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基于臺積電5nm制程工藝 112G SerDes連接芯片發布

SSDFans ? 來源:ssdfans ? 作者:ssdfans ? 2021-04-19 16:40 ? 次閱讀

到目前為止,在市場上有三種基于臺積電N5工藝的產品:Mate 40 Pro中的華為麒麟9000 5G SoC, iPhone 12系列中的蘋果A14 SoC,以及新的MBA/MBP和Mac Mini中的蘋果M1 SoC,現在這個列表中又新添一名成員,它就是基于臺積電5nm制程工藝 112G SerDes連接芯片。近日,Marvell宣布了其基于DSP的112G SerDes解決方案的授權。

現代網絡基礎架構依賴于高速的 SerDes 連接,并且能夠以各種速率在不同協議下工作,代表性的有以太網、光纖、存儲和連接結構。此前的產品已支持高達 56G 的連接,但最新 IP 已支持將它翻倍。盡管 Marvell 并不是第一家提供 112G 連接方案的廠商,但卻是首個實現了通過硬件驗證和授權 5nm 制程的企業。

有大量數據顯示與其它112G解決方案相比,其不僅滿足各種標準、還具有更低的能耗和錯誤率,特別是對高速、高可靠性的基礎架構應用有相當實際的意義。Marvell 宣稱,其新方案可顯著降低每比特位傳輸的能耗,相較于基于臺積電 7nm 工藝(N7)的競品低了 25%,并且具有嚴格的功率 / 熱功耗限制、以及大于 40dB 的插入損耗。

通常數據支持基于一系列 0 或 1 操作位的 NRZ 調制,但 Marvell 啟用了 2 比特位的操作(00、01、10 或 11),又稱 PAM4 脈沖幅度調制。這樣可讓帶寬輕松翻倍,但也確實需要一些額外的電路。,PAM4以前在較低的SerDes速度和112G時已經啟用,但在TSMC N5上卻沒有使用。當我們使用更快的速度時,PAM4將成為支持它們的必要條件。普通讀者可能會發現,NVIDIA的RTX 3090使用了基于 7nm 工藝的 PAM4 信號調制,可讓美光 GDDR6X 閃存芯片提供超過 1000 GB/s 的帶寬。如有必要,還可以過在NRZ模式下運行,以獲得更低的功耗。

圖片來自美光公司

Marvell表示,該公司已經與多個市場的ASIC定制客戶合作實施112G方案部署。該公司表示,除了新的112G SerDes外,還將推出一整套基于5nm的PHY、交換機、DPU、定制處理器控制器和加速器,而這只是第一步。

原文標題:Marvell發布基于臺積電5nm制程工藝 112G SerDes連接芯片

文章出處:【微信公眾號:ssdfans】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

責任編輯:haq

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