可控硅整流器的工作原理
可控硅整流器是一種以晶閘管為基礎、以智能數字控制電路為核心的電源功率控制電器。其特點有效率高、無機械噪聲和磨損、響應速度快、體積小、重量輕。
可控硅整流器的工作原理
可控硅是P1、N1、P2、N2的四層三端結構元件，共有三個PN結。當陽極A加上正向電壓時，g1和g2管均處于放大狀態。
從控制極G輸入一個正向觸發信號時，g2便有基流b2經過，此時g2放大，其集電極電流c2=β2b2。g2的集電極直接與g1的基極相連，因此b1=c2。電流c2再經g1放大作用，g1的集電極電流c1=β1b1=β1β2b2。此時，電流又流回到g2的基極，表成正反饋，b2不斷增大正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅即可飽和流通。
文章整合自：ickey
編輯：ymf
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
可控硅
+關注
關注
43文章
963瀏覽量
72171 -
晶閘管
+關注
關注
35文章
1104瀏覽量
77432 -
智能數字
+關注
關注
0文章
5瀏覽量
6414
發布評論請先 登錄
相關推薦
可控硅的工作原理 可控硅與晶閘管的區別
可控硅的工作原理 可控硅（Silicon Controlled Rectifier，簡稱SCR）是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結。可控硅
可控硅整流器的測量方法
可控硅整流器的測量方法多種多樣，主要包括直流電壓測量、電流測量、觸發脈沖測量以及電阻測量等。每種方法都有其特定的操作步驟和注意事項，以確保測量結果的準確性和可靠性。以下將詳細介紹這些測量方法及相應的注意事項。
可控硅整流器的結構和應用
可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier, SCR）是一種重要的電力半導體電子器件，也被稱為晶閘管。它以其獨特的控制特性和廣泛的應用領域在電力電子領域占據重要地位。以下是對可控硅整流器的詳細解析，包括其定義、結構以及
可控硅控制加熱器的工作原理
可控硅，全稱為可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier, SCR），是一種具有四個引腳（陽極A、陰極K、控制極G和門極G，有時門極和控制極合并為一個引腳）的半導體器件
可控硅如何控制交流電的通斷
可控硅，全稱為可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier, SCR），是一種具有四個引腳的半導體器件，通常由P型半導體和N型半導體組成三個PN結，形成PNPN四層結構
三相可控橋式整流器的工作原理是什么
三相可控橋式整流器是一種廣泛應用于工業領域的電力電子設備，主要用于將三相交流電轉換為直流電。 一、三相可控橋式整流器的基本結構 三相可控橋式
單向可控硅能用在交流電路中嗎
可以。單向可控硅，又稱為單向可控硅整流器或SCR（Silicon Controlled Rectifier），是一種半導體器件，主要用于控制交流電路中的電流。 一、單向可控硅的工作原理
可控硅的工作原理、特性參數及型號選擇
眾多，但基本結構和工作原理是相同的。 一、可控硅的工作原理 可控硅是一種四層三端半導體器件，由兩個PN結組成，具有陽極（Anode，A）、陰極（Cathode，K）和門極（Gate，G
雙向可控硅工作原理圖解
端子）、T2（第二陽極或第一端子）和G（控制極或閘極）。 相比于單向可控硅，雙向可控硅不再有陽極和陰極的區分，而是用T1和T2來表示其兩個主電極。 二、雙向可控硅的工作原理圖解 雙向
晶閘管整流器的工作原理
晶閘管整流器，作為一種電力變流器件，在工業和電力領域得到了廣泛的應用。其工作原理基于晶閘管的導通和關斷，通過控制電壓施加或去除晶閘管上的控制電流來實現對輸入電壓的整流轉換。本文將詳細闡述晶閘管
可控硅的工作原理 可控硅怎么接線
可控硅，也稱為硅控整流器（SCR），是一種大功率半導體器件，主要用于交流電路中的相位控制、整流、穩壓、無觸點開關等應用。
工商網監
評論