上一篇報告我們將思睿達主推的CR6248和XX33AP進行了對比，得出的結論是思睿達主推的CR6248會比XX33AP的效率高，功耗小。本篇文章，我們將介紹的是思睿達CR6267SK和X1135N的對比測試報告，結果又究竟如何呢？接著往下看吧！

CR6267SK 芯片特性：

● CR6267SK 內(nèi)置650V高壓功率MOSFET，反激式原邊檢測PWM 功率開關；

● SOP8 封裝，一側引腳（5-8）全為內(nèi)置MOS漏極，方便散熱設計；

● 內(nèi)置軟啟動，減小MOSFET 的應力，內(nèi)置斜坡補償電路；

● 低功耗以及良好的負載動態(tài)特性；

● 具有良好的EMI 特性；

● 具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OVP”等多種保護功能；

● 原邊反饋，無需光耦和TL431，可調(diào)式線損補償，IC 基準精度±1%；

● 電路結構簡單、較少的外圍元器件，適用于小功率AC/DC 電源適配器、充電器。

CR6267SK 已經(jīng)出貨3kk：

1）供貨較好；

2）全方位的技術服務

直接換取芯片，OCP 比較一致，所以外圍參數(shù)不做修改；

一、電性對比如下

注意：

1、以上數(shù)值為板端測試

2、測試儀器為：

示波器：泰克MDO3014

功率計：WT210

負載機：IT8511A

萬用表：FLUKE 15B

二、關鍵波形對比如下

X1135N 264V 啟動時 VDS 波形 輸出開關管波形

CR6267 264V 啟動時 VDS 波形 輸出開關管波形

低壓VAC90 時，SENSE 波形(X1135N)

低壓 VAC90 時，SENSE 波形(出入 267SK)

從測試波形上可以了解到在整機開啟和發(fā)生保護的時候MOS管以及輸出開關管波形所受應力基本一致；

結論

CR6267SK與X1135N對比測試電性基本一致（四點平均效率略高0.3~0.5%左右；（各數(shù)據(jù)僅供參考）

思睿達是專注于ADC、DAC、PoE和DC/DC 芯片級解決方案的高科技企業(yè)，目前同步推廣啟臣微全系列產(chǎn)品，希望將啟臣15年在電源行業(yè)這份積淀，這份堅持發(fā)揚光大。思睿達同時也可以提供芯片級定制服務。

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