近幾十年來,作為閃存的潛在替代品,許多新興的內存技術被開發出來。閃存的制程難以擴展到 40nm以下。據Yole估計,在這十年的上半期,相變存儲器(PCM)、磁RAM(MRAM)和電阻RAM(ReRAM)將在市場上產生重大影響,其制程為22nm,幾何形狀更精細。
還有其他形式的新興NVM - 如鐵電 RAM、CeRAM和基于碳納米管的存儲器 - 但這些預期不會在 Yole 預測的期間進入任何重要的市場。
嵌入式 NVM 市場將取得最大的成功,在 2020 至 2026 年,復合年增長率為 110%。這將使市場從2020年的2600萬美元增長到2026年的23億美元。MRAM 在 22nm 的領先制造商臺積電和格芯的產品中已經處于領先地位,三星的產品為 28nm。UMC 和英特爾正在開發嵌入式 MRAM。
到 2026 年,MRAM 將提高其在嵌入式 NVM 市場的持有率,達到 76%,而 PCM 將只占該市場的 2%。ST微電子在汽車中的 NVM 應用正在得到支持。
獨立 NVM 市場已經比嵌入式 NVM 市場大,但增長速度會變慢。從2020年的5.95億美元增長到2026年的33億美元左右,復合年均增長率為33%。
在這一領域,PCM 已經以 90% 的市場份額占據主導地位,這要歸功于英特爾與服務器 CPU 捆綁銷售的 3D XPoint 產品。一些人認為英特爾正在出售這些存儲業務。在未來五年內,MRAM 和 ReRAM 只會逐漸從 PCM 中獲得更多市場份額。
獨立的新興 NVM 市場將驅動低延遲存儲和持久內存。英特爾推出了使用 3D XPoint 制造的固態硬盤,其中包括奧爾德流固態硬盤。這是第一個使用具有四個堆疊 PCM 層的第二代 3D XPoint 產品。
用于低延遲存儲的 STT-MRAM 芯片的銷售“坡道”比預期要長。Yole說,基于 ReRAM 的固態硬盤可能會基于下一代協議(如 CXL 和 Gen-Z)推出,但這些協議尚未成熟。
Yole 對新興 NVM 的熱情是基于過去 12 個月的數據得出的。
索尼推出了GPS芯片,包括三星使用28nm FDSOI制程工藝為其制造的嵌入式MMAM。Yole說,這些設計已經用于華為智能手表。安比克在臺積電22nmULL上推出了低功耗MMAM MCU。許多基于 eMRAM 的設備將在 2021 年進入批量生產,包括 GreenWave 的 AI 處理器,這些處理器使用 Globalfoundries 的 eMRAM技術制造(22nm FDSOI)。
2020 年,采用嵌入式 RRAM (eRRAM) 的產品也進入市場,Nuvoton 推出了具有 40nm OxRAM 的 IC 設備,用于安全應用。Nuvoton技術公司于2020年以2.5億美元收購了松下公司的半導體業務。松下已經在市場上擁有40nm的產品,并已經與UMC合作進行制造。
責任編輯:tzh
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