那曲檬骨新材料有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Microchip推出700和1200V碳化硅肖特基勢壘二極管

璟琰乀 ? 來源:Microchip微芯 ? 作者:Microchip微芯 ? 2020-11-05 10:20 ? 次閱讀

汽車電氣化浪潮正席卷全球,電動汽車搭載的電機、車載充電器和DC/DC轉換器高壓汽車系統都需要碳化硅(SiC)等創新電源技術Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)功率器件,為電動汽車(EV)系統設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案,同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。

Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證,對于需要在提高系統效率的同時保持高質量的電動汽車電源設計人員來說,可以最大限度地提高系統的可靠性和耐用性,實現穩定和持久的應用壽命。新器件卓越的雪崩整流性能使設計人員可以減少對外部保護電路的需求,降低系統成本和復雜性。

Microchip分立產品業務部副總裁Leon Gross表示:“作為汽車行業的長期供應商,Microchip持續拓展車用電源解決方案,引領汽車電氣化領域的電源系統轉型。我們一直專注于提供汽車解決方案,幫助客戶輕松過渡到碳化硅(SiC),同時將質量、供應和支持挑戰的風險降至最低。”

Microchip作為汽車行業供應商的歷史已經超過25年。公司擁有碳化硅(SiC)技術以及多個通過IATF 16949:2016認證的制造工廠,可通過靈活的制造方案提供高質量器件,幫助最大限度地降低供應鏈風險。

經過Microchip內部以及第三方測試,關鍵可靠性指標已經證明,與其他廠商生產的SiC器件相比,Microchip 的器件性能更加卓越。與其他在極端條件下出現性能下降的碳化硅( SiC) 器件不同,Microchip 器件性能保持穩定,有助于延長應用壽命。Microchip 碳化硅(SiC)解決方案的可靠性和耐用性在業界處于領先水平。其耐用性測試表明,Microchip 的碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)在非箝位電感開關(UIS)中的能量承受能力提升20%,在高溫下電流泄漏水平最低,從而可以延長系統壽命,實現更可靠的運行。

Microchip 的 SiC 汽車功率器件進一步拓展了其豐富的控制器模擬和連接解決方案產品組合,為設計人員提供電動汽車和充電站的整體系統解決方案。Microchip還利用最新一代碳化硅(SiC)裸片,提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)和金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET功率模塊的廣泛產品組合。此外,Microchip推出的dsPIC?數字信號控制器可提供高性能、低功耗和靈活的外設。Microchip的AgileSwitch?系列數字可編程驅動器進一步加快了從設計階段到生產的進程。這些解決方案還可應用于可再生能源、電網、工業、交通、醫療、數據中心、航空航天和國防系統。

開發工具

Microchip 通過 AEC-Q101 認證的碳化硅肖特基二極管(SiC SBD) 器件支持 SPICE 和 PLECS 仿真模型以及 MPLAB? Mindi? 模擬仿真器。同時還提供Microchip SBD(1200V, 50A)作為功率級的一部分的PLECS參考設計模型,即Vienna三相功率因數校正(PFC)參考設計。

供貨與定價

Microchip車用的700和1200V SiC SBD器件(也可作為功率模塊的裸片)已經通過AEC-Q101認證,現已開始接受批量訂單。如需了解更多信息,請聯系Microchip銷售代表、全球授權經銷商或訪問Microchip網站。

責任編輯:haq

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關注

    關注

    156

    文章

    12187

    瀏覽量

    232462
  • 二極管
    +關注

    關注

    147

    文章

    9705

    瀏覽量

    167575
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管

    ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管 在科技政策與法規的推動下,半導體行業正經歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低能耗電子設備需求的不斷增長,BA
    的頭像 發表于 02-06 11:51 ?42次閱讀
    為什么BASiC基本公司SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>全面取代FRD快恢復<b class='flag-5'>二極管</b>

    肖特基二極管應用領域 肖特基二極管在開關電源中的應用

    肖特基二極管是一種由金屬與半導體接觸形成的層為基礎制成的二極管,也可稱為肖特基勢壘二極管,屬
    的頭像 發表于 12-13 16:17 ?666次閱讀

    ROHM推出表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管

    全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)。目前產品陣容中已經擁有適用于車載充電器(OBC
    的頭像 發表于 11-26 15:42 ?297次閱讀
    ROHM<b class='flag-5'>推出</b>表面貼裝型SiC<b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>

    肖特基二極管的工作原理和優缺點

    肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。
    的頭像 發表于 11-05 15:24 ?829次閱讀
    <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>的工作原理和優缺點

