0 引言

發(fā)光二極管作為電子產(chǎn)品中不可缺少的一個(gè)器件，光強(qiáng)的一致性與亮度是重要指標(biāo)。因此，隨著貼片器件的常規(guī)化使用，除了要求在小型化、多元化方面優(yōu)化之外，對(duì)于光強(qiáng)可靠性研究也存在重大的意義。

1 貼片發(fā)光二極管光強(qiáng)衰弱原因分析

在空調(diào)生產(chǎn)過程中，對(duì)于物料的使用壽命以及持久度是考評(píng)整個(gè)產(chǎn)品的一個(gè)維度。而對(duì)于發(fā)光二極管，在性能參數(shù)方面存在1個(gè)重要的研究——光衰。光衰是對(duì)發(fā)光器件評(píng)定的1項(xiàng)重要指標(biāo)，在常規(guī)器件性能VF與IR合格的情況下，光衰大小成為了區(qū)分產(chǎn)品差異化的1個(gè)閃光點(diǎn)。

造成光衰過大的原因通常除了生產(chǎn)工藝和發(fā)光芯片本身的發(fā)光強(qiáng)度之外，在通電條件合格的情況下，更多的是器件發(fā)光的外部環(huán)境以及內(nèi)部環(huán)境的影響。

外部環(huán)境因素：高溫、低溫、外部光強(qiáng)等。

內(nèi)部環(huán)境因素：晶圓發(fā)光強(qiáng)度極限，晶圓表面污染物，晶圓內(nèi)部聚光結(jié)構(gòu)，熒光粉的添加，發(fā)光角度等。

2 貼片發(fā)光二極管光衰驗(yàn)證

在對(duì)A廠家某貼片發(fā)光二極管物料進(jìn)行高溫老化試驗(yàn)時(shí)，實(shí)驗(yàn)前光強(qiáng)符合技術(shù)圖紙要求（MIN:2.1 cd、MAX：3.0 cd），但是經(jīng)過300 h/125 ℃高溫試驗(yàn)之后，光強(qiáng)大比例衰減，衰減百分比（衰減百分比公式：實(shí)驗(yàn)前-實(shí)驗(yàn)后/實(shí)驗(yàn)前×100%）高達(dá)30%，通常為滿足售后客戶使用要求，光衰要求不超過15%，因此該異常的出現(xiàn)導(dǎo)致器件光強(qiáng)不符合企業(yè)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求（圖1）。

圖1 A廠家故障件（下排）和正常品（上排）對(duì)比

2.1 A廠家物料材質(zhì)和結(jié)構(gòu)分析

A廠家該款物料為貼片結(jié)構(gòu)，與常規(guī)貼片物料不同的是器件樹脂中部由透明膠狀物質(zhì)進(jìn)行封裝，四周使用的是常規(guī)環(huán)氧樹脂封裝。經(jīng)對(duì)其中部成分測(cè)試，發(fā)現(xiàn)為硅膠制品。硅膠的使用通常是因?yàn)槟透邷匦院涂伤苄暂^強(qiáng)，因此對(duì)于此款物料的高亮度要求比較適合。

通過在放大鏡下查看器件（如圖2），可以清楚看到器件內(nèi)部晶圓等內(nèi)部結(jié)構(gòu)，器件底部焊盤為鍍銀結(jié)構(gòu)，銀焊盤上有常規(guī)的晶圓與金線，同時(shí)封裝的硅膠中含有黃色熒光粉。銀焊盤的作用是為了更好地反射光，該款物料為白色光，但是常規(guī)晶圓化合物中沒有直接呈現(xiàn)白色光的元素，因此通過本體晶圓發(fā)出藍(lán)色光（晶圓化合物：InGaN），經(jīng)過底部銀焊盤反射藍(lán)光與分布的黃色熒光粉進(jìn)行中和調(diào)色，使之最終呈現(xiàn)出白光。

圖2 A廠家正常品結(jié)構(gòu)

