2021年1月21日，中國珠海-英諾賽科科技有限公司和ASML公司達(dá)成批量購買高產(chǎn)能i-line和KrF光刻機(jī)的協(xié)議，用于制造先進(jìn)的硅基氮化鎵功率器件。

全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵集成器件制造商英諾賽科科技有限公司和光刻機(jī)制造廠商ASML近期達(dá)成批量購買高產(chǎn)能i-line和KrF光刻機(jī)的合作協(xié)議。ASML是全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商，其生產(chǎn)的XT400和XT860 的i-line和KrF經(jīng)過升級(jí)，能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。憑借其獨(dú)特的TWINSCAN(雙工件臺(tái))架構(gòu)，ASML的i-line和KrF光刻機(jī)能提供最卓越的性能、市場(chǎng)上最高的生產(chǎn)效率以及最低的成本。雙工件臺(tái)技術(shù)架構(gòu)已經(jīng)成為全球300mm和200mm晶圓量產(chǎn)生產(chǎn)線中的先進(jìn)光刻技術(shù)代表 。英諾賽科將在今年第二季度搬入首批光刻機(jī)，這是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域首次量產(chǎn)應(yīng)用先進(jìn)的ASML TWINSCAN(雙工件臺(tái))光刻技術(shù)，這一實(shí)施標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體制造技術(shù)正式進(jìn)入了一個(gè)全新的紀(jì)元。

英諾賽科科技有限公司成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵芯片制造的企業(yè)。公司成功建成投產(chǎn)全球首條200mm硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產(chǎn)生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括200mm硅基氮化鎵晶圓及30V-650V氮化鎵功率器件。英諾賽科產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與性能均達(dá)到國際最先進(jìn)水平，并已廣泛應(yīng)用于PD快充、立體(3D)相機(jī)、移動(dòng)電子設(shè)備(包括智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦)等領(lǐng)域。英諾賽科致力于打造世界一流品牌，并為全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

功率器件和電路可以通過高開關(guān)頻率和高功率密度來實(shí)現(xiàn)高效的能源管理， 這些功能可以廣泛用于快速增長的新興市場(chǎng)如數(shù)據(jù)中心、可再生能源和下一代無線通訊網(wǎng)絡(luò)等。除較小的外形尺寸外，由于其高頻率、高功率密度等特性，硅基氮化鎵還是快速充電，直流電網(wǎng)，新能源汽車等市場(chǎng)理想選擇。“第三代半導(dǎo)體”材料包括氮化鎵(GaN) 、碳化硅（SiC）、氮化鋁（AlN）、金剛石和氧化鋅（ZnO），而氮化鎵(GaN)是“第三代半導(dǎo)體”材料的典型代表，具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。

2021年1月21日在珠海舉行的簽約儀式上，英諾賽科CEO 孫在亨先生 說：“我非常榮幸的宣布英諾賽科與ASML達(dá)成合作協(xié)議，我們將在一起努力用氮化鎵技術(shù)改變未來。作為一家致力于推動(dòng)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新革命的企業(yè)，我們需要與像ASML這樣全球半導(dǎo)體領(lǐng)軍的企業(yè)合作，采用更加先進(jìn)的制造工藝，實(shí)現(xiàn)更加高的性能、良率和產(chǎn)出，在快速成長的各種應(yīng)用領(lǐng)域(例如快充、TOF相機(jī)(Time-of-Flight Camera) 、智能手機(jī)、電動(dòng)車、數(shù)據(jù)中心等)共同推出最先進(jìn)的解決方案以及下個(gè)世代的氮化鎵器件，為我們的客戶、伙伴和消費(fèi)者創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品和服務(wù)。第三代半導(dǎo)體是一次產(chǎn)業(yè)革命性的升級(jí)，變革從不簡(jiǎn)單，它需要我們攜手共進(jìn)，攜手共進(jìn)我們將實(shí)現(xiàn)合作共贏。

ASML全球副總裁，中國區(qū)總裁沈波表示：“我們很高興成為英諾賽科的合作伙伴，第三代半導(dǎo)體在全球市場(chǎng)有廣闊的應(yīng)用前景，阿斯麥會(huì)全力提供光刻解決方案和服務(wù)，支持英諾賽科在這一領(lǐng)域的發(fā)展。”

“我們應(yīng)用在200mm晶圓生產(chǎn)線上的 XT平臺(tái)，包括i-line、KrF和干式ArF等光刻機(jī)，是快速增長的硅基氮化鎵市場(chǎng)的理想長期解決方案，不僅在生產(chǎn)率和成本方面是這樣， 隨著氮化鎵（GaN）材料在新領(lǐng)域的應(yīng)用，套準(zhǔn)精度和成像要求也會(huì)隨著時(shí)間的推移而擴(kuò)展。” ASML 深紫外光刻業(yè)務(wù)產(chǎn)品營銷和業(yè)務(wù)開發(fā)高級(jí)總監(jiān)Toni Mesquida Kuesters說: “我們致力于幫助英諾賽科實(shí)現(xiàn)其預(yù)期目標(biāo)，并期待卓有成效的合作。”

關(guān)于英諾賽科

英諾賽科成立于2015年12月，是一家硅基氮化鎵芯片集成制造的企業(yè)。隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，全球電力能源應(yīng)用系統(tǒng)正在發(fā)生巨大轉(zhuǎn)變。我們的愿景就是用先進(jìn)、高效、低成本的硅基氮化鎵技術(shù)助力新時(shí)代高效能源系統(tǒng)的建設(shè)。2017年11月，英諾賽科在珠海建設(shè)完成全球首條8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線。為了滿足快速爆發(fā)的市場(chǎng)的需求，2020年9月，英諾賽科蘇州工廠建設(shè)完成。作為領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商，英諾賽科的IDM全產(chǎn)業(yè)鏈集成制造模式可以為客戶帶來更加高效、高可靠性的解決方案，其產(chǎn)品可以廣泛應(yīng)用于云計(jì)算(數(shù)據(jù)中心)、汽車、移動(dòng)電子設(shè)備等領(lǐng)域。

關(guān)于ASML

總部位于荷蘭的ASML是全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商，并且是芯片光刻技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。我們的愿景是驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體的各種應(yīng)用來幫助解決人類生活中各種挑戰(zhàn)。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)，我們提供創(chuàng)新的產(chǎn)品和服務(wù)來幫助芯片制造商不斷微縮芯片。我們不斷提高產(chǎn)品的性能，以幫助客戶持續(xù)提升芯片價(jià)值并降低成本。我們致力于讓芯片的性能更強(qiáng)大、價(jià)格更合理，進(jìn)而促使半導(dǎo)體技術(shù)能更廣泛的應(yīng)用于醫(yī)療、能源、通訊和娛樂等相關(guān)產(chǎn)品與服務(wù)中30多年來，ASML的成功來自于和客戶及供貨商緊密合作所共同創(chuàng)造的領(lǐng)先技術(shù)、高效能的流程和優(yōu)秀的員工。ASML在全球16個(gè)國家的60個(gè)城市設(shè)有辦公室，員工超過28000。ASML為荷蘭阿姆斯特丹證券交易所和美國NASDAQ上市公司。

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