達(dá)成每月約10萬(wàn)片的12英寸晶圓產(chǎn)能，二期項(xiàng)目將根據(jù)客戶(hù)及市場(chǎng)需求適時(shí)啟動(dòng)。該項(xiàng)目首期計(jì)劃投資76億美元，注冊(cè)資本金擬為50億美元，中芯國(guó)際出資擬占比51%。

中芯國(guó)際登陸科創(chuàng)板，其舉動(dòng)受到業(yè)界的廣泛關(guān)注。隨著這座合資新廠(chǎng)的投資建設(shè)，中芯國(guó)際的12英寸晶圓產(chǎn)能將得到進(jìn)一步擴(kuò)大。

6. 利揚(yáng)芯片科創(chuàng)板IPO成功過(guò)會(huì)

集微網(wǎng)消息，近日，上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市委員會(huì)召開(kāi)了2020年第58次審議會(huì)議，審議結(jié)果顯示，利揚(yáng)芯片科創(chuàng)板IPO成功過(guò)會(huì)。

招股書(shū)顯示，利揚(yáng)芯片是國(guó)內(nèi)知名的獨(dú)立第三方集成電路測(cè)試服務(wù)商，主營(yíng)業(yè)務(wù)包括集成電路測(cè)試方案開(kāi)發(fā)、12英寸及8英寸等晶圓測(cè)試服務(wù)、芯片成品測(cè)試服務(wù)以及與集成電路測(cè)試相關(guān)的配套服務(wù)。

2017年至2019年，利揚(yáng)芯片分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入1.29億元、1.38億元、2.32億元；分別實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)1946.30萬(wàn)元、1592.71萬(wàn)元、6083.79萬(wàn)元。

利揚(yáng)芯片本次擬向社會(huì)公眾公開(kāi)發(fā)行人民幣普通股不超過(guò)3,410萬(wàn)股股票，占發(fā)行后總股本的比例不低于25%，募集資金將按重要性投資于芯片測(cè)試產(chǎn)能建設(shè)項(xiàng)目、研發(fā)中線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

7. 立昂微電子IPO過(guò)會(huì)

據(jù)全球半導(dǎo)體觀察報(bào)道，2020年8月6日，杭州立昂微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“立昂微電”）IPO項(xiàng)目順利通過(guò)證監(jiān)會(huì)發(fā)行審核委員會(huì)審核。

資料顯示，立昂微電成立于2002年3月專(zhuān)注于半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體芯片及相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)及制造領(lǐng)域，主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體硅片和半導(dǎo)體分立器件芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，以及半導(dǎo)體分立器件成品的生產(chǎn)和銷(xiāo)售。客戶(hù)包括中芯國(guó)際、華虹宏力、華潤(rùn)微、上海先進(jìn)、士蘭微、ONSEMI、日本東芝公司等。

數(shù)據(jù)顯示，2016-2018年，立昂微電營(yíng)業(yè)收入分別為6.7億元、9.32億元、12.23億元，較上年增長(zhǎng)率分別為13.33%、39.08%和31.18%，凈利潤(rùn)分別為0.66億元、1.08億元和2.09億元。

據(jù)了解，立昂微電本次公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)4058萬(wàn)股A股普通股，擬募集資金13.5億元，實(shí)際募集資金扣除發(fā)行費(fèi)用后的凈額將依次用于與公司主營(yíng)業(yè)務(wù)相關(guān)的兩大投資項(xiàng)目：年產(chǎn)120萬(wàn)片集成電路8英寸硅片項(xiàng)目和年產(chǎn)12萬(wàn)片6英寸第二代半導(dǎo)體射頻集成電路芯片項(xiàng)目。

8英寸硅片項(xiàng)目總投資約7.04億元，擬投入募集資金5.5億元，項(xiàng)目用地約136畝，將新增單晶爐等共計(jì)360臺(tái)（套）設(shè)備，項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)能為120萬(wàn)片集成電路用8英寸硅片，項(xiàng)目計(jì)劃建設(shè)期為24個(gè)月，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年新增銷(xiāo)售收入4.8億元。

6英寸射頻芯片項(xiàng)目總投資約10.08億元，擬投入募集資金8億元，將新增刻蝕機(jī)等各類(lèi)生產(chǎn)、檢測(cè)及輔助設(shè)備、儀器共計(jì)248臺(tái)（套），項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)能為12萬(wàn)片6英寸第二代半導(dǎo)體射頻集成電路芯片（砷化鎵微波射頻集成電路芯片），項(xiàng)目建設(shè)期為60個(gè)月，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年新增銷(xiāo)售收入10.08億元。

8. 匯頂科技宣布完成收購(gòu)DCT

8月3日，匯頂科技宣布，已完成收購(gòu)德國(guó)DreamChip Technologies GmbH公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)DCT）。此舉是匯頂科技為推進(jìn)多元化戰(zhàn)略發(fā)展、匯聚全球創(chuàng)新力量的重要舉措。

