納維科技將在蘇州建設氮化鎵(GaN)單晶襯底研發基地
據蘇州工業園區發布消息，1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“蘇州納維科技”）在園區舉行總部大樓奠基儀式。
該項目位于蘇州納米城，總用地面積14000平方米，總建筑面積約34000平方米，將建設氮化鎵（GaN）單晶襯底研發基地與高端產品生產基地，預計年產氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。
資料顯示，蘇州納維科技成立于2007年5月，致力于第三代半導體產業核心關鍵材料氮化鎵（GaN）單晶襯底的產業化開發。
據介紹，蘇州納維科技完成了從材料生長設備的自主研發到氮化鎵單晶襯底的開發和產業化，率先實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸產品的關鍵核心技術，能夠同時批量提供2英寸高導電、半絕緣氮化鎵單晶。
蘇州納維科技董事長徐科表示，此次奠基的總部大樓將重點承擔蘇州納維科技在生產、研發等方面的需求，標志著公司在市場、生產、研發等方面全面發力。
責任編輯:tzh
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