三星解決5nm產(chǎn)能問題 首款SoC驍龍875定于12月1日
在上周公布Q3財(cái)報(bào)時(shí)，三星同時(shí)重修了先進(jìn)制程進(jìn)展情況，將已經(jīng)穩(wěn)定投產(chǎn)的最新節(jié)點(diǎn)從7nm LPP升級為5nm LPE。
此前有消息稱，三星5nm產(chǎn)能遇困，阻礙了其規(guī)模量產(chǎn)工作，現(xiàn)在看起來情況已經(jīng)好轉(zhuǎn)甚至得到了完全解決。
新的5nm旨在取代7nm，官方標(biāo)稱可帶來10%的性能提升和同頻下20%的功耗減少。密度方面，是上一代的1.33倍。
據(jù)悉，5nm LPE引入了多層EUV工藝過程，F(xiàn)inFET晶體管在微觀層面也上馬了智能雙熔點(diǎn)分離、柔性放置觸點(diǎn)等轉(zhuǎn)為低功耗場景優(yōu)化的技術(shù)。
三星還強(qiáng)調(diào)，5nm LPE和7nm在設(shè)計(jì)套件上兼容，以加快廠商部署芯片設(shè)計(jì)的速度。不過，這在某種程度上似乎也暗示，5nm下芯片的性能不會有令人印象深刻的提升。
外媒稱，三星5nm工藝的首發(fā)SoC將是驍龍875 5G SoC，后者定于12月1日在驍龍技術(shù)峰會上推出。
責(zé)任編輯：PSY
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15875瀏覽量
181334 -
soc
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
4204瀏覽量
219099 -
5nm
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
342瀏覽量
26136 -
驍龍875
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
32瀏覽量
9321
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
三星Galaxy S25系列：高通驍龍衛(wèi)星消息功能來襲
在智能手機(jī)技術(shù)不斷創(chuàng)新的浪潮中，三星Galaxy S25系列手機(jī)首發(fā)高通驍龍衛(wèi)星消息功能。 此次三星Galaxy S25系列在全球范圍內(nèi)均搭載了高通公司的旗艦芯片——
高通推出專為三星定制的驍龍8至尊版移動平臺
今日，高通技術(shù)公司宣布推出驍龍8至尊版移動平臺(for Galaxy)，該平臺與三星合作定制，將在全球范圍為三星Galaxy S25、S25 Plus和S25 Ultra提供支持。采用
三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM
據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決
三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期
(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本，三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì)，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b
臺積電產(chǎn)能爆棚：3nm與5nm工藝供不應(yīng)求
臺積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè)，其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息，臺積電的3nm和5nm工藝產(chǎn)能利用率均達(dá)到了極高水平，其中3nm
性能提升45%！高通推出驍龍8 Elite，首款采用Oryon 核心的移動SoC
北京時(shí)間10月22日凌晨，在美國夏威夷舉行的高通驍龍技術(shù)峰會上，高通CEO安蒙說，我們用驍龍平臺
三星將為DeepX量產(chǎn)5nm AI芯片DX-M1
人工智能半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者DeepX宣布，其第一代AI芯片DX-M1即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。這一里程碑式的進(jìn)展得益于與三星電子代工設(shè)計(jì)公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產(chǎn)合同，標(biāo)志著DeepX的5nm芯片DX-M
三星首款3nm可穿戴設(shè)備芯片Exynos W1000發(fā)布
在科技日新月異的今天，三星再次以其卓越的創(chuàng)新能力震撼業(yè)界，于7月3日正式揭曉了其首款采用頂尖3nm
傳三星電子12nm級DRAM內(nèi)存良率不足五成
近日，據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星在其1b nm（即12nm級）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%，僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對這一局
三星、Meta等公司將用高通驍龍XR2+ Gen 3芯片，追趕蘋果
據(jù)TechRadar 23日報(bào)道，三星與Meta已確定應(yīng)用高通驍龍XR2+Gen3芯片組于各自的XR頭顯設(shè)備中，以此試圖超越蘋果Vision Pro頭顯。
三星電子開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)
據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統(tǒng)（SoC），預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galax
臺積電擴(kuò)增3nm產(chǎn)能，部分5nm產(chǎn)能轉(zhuǎn)向該節(jié)點(diǎn)
目前，蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等世界知名廠商已與臺積電能達(dá)成緊密合作，預(yù)示臺積電將繼續(xù)增加 5nm產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求，這標(biāo)志著其在3nm制程領(lǐng)域已經(jīng)超越競爭對手三星及英特爾。
三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM
近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——
工商網(wǎng)監(jiān)
評論