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如何解決SSD研發過程中的NAND問題?

SSDFans ? 來源:ssdfans ? 作者:ssdfans ? 2021-02-09 17:53 ? 次閱讀

SSD盤的核心器件就是控制器芯片和NAND,控制器里面的很多中端或者后端算法也是圍繞NAND進行優化的,所以,一般情況下每家控制器廠商或者SSD盤的廠商都有工程師或者團隊負責研究或者測試NAND的相關特性,為解決圍繞NAND相關的問題提供堅實的基礎和技術支撐。

“工欲善其事,必先利其器”,由于主流NAND廠商目前都是國外公司,國內這塊對于NAND特性非常精通的工程師資源并不是特別多,能夠使用的研發/測試的工具也很少,但是如果需要解決圍繞NAND的SSD問題,必須具備一款針對于NAND進行深入測試的工具。

NplusT是一家意大利公司,深耕Memory以及NAND測試將近20年,在這方便積累了大量的經驗,NplusT開發的NanoCycler產品是一款非常靈活易用的NAND特性測試和分析工具,支持最新的1.6GT/s,非常適合國內高校/科研院所,SSD控制器和盤開發,以及針對SSD盤失效分析等應用場景。

該NAND分析工具已經廣泛應用于歐洲,美國,以色列,臺灣,日本,韓國和中國大陸的高校和公司,國內客戶如:Huawei, Alibaba, SMIC中芯國際, Inspur浪潮, SCS山東華芯, Dputech大普, YeeStor得一, Tenafe特納飛, 復旦大學, 清華大學, 南京大學, 山東大學, 等等;國際上使用NanoCycler的客戶更多,例如:以PMC/MicroSemi/Microchip的企業級NVMe SSD控制器為代表,其NAND特性全部使用NplusT公司的產品進行測試和分析,包括業內知名的Synopsys, STMicro, Infinion, Cypress, Leti, Smart Modular, Mellanox等等知名公司的NAND分析部門,以及幾大國際NAND廠商的客戶解決方案部門或區域應用工程部門也在使用該設備進行一些應用測試。

解決NAND相關的SSD問題:

1. 較低的SSD性能和Crash和NAND的關系

2. QoS隨著NAND老化下降導致的問題

3. SSD意外Crash問題

電壓波動,突發電流沖擊,時序分析

高性能power分析,長時間分析power峰值,平均,分布

4. 較高的初始RBER

5. 高速接口帶來的挑戰

1,033MT/s, 1,200MT/S, 1.6GT/s, 后續2.4GT/s

原文標題:如何解決SSD研發過程中和NAND相關的問題

文章出處:【微信公眾號:ssdfans】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

責任編輯:haq

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原文標題:如何解決SSD研發過程中和NAND相關的問題

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