2.1.1 A廠家物料實(shí)驗(yàn)后樣品檢查

A廠家實(shí)驗(yàn)后樣品進(jìn)行外觀檢查，與正常未安排實(shí)驗(yàn)物料對(duì)比，物理結(jié)構(gòu)無差異，無開裂、破損、樹脂變形等異常現(xiàn)象。外觀對(duì)比情況上查看，器件內(nèi)部底部銀焊盤呈現(xiàn)發(fā)黑跡象，而非實(shí)驗(yàn)前出現(xiàn)的銀色。且器件內(nèi)部封裝硅膠的熒光粉也全部消失，沉積在底部銀焊盤上（如圖3）。

2.1.2 A廠家物料實(shí)驗(yàn)后光衰過大分析

A廠家物料光衰過大情況主要體現(xiàn)在以下2點(diǎn)。

1）器件底部起反射作用的銀焊盤表面被黑色異物覆蓋，導(dǎo)致其反射能力降低；

2）封裝硅膠內(nèi)部增強(qiáng)光強(qiáng)的黃色熒光粉出現(xiàn)沉積，導(dǎo)致熒光粉作用大大減弱。

2.2 A廠家與B廠家對(duì)比試驗(yàn)

該款物料的B廠家（外部結(jié)構(gòu)、類型完全相同）同樣抽取物料進(jìn)行試驗(yàn)驗(yàn)證，同步將A、B兩個(gè)廠家物料放置在同一塊板上進(jìn)行驗(yàn)證，在溫度、環(huán)境、與試驗(yàn)時(shí)間一致的情況之下進(jìn)行試驗(yàn)驗(yàn)證，300 h后，測(cè)圖4 A廠家實(shí)驗(yàn)后樣品底部銀焊盤異物EDX掃描試A、B廠家器件光強(qiáng)，同樣呈現(xiàn)出30%左右的光衰，驗(yàn)證結(jié)果排除廠家生產(chǎn)制造問題。

圖3 A廠家實(shí)驗(yàn)后樣品

實(shí)驗(yàn)結(jié)束后對(duì)A、B廠家物料進(jìn)行放大鏡下查看，2個(gè)廠家均出現(xiàn)光衰過大情況，因此排除廠家生產(chǎn)制造問題。

2.3 對(duì)A、B廠家失效器件分析

上訴對(duì)器件實(shí)驗(yàn)后制品進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，發(fā)現(xiàn)器件內(nèi)部起反射作用的銀焊盤表面被黑色物質(zhì)覆蓋，導(dǎo)致器件光強(qiáng)偏弱。

圖4 A廠家實(shí)驗(yàn)后樣品底部銀焊盤異物EDX掃描

問題一：器件底部起反射作用的銀焊盤表面被黑色異物覆蓋

取所有失效器件銀焊盤上的黑色物質(zhì)進(jìn)行EDX成分檢測(cè)，發(fā)現(xiàn)其內(nèi)部元素含有硫元素，使得表面Ag被S元素給S化，形成黑色的Ag2S，導(dǎo)致表面反射率降低。

問題二：封裝硅膠內(nèi)部增強(qiáng)光強(qiáng)的黃色熒光粉出現(xiàn)沉積

未安排實(shí)驗(yàn)的正常器件，內(nèi)部硅膠中的熒光粉存在，目的是為了增強(qiáng)光強(qiáng)，但是熒光粉出現(xiàn)沉積導(dǎo)致器件光衰過大，其主要問題點(diǎn)在于熒光粉為何出現(xiàn)的沉積。

硅膠是一種高活性吸附材料，其耐高溫、可塑性很強(qiáng)，因此用于高亮度的發(fā)光二極管中是一種首選材質(zhì)。

強(qiáng)的吸附能力也有屬于它的天敵，通過對(duì)實(shí)驗(yàn)過程和實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的核實(shí)排查，唯一造成硅膠的吸附能力失效的，就是S元素的存在。在高溫條件下，S元素的進(jìn)入密封硅膠中更加的容易，導(dǎo)致硅膠出現(xiàn)中毒現(xiàn)象，使得其吸附活性大大減弱。