據(jù)悉，DCT是一家德國(guó)的無(wú)晶圓廠(chǎng)半導(dǎo)體技術(shù)公司，在大型ASIC、SoCs、FPGA、嵌入式軟件和系統(tǒng)領(lǐng)域具有雄厚的技術(shù)開(kāi)發(fā)實(shí)力，主要產(chǎn)品應(yīng)用于汽車(chē)視覺(jué)系統(tǒng)。

整合DCT在自動(dòng)駕駛系統(tǒng)領(lǐng)域的強(qiáng)大技術(shù)能力，匯頂科技的創(chuàng)新能力將如虎添翼，為全球汽車(chē)客戶(hù)提供更具差異化價(jià)值的創(chuàng)新產(chǎn)品。DCT擁有一支世界級(jí)的圖像信號(hào)處理（ISP）研發(fā)團(tuán)隊(duì)，在超大規(guī)模系統(tǒng)級(jí)芯片（SoCs）、FPGA、嵌入式軟件和系統(tǒng)等領(lǐng)域的技術(shù)造詣深厚。雙方的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，將構(gòu)建起更為全面和綜合的匯頂科技全球研發(fā)體系，并加速和擴(kuò)寬智能移動(dòng)終端領(lǐng)域的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。

9. 普冉半導(dǎo)體科創(chuàng)板IPO獲受理

8月3日，上交所正式受理了普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“普冉股份”）的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)。

招股書(shū)顯示，普冉股份的主營(yíng)業(yè)務(wù)是非易失性存儲(chǔ)器芯片的設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售，目前主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器芯片，屬于通用型芯片，可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、家電、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

2017至2020年第一季度，普冉股份分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入7780.11萬(wàn)元、17825.27萬(wàn)元、36298.96萬(wàn)元、14202.19萬(wàn)元，收入三年復(fù)合增長(zhǎng)率為116.00%，分別實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)371.79萬(wàn)元、1337.37萬(wàn)元、3232.08萬(wàn)元、1307.31萬(wàn)元，凈利潤(rùn)三年復(fù)合增長(zhǎng)率194.84%。

普冉股份決定申請(qǐng)首次公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)905.7180萬(wàn)股人民幣普通股（A股），本次募集資金將投向于閃存芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、EEPROM芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目和總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目。

10. 小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金再投芯片企業(yè)

8月5日，芯來(lái)科技（Nuclei SystemTechnology）宣布近日完成新一輪戰(zhàn)略融資。本輪融資由小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金領(lǐng)投，老股東藍(lán)馳創(chuàng)投和新微資本繼續(xù)追投。

資料顯示，芯來(lái)科技是一家專(zhuān)業(yè)RISC-V處理器IP和解決方案公司，致力于RISC-V架構(gòu)的處理器內(nèi)核IP開(kāi)發(fā)及商業(yè)化。據(jù)官方介紹，該公司多個(gè)系列的處理器核心產(chǎn)品與解決方案已經(jīng)實(shí)現(xiàn)客戶(hù)導(dǎo)入和量產(chǎn)，過(guò)百家國(guó)內(nèi)外客戶(hù)進(jìn)行了授權(quán)和使用。

芯來(lái)科技表示，本輪融資資金將用于加速技術(shù)研發(fā)和商業(yè)落地，促進(jìn)RISC-V處理器、專(zhuān)用算法、操作系統(tǒng)等核心技術(shù)的深度融合，同時(shí)在AIoT領(lǐng)域提供軟硬一體化優(yōu)質(zhì)解決方案。

11. 三星西安一期滿(mǎn)產(chǎn)

據(jù)西安日?qǐng)?bào)報(bào)道，三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司目前一期項(xiàng)目生產(chǎn)線(xiàn)滿(mǎn)負(fù)荷運(yùn)行，全線(xiàn)已經(jīng)升級(jí)為第4代產(chǎn)品：64層3D V NAND Flash Memory，月產(chǎn)12英寸晶圓12萬(wàn)片，2019年實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售513億元。

三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司成立于2012年9月，一期生產(chǎn)線(xiàn)于2014年5月竣工量產(chǎn)。二期第二階段項(xiàng)目在今年7月順利達(dá)成空氣凈化設(shè)備啟動(dòng)的目標(biāo)。二期項(xiàng)目截至目前完成投資80億美元，預(yù)計(jì)二期項(xiàng)目達(dá)成滿(mǎn)產(chǎn)時(shí)，西安的NANDFlash產(chǎn)量會(huì)占到三星電子全球規(guī)模的35%。

據(jù)公司副總裁池賢基介紹，公司的一期項(xiàng)目在疫情期間始終保持滿(mǎn)產(chǎn)運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)二期一階段在今年9月也將達(dá)成滿(mǎn)產(chǎn)的目標(biāo)。