    光伏板碳化硅二極管怎么選

    選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。
    的頭像 發表于 09-29 14:33 ?523次閱讀
    光伏板<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>二極管</b>怎么選

    肖特基二極管的結構和封裝形式

    肖特基二極管,又稱熱載流子二極管肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode,縮寫為SBD),是一種基于金屬-半導體結(M-S結)的特殊
    的頭像 發表于 09-26 17:43 ?2701次閱讀
    <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>的結構和封裝形式

    碳化硅JBS二極管肖特基二極管 UIS前沿感性負載開關能力顯著:開關損耗降低60%

    華芯邦科技已推出了以碳化硅為基礎的MOSFET和碳化硅JBS二極管(結
    的頭像 發表于 09-26 17:32 ?486次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>JBS<b class='flag-5'>二極管</b> 結<b class='flag-5'>勢</b><b class='flag-5'>壘</b><b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b> UIS前沿感性負載開關能力顯著:開關損耗降低60%

    SiC二極管概述和技術參數

    SiC二極管,全稱SiC碳化硅二極管,也被稱為SiC碳化硅
    的頭像 發表于 09-10 14:55 ?1430次閱讀

    STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規格書

    電子發燒友網站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規格書.pdf》資料免費下載
    發表于 09-05 11:36 ?0次下載

    支持電子設備進一步降低功耗的第5代平面型肖特基勢壘二極管

    ROHM第5代平面肖特基勢壘二極管的效率比上一代產品又提高了25%,有助于進一步提高開關電源的效率。
    的頭像 發表于 08-09 15:21 ?1.4w次閱讀
    支持電子設備進一步降低功耗的第5代平面型<b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>

    肖特基二極管與其他二極管的區別

    肖特基二極管(Schottky Diode),也被稱為肖特基勢壘二極管,是一種具有特殊結構和優異性能的半導體器件。它與其他類型的二極管(如普通二極管
    的頭像 發表于 07-24 15:05 ?7295次閱讀

    肖特基勢壘二極管的特征有什么

    肖特基勢壘二極管(SBD)是一種基于金屬-半導體接觸的二極管,而非傳統的PN結。這種特殊的結構賦予了SBD獨特的電氣特性,使其在高頻和高效率的電子電路中具有重要的應用。 Si-SBD(硅
    的頭像 發表于 02-23 11:30 ?1000次閱讀
    <b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>的特征有什么

    20 V,1 A低VF肖特基勢壘二極管PMEG2010EA數據手冊

    電子發燒友網站提供《20 V,1 A低VF肖特基勢壘二極管PMEG2010EA數據手冊.pdf》資料免費下載
    發表于 02-19 14:15 ?0次下載
    20 <b class='flag-5'>V</b>,1 A低VF<b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>PMEG2010EA數據手冊

    肖特基勢壘二極管RB751S40數據手冊

    電子發燒友網站提供《肖特基勢壘二極管RB751S40數據手冊.pdf》資料免費下載
    發表于 02-19 13:45 ?0次下載
    <b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>RB751S40數據手冊

    具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設計

    北京工業大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極管(SBD)的性能
    的頭像 發表于 02-19 11:23 ?1540次閱讀
    具有低導通電阻的GaN-on-SiC<b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>設計
    将军百家乐官网的玩法技巧和规则 | 平博娱乐| 百家乐官网赢钱秘籍鹰| 缅甸百家乐网站是多少| 乐东| 百家乐官网筹码套装包邮| 百家乐过滤软件| 百家乐官网为什么庄5| 百家乐洗码方法| 联众棋牌游戏大厅| 百家乐官网出千工具价格| 澳门百家乐会出老千吗| 打牌网| 属马的和属猴的在一起做生意好吗| 太阳城丝巾| 百家乐官网软件稳赚| 粤港澳百家乐娱乐场| 百家乐官网闲拉长龙| 澳门百家乐娱乐城送彩金| 龙博线上娱乐| 广东百家乐官网网| 大发888娱乐城帝豪| 百家乐官网博娱乐场| 威尼斯人娱乐场注册| 百家乐官网知识技巧玩法| 去澳门百家乐的玩法技巧和规则 | 百家乐官网娱乐城博彩通博彩网 | 百家乐案件讯问| 皇冠娱乐场| 百家乐手机投注| 赌博博彩论坛| 百家乐筹码防伪定制| 百家乐官网压分技巧| 百家乐专业赌博| 赌博百家乐官网经验| 威尼斯人娱乐场老品牌| 筹码百家乐官网的玩法技巧和规则 | 百家乐官网棋牌游戏币| 网上澳门| 爱婴百家乐的玩法技巧和规则| 太阳城百家乐官网下载网址 |