對(duì)于以上2個(gè)問題的確認(rèn)，可以確定S元素的存在造成了硅膠封裝發(fā)光二極管光衰過大的結(jié)果，但是還需要進(jìn)一步排查驗(yàn)證。

2.3.1 S元素的排除整改

對(duì)于貼片發(fā)光二極管做高溫實(shí)驗(yàn)，使用膠布將器件粘貼在相應(yīng)基板上，放入高溫箱中進(jìn)行300 h/125 ℃耐久試驗(yàn)。在整個(gè)過程中，S元素的出現(xiàn)主要有以下3個(gè)方面的影響：

1）粘貼器件的膠帶中含有S元素，在高溫烘烤下?lián)]發(fā)出來進(jìn)入；

2）裝發(fā)光二極管的平板材質(zhì)中含有S元素；

3）高溫實(shí)驗(yàn)箱中的其它物品和環(huán)境中含有S元素。通過對(duì)膠帶、板進(jìn)行EDX成分測(cè)試發(fā)現(xiàn)（如圖5），膠帶的測(cè)試成分中含有0.022%的S元素，由于膠帶與器件接觸，因此S元素順應(yīng)著接觸面滲入器件內(nèi)部，導(dǎo)致器件硅膠中毒且底部銀焊盤被硫化。

圖5 底部粘貼雙面膠元素定性測(cè)試

分析總結(jié)：S元素的存在導(dǎo)致器件內(nèi)部相關(guān)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生質(zhì)變和失效，促使硅膠類樹脂封裝貼片二極管在后續(xù)的驗(yàn)證與實(shí)驗(yàn)中，需要對(duì)S元素的存在進(jìn)行相應(yīng)防范，使得器件的耐久性、耐用性以及客戶舒適性得到相應(yīng)提高。

3 改效果評(píng)估及應(yīng)用效果驗(yàn)證

對(duì)于硅膠貼片發(fā)光二極管的整改對(duì)器件異常點(diǎn)進(jìn)行專項(xiàng)排除整改，①不使用膠帶對(duì)器件進(jìn)行固定；②將器件放置于不銹鋼杯中，避免接觸一切S元素；③將加熱的高溫箱內(nèi)其它器件清空，并敞開放置一定的時(shí)間，讓空氣進(jìn)行置換，再進(jìn)行加熱（如圖6）。

圖6 改善后的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證方法

實(shí)驗(yàn)結(jié)果：實(shí)驗(yàn)結(jié)束后測(cè)試器件前后光強(qiáng)參數(shù)，其光衰率小于15%，符合相關(guān)技術(shù)圖紙要求，驗(yàn)證有效。

總結(jié)：依據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，器件實(shí)驗(yàn)前后光強(qiáng)變化不大，衰減度不足10%，小于標(biāo)準(zhǔn)值15%，符合相關(guān)技術(shù)管理規(guī)定，驗(yàn)證有效。

4 貼片硅膠封裝發(fā)光二極管改善意義

本文結(jié)合失效現(xiàn)象，對(duì)硅膠封裝貼片發(fā)光二極管的使用過程中的失效原因及失效機(jī)理分析，分析結(jié)果表明該種類貼片發(fā)光二極管在追求了高亮度的同時(shí)，也存在著自身的不足之處，通過一系列的實(shí)驗(yàn)對(duì)比驗(yàn)證，此種情況僅僅出現(xiàn)在硅膠封裝器件上，對(duì)于其它非硅膠封裝廠家編碼實(shí)驗(yàn)前光強(qiáng)數(shù)據(jù)試驗(yàn)后光強(qiáng)數(shù)據(jù)光衰率的環(huán)氧樹脂上，不存在此種問題。同時(shí)，該項(xiàng)目的成立也變相的衍生到其它硅膠樹脂封裝同步需要做好對(duì)S元素的防范。

通過對(duì)該器件的分析，使得在后續(xù)貼片器件完全替代插件類發(fā)光二極管的時(shí)候起了不可缺少的作用，從器件的源頭、使用的環(huán)境對(duì)器件性能進(jìn)行良好的保障。
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