報(bào)道稱臺積電將于2022年下半年量產(chǎn)3納米芯片
據(jù)彭博報(bào)道，臺積電將于 2022 年下半年開始量產(chǎn) 3 納米芯片，單月產(chǎn)能 5.5 萬片起。
報(bào)道援引臺積電董事長劉德音稱，3納米芯片開始量產(chǎn)時(shí)公司在臺南科學(xué)園的雇員數(shù)將達(dá)到約2萬人，目前為1.5萬人。
今年 8 月份，臺積電高級副總裁米玉杰表示，該公司有計(jì)劃繼續(xù)提供有意義的節(jié)點(diǎn)改進(jìn)，直到 N3 及以下。臺積電預(yù)計(jì) N3 將在 2022 年成為最新、最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。與 N5 相比，收益同樣不大，性能僅提升 1.1-1.15 倍，功耗提升 1.25-1.3 倍。這些增益是相對于 N5 而言的，而不是 N5P。與 7 納米相比，N3 在同樣的功率下，性能應(yīng)該提高 1.25 倍 - 1.35 倍，或者在同樣的性能下功耗降低 1.55 倍 - 1.6 倍。在這些比較中，你看到的所有倍數(shù)都是假設(shè)一個(gè)理想化的晶體管，并不一定符合 AMD、英特爾甚至英特爾實(shí)際制造的產(chǎn)品。
IT之家了解到，臺積電 N3 將繼續(xù)使用 FinFET 鰭式場效晶體管，而不是過渡到 GAA 環(huán)繞式結(jié)構(gòu)場效晶體管。這與三星不同，三星已經(jīng)表示要在 3 納米節(jié)點(diǎn)使用 GAA。
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