三星電子開始量產迄今為止最先進的數據中心SSD
三星電子宣布，已經開始量產該公司迄今為止最為先進的數據中心SSD，型號為“PM9A3”。
三星PM9A3 SSD完全符合開放計算項目（OCP）的NVMe Cloud SSD規范，搭配創新的EDSFF E.1S接口形態，可滿足各種企業級負載的需求。
它采用三星的第六代V-NAND閃存，100多層堆疊（具體數字未公開），相比于第五代V-NAND閃存的PM983a M.2，持續讀寫性能翻番達到3GB/s，隨機讀寫性能則分別提升40％、150％，達到了750K IOPS、160K IOPS。
看性能似乎很一邊，但是這款PM9A3的最牛之處在于超高的能效——每瓦特性能的順序寫入性能可達283MB/s，相比于上代每瓦特188MB/s提升了幾乎50％。
這意味著什么？三星打了個比方：如果將2020年發布的所有服務器機械硬盤都換成PM9A3 4TB，就可以節省1484GWh的能耗，也就是14.84億度電，足夠一個大城市的所有家庭在夏天使用一個月。
它還提供了9個檔次的不同功耗指標，結合不同接口形態，可滿足不同應用環境的需求，包括8.25W功耗的M.2形態，35W功耗的EDSFF形態，等等。
技術方面，除了用戶數據加密與驗證等標準安全特性，它還支持安全啟動、回滾保護，后者能避免硬盤回滾或者降級到有缺陷的固件版本。
責任編輯:pj
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
4文章
569瀏覽量
40715 -
SSD
+關注
關注
21文章
2887瀏覽量
117857 -
數據中心
+關注
關注
16文章
4858瀏覽量
72381
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星存儲，開始反擊！
錯失AI浪潮有關。 ? 不過三星顯然并未放棄對AI領域的投入，近期該公司對外界暗示可能會向人工智能巨頭英偉達提供先進的HBM。如果成真，意味著三星將重新與SK海力士站上同一賽道，開啟正式反擊。 ? 業績大漲的
被臺積電拒絕代工，三星芯片制造突圍的關鍵在先進封裝？
? 電子發燒友網報道（文/吳子鵬）根據相關媒體報道，臺積電拒絕為三星Exynos處理器提供代工服務，理由是臺積電害怕通過最先進的工藝代工三星Exynos處理器可能會導致泄密，讓
美光科技推出業界首款PCIe 5.0 60TB數據中心SSD
美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）近日宣布已開始與客戶進行6550 ION NVMe SSD的認證。美光6550 ION SSD是全球速率領先的60TB數據中心
三星芯片代工新掌門：先進與成熟制程并重
據韓媒報道，三星電子設備解決方案部新任foundry業務總裁兼總經理韓真晚(Han Jinman)，在近期致員工的內部信中明確提出了三星代工部門的發展策略。 韓真晚強調，三星代工部門要
三星電子或向英偉達供應先進HBM
領域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據悉，SK海力士已經開始量產業界領先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態勢。 然而，對于三星電子來說，向英偉
三星PM9E1 SSD正式量產，專為AI應用打造
三星電子近日宣布，其當前性能最高、容量最大的PCIe 5.0固態硬盤——PM9E1已正式啟動量產。這款SSD專為人工智能應用而設計，將成為端側人工智能PC的優選解決方案。
三星首推第八代V-NAND車載SSD，引領汽車存儲新紀元
三星電子在車載存儲技術領域邁出了重要一步，正式宣布成功研發出業界首款基于其先進第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。這一創新成果不僅標志著
SK海力士推出高性能數據中心SSD PEB110
SK海力士近日宣布成功開發出專為數據中心設計的高性能固態硬盤（SSD）新品——PEB110 E1.S（簡稱PEB110），標志著公司在數據存儲解決方案領域邁出了重要一步。這款SSD旨在
今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7；三星：HBM3e先進芯片今年量產
1. 三星：HBM3e 先進芯片今年量產，營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始
發表于 08-01 11:08
?873次閱讀
三星2024年底量產256GB CXL 2.0內存模塊
重大決策：三星將于今年年底正式拉開符合CXL 2.0協議標準的256GB CMM-D 2.0內存模塊的量產序幕。這一舉措不僅標志著三星在高性能計算與數據中心存儲解決方案領域的又一重大突
三星電子與首爾大學共建人工智能聯合研究中心
近日，三星電子與首爾大學宣布達成戰略合作，共同成立人工智能聯合研究中心，以推動先進AI技術的研究與發展。這一為期三年的合作項目，標志著
三星電子開始量產其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統
據外媒報道，三星電子已開始量產其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統（SoC），預計該芯片預計將用于Galaxy S25系列。
三星電子發布業界最大容量HBM
三星電子近日宣布，公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升，這也意味著三星已開發出業界迄今為止容量最大的新
超大規模數據中心采用三星FDP SSD降低存儲成本
主機數據放置技術一直是超大規模數據中心關注的話題，因為它影響所部署的SSD的總體擁有成本（TCO）。
三星發布首款12層堆疊HBM3E DRAM
近日，三星電子宣布，已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存（HBM3E）產品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止
工商網監